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电子发烧友网>新品快讯>东京电子器件开始在中国推IGBT栅极驱动板

东京电子器件开始在中国推IGBT栅极驱动板

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与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此更换 Si IGBT、Si 超级结器件
2023-05-12 14:35:49

UF3SC065007K4S 栅极驱动 SiC FET 器件

与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此更换 Si IGBT、Si 超级结器件
2023-05-12 14:29:40

UF3C170400K3S 栅极驱动 SiC FET 器件

MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MOS
2023-05-12 14:20:38

UF3C120400K3S 栅极驱动 SiC FET 器件

与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此更换 Si IGBT、Si 超级结器件
2023-05-12 14:11:46

UF3C120150B7S 栅极驱动 SiC FET 器件

与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此更换 Si IGBT、Si 超级结器件
2023-05-12 12:44:42

UF3C120080K3S 栅极驱动 SiC FET 器件

与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此更换 Si IGBT、Si 超级结器件
2023-05-12 12:26:54

UF3C120080B7S 栅极驱动 SiC FET 器件

MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MOSF
2023-05-12 11:54:23

UF3C065080K3S 栅极驱动 SiC FET 器件

与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 S
2023-05-11 20:45:39

UF3C065080B7S 栅极驱动 SiC FET 器件

JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此更换 Si IGBT、Si 超级
2023-05-11 20:38:23

UF3C065080B3 栅极驱动 SiC 器件

MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC
2023-05-11 20:28:32

SCT51240—单通道下管IGBT/MOSFET栅极驱动

芯洲的SCT51240是一款宽供电电压、单通道、高速、低测栅极驱动器,适用于功率MOSFET,IGBT和宽禁带器件,例如氮化镓功率器件驱动。 提供高达4A驱动拉电流和灌电流,并实现轨到轨输出
2023-05-05 09:00:14209

川土微电子车规级CA-IS3221/3222隔离栅极驱动器面市

  川土微电子CA-IS3221/3222 隔离栅极驱动器、CA-IS3221-Q1/3222-Q1车规级隔离栅极驱动器新品发布 01产品概述 CA-IS322X系列产品为双通道、隔离型栅极驱动
2023-04-24 18:31:401791

IGBT的工作原理、作用及选型要求

基极电,使IGBT关断。 由图2可知,若在IGBT栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通; 若IGBT栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。
2023-04-08 09:36:261454

IGBT栅极驱动设计

前面我们也聊到过IGBT栅极驱动设计,虽然今天聊的可能有些重复,但是感觉人到中年,最讨厌的就是记忆力不够用,就当回顾和加重记忆吧。
2023-04-06 17:38:291595

电力电子器件的概念及分类

电力电子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。广义上电力电子器件可分为电真空器件和半导体器件两类,目前往往专指电力
2023-04-04 15:31:433930

电力电子IGBT栅极驱动

 栅极驱动器是一种功率放大器,它接受来自控制器IC的低功耗输入,并为功率器件产生适当的高电流栅极驱动。随着对电力电子器件的要求不断提高,栅极驱动器电路的设计和性能变得越来越重要。   功率
2023-04-04 10:23:45546

隔离式栅极驱动器设计技巧

功率 MOSFET 是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
2023-04-04 09:58:391001

用于电力电子器件栅极驱动

栅极驱动器是一种功率放大器,它接受来自控制器IC的低功耗输入,并为功率器件产生适当的高电流栅极驱动。随着对电力电子器件的要求不断提高,栅极驱动器电路的设计和性能变得越来越重要。
2023-03-23 16:48:48535

电机驱动系统MCU拆解之驱动分析

,输出低电平,故障信号可以触发关断IGBT。  钳位电路  IGBT关断时门极电压开始下降,门极与集电极之间的米勒电容,使得门极电压关断延时。为了消除这种延时,驱动芯片通过箝位电路作用,当门极电压降到
2023-03-23 15:57:38

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