最小导通电阻!瑞萨发售封装为2mm见方的功率MOSFET

来源:本站整理 作者:秩名2012年04月13日 09:19
[导读] 瑞萨电子日前发售了八款封装尺寸仅为2mm×2mm的功率MOSFET。其中两款产品“在封装尺寸为2mm见方的产品中,实现了业界最高水平的低导通电阻”。

  瑞萨电子日前发售了八款封装尺寸仅为2mm×2mm的功率MOSFET。其中两款产品“在封装尺寸为2mm见方的产品中,实现了业界最高水平的低导通电阻”。它们分别是耐压(VDSS)为+20V的n通道产品“μPA2600”,以及耐压为+30V的n通道产品“μPA2601”。这两款产品的特点是导通电阻小,μPA2600的导通电阻为9.3mΩ,μPA2601的导通电阻为13.6mΩ(都是栅源间电压为+4.5V时的标称值)。新产品主要用于便携式电子产品的负荷开关、充放电控制、RF功率放大器的开关控制以及过电流保护开关等。

最小导通电阻!瑞萨发售封装为2mm见方的功率MOSFET

  μPA2600的栅源间电压为±12V,漏电流为7.0A,栅源间电压为+2.5V时的导通电阻为12mΩ(标称值)。μPA2601的栅源间电压为±20V,漏电流为7.0A,栅源间电压为+10V时的导通电阻为10.5mΩ(标称值)。

  此次推出的其他的产品为:两款p通道产品、两款双p通道产品、一款双n通道产品,以及一款将n通道和p通道集成在一个封装中的产品。其中,p通道产品“μPA2630”的耐压为-12V,“μPA2631”的耐压为-20V。导通电阻方面,μPA2630为22mΩ,μPA2631为27mΩ(都是栅源间电压为+4.5V时的标称值)。

  此次的八款产品均已从2012年4月开始样品供货。样品价格为30日元。

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