TriQuint推出两款低成本、高性能低噪放大器

　　主题：面向LTE基站和类似应用的集成、封装解决方案提供最低的噪声系数，Triquint推出两款表面贴装式封装的低成本、高性能低噪放大器。这批器件采用新封装的砷化镓（GaAs）低噪声放大器在400至2700 MHz应用中提供一流性能。

　　技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司，开始供应两款表面贴装式封装的低噪声放大器（LNA）TQP3M9036和TQP3M9037的初始样品，为面向基站和类似应用的集成、封装解决方案提供最低的噪声系数。

　　这些采用TriQuint砷化镓E-pHEMT工艺的新器件，包括工作频率为400至1500 MHz、噪声系数为0.45 dB的TQP3M9036和工作频率为1500至2700 MHz、噪声系数为0.40 dB的TQP3M9037。两款放大器均非常适用于基础设施应用，如蜂窝基站、塔顶放大器（TMA）、小蜂窝无线网络、中继器、700 MHz LTE网络以及使用UHF频谱中“空白信号频谱”（white space）的新兴无线系统。

　　TriQuint新的解决方案将通常由外部元件整合的关键功能集成在芯片上和封装之内，因而简化了射频设计。新的低噪放还解决TDD-LTE市场对集成数字关机偏置能力日益增长的要求，并且可以从偏置电压+3 V至+5 V提供高性能，无需负电源电压。偏置网络通过电流反射镜和反馈电保持对温度变化的稳定性；并且还提供了数字断电功能的开关电路。TriQuint的新低噪声放大器已经进行了最优化的片上配置，来提供最佳的噪声系数、线性度和可靠性的组合。

　　这两款TriQuint的新器件都与TriQuint产品组合中同类产品引脚兼容，并安装在符合RoHS规范的行业标准，2x2毫米，8引脚DFN的封装。他们是极为坚固的器件， 能阻断高功率干扰输入信号或大于 +22 dBm的发射功率泄漏 。这些器件还绝对稳定，可消除潜在的振荡。TQP3M9036和TQP3M9037均内部匹配50欧姆，操作时不需要任何外部匹配电路。

　　目前供应TQP3M9036和TQP3M9037的初始样品，预计将于2012年9月开始量产。