电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>新品快讯>罗姆半导体“全SiC”功率模块开始量产,开关损耗降低85%

罗姆半导体“全SiC”功率模块开始量产,开关损耗降低85%

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

功率半导体市场将迈向550亿美元新高度

半导体利用 SiC 来减少能量损失并延长太阳能和风能电力转换器的使用寿命。SiC(碳化硅)由于其宽带隙而用于高功率应用。
2024-03-22 09:36:2020

芯动半导体与意法半导体签署碳化硅战略合作协议

近日,国内领先的半导体企业芯动半导体与国际知名半导体供应商意法半导体成功签署碳化硅(SiC)芯片战略合作协议。这一协议的达成,标志着双方在SiC功率模块领域的合作迈出了坚实的一步,将共同推动SiC芯片在新能源汽车市场的广泛应用。
2024-03-15 09:44:4398

水下航行器电机的SiC MOSFET逆变器设计

利用 SiC 功率器件开关频率高、开关损耗低等优点, 将 SiC MOSFET 应用于水下航行器大功率高速电机逆变器模块, 对软硬件进行设计。
2024-03-13 14:31:4667

如何实现高功率密度三相全桥SiC功率模块设计与开发呢?

为满足快速发展的电动汽车行业对高功率密度 SiC 功率模块的需求,进行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全桥 SiC 功率模块设计与开发,提出了一种基于多叠层直接键合铜单元的功率模块封装方法来并联更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03376

蓉矽半导体1200V SiC MOSFET通过车规级可靠性认证

蓉矽半导体近日宣布,其自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET产品NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核。这一里程碑式的成就不仅彰显了蓉矽半导体功率半导体领域的技术实力,也进一步证明了其产品在新能源汽车、光伏逆变等高端应用领域的强大竞争力。
2024-03-12 11:06:30228

Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块

近日,全球知名的半导体及组件制造商Vishay宣布推出五款新型半桥IGBT功率模块,这些模块采用了经过改良设计的INT-A-PAK封装。新款产品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891

Vishay发布五款新型半桥IGBT功率模块

的Trench IGBT技术,为设计者提供两种卓越的技术选项:低VCE(ON)或低Eoff。这极大地降低了在运输、能源及工业应用中大电流逆变级的导通或开关损耗
2024-03-08 11:45:51266

一文详解杂散电感对SiC和IGBT功率模块开关特性的影响

IGBT和碳化硅(SiC模块开关特性受到许多外部参数的影响,例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。
2024-03-08 10:11:40496

东芝开始建设功率半导体后端生产设施

东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)近期宣布,已开始在位于日本西部兵库县的姬路运营 - 半导体工厂建设功率半导体后端生产设施。新工厂将于2025年春季开始量产
2024-03-07 18:26:21585

碳化硅(SiC功率器件在新能源汽车中的深入应用解析

采用多芯片并联的SiC功率模块,会产生较严重的电磁干扰和额外损耗,无法发挥SiC器件的优良性能;SiC功率模块杂散参数较大,可靠性不高。 (2)SiC功率高温封装技术发展滞后。
2024-03-04 10:35:49130

反激CCM模式的开通损耗和关断损耗详解

开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节,开关损耗测试对于器件评估非常关键,但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上。电源工程师们都知道开关MOS在整个电源系统里面的损耗占比是不小的,开关
2024-01-20 17:08:06913

意法半导体与致瞻科技就SiC达成合作!

今日(1月18日),意法半导体在官微宣布,公司与聚焦于碳化硅(SiC半导体功率模块和先进电力电子变换系统的中国高科技公司致瞻科技合作,为致瞻科技电动汽车车载空调中的压缩机控制器提供意法半导体第三代碳化硅(SiC)MOSFET技术。
2024-01-19 09:48:16254

三安宣布进军美洲市场,为市场提供SiC和GaN功率半导体产品

1月8日,Luminus Devices宣布,湖南三安半导体与其签署了一项合作协议,Luminus将成为湖南三安SiC和GaN产品在美洲的独家销售渠道,面向功率半导体应用市场。
2024-01-13 17:17:561042

​IGBT模块损耗特性介绍

IGBT元件的损耗总和分为:通态损耗开关损耗开关损耗分别为开通损耗(EON)和关断损耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028

功率半导体原理和功能介绍

主要基于PN结的正向偏置和反向偏置特性。当PN结正向偏置时,电子从N区向P区移动,形成正向电流;当PN结反向偏置时,电子无法通过PN结,形成反向截止状态。通过对PN结的正向偏置或反向偏置的控制,可以实现对功率半导体开关
2024-01-09 16:22:11380

新型沟槽SiC基MOSFET器件研究

SiC具有高效节能、稳定性好、工作频率高、能量密度高等优势,SiC沟槽MOSFET(UMOSFET)具有高温工作能力、低开关损耗、低导通损耗、快速开关速度等特点
2023-12-27 09:34:56466

同是功率器件,为什么SiC主要是MOSFET,GaN却是HEMT

电子发烧友网报道(文/梁浩斌)在我们谈论第三代半导体的时候,常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管),而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT(高电子
2023-12-27 09:11:361219

门极驱动正压对功率半导体性能的影响

/引言/对于半导体功率器件来说,门极电压的取值对器件特性影响很大。以前曾经聊过门极负压对器件开关特性的影响,而今天我们来一起看看门极正电压对器件的影响。文章将会从导通损耗开关损耗和短路性能来分别
2023-12-22 08:14:02160

SIC MOSFET在电路中的作用是什么?

MOSFET的基本结构。SIC MOSFET是一种由碳化硅材料制成的传导类型晶体管。与传统的硅MOSFET相比,SIC MOSFET具有更高的迁移率和击穿电压,以及更低的导通电阻和开关损耗。这些特性使其成为高温高频率应用中的理想选择。 SIC MOSFET在电路中具有以下几个主要的作用: 1. 电源开关
2023-12-21 11:27:13686

Boost变换器中SiC与IGBT模块损耗对比研究

在不同工作频率下的损耗进行了理论计算、PLECS仿真和试验验证对比分析。PLECS仿真和试验验证的结果不仅证明了估算公式的正确性,还直观的体现了SiC和IGBT两类模块在不同开关频率下工作的热损耗趋势。从文中可以看出,使用SiC替 代IGBT可以显著地提高变换器的工作频率和功率密度。
2023-12-14 09:37:05471

功率半导体冷知识之二:IGBT短路时的损耗

功率半导体冷知识之二:IGBT短路时的损耗
2023-12-05 16:31:25240

功率半导体器件学习笔记(1)

功率半导体器件,以前也被称为电力电子器件,简单来说,就是进行功率处理的,具有处理高电压,大电流能力的半导体器件。典型的功率处理,包括变频、变压、变流、功率管理等等。早期的功率半导体器件:大功率二极管
2023-12-03 16:33:191134

三菱电机与Nexperia共同开启硅化碳功率半导体开发

三菱电机公司宣布将与Nexperia B.V.结成战略合作伙伴关系,共同为电力电子市场开发硅碳(SiC功率半导体。三菱电机将利用其广带隙半导体技术开发和供应SiC MOSFET芯片,这些芯片将用于Nexperia开发SiC分立器件。
2023-11-30 16:14:09165

功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时,栅极电阻选型注意事项

本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势,以及如何权衡利弊。主要权衡因素之一是开关损耗开关损耗会被高 di/dt 和 dv/dt 放大,造成电路
2023-11-27 09:16:27203

三菱电机与安世宣布将联合开发高效的碳化硅(SiC功率半导体

2023年11月,日本三菱电机、安世半导体(Nexperia)宣布,将联合开发高效的碳化硅(SiC)MOSFET分立产品功率半导体
2023-11-25 16:50:53451

三菱电机将与安世携手开发SiC功率半导体

虽然是同一电力半导体公司,但是三菱电机与安世半导体的另一个焦点、电子电力半导体为中心的“各离散元件的组合”,高性能sic模块产品的信赖性的性能提供业界名声;onse半导体元件的开发、生产、认证领域具有几十年的丰富经验。目前还提供高品质的宽带配件。
2023-11-24 12:28:54282

使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗

使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗
2023-11-23 09:08:34333

如何赋能新一代宽带隙半导体?这三类隔离栅极驱动器了解一下~

在电力电子领域,为了最大限度地降低开关损耗,通常希望开关时间短。然而快速开关同时隐藏了高压瞬变的危险,这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此,必须设计更高性能的开关驱动系统 。 目前,宽带隙半导体
2023-11-17 18:45:01326

SiC驱动模块的应用与发展

SiC驱动器模块具有较低的功耗、高温运行能力和快速开关速度等优势,使其在下一代功率器件中有着广阔的应用前景。SiC驱动器模块可以用于电动车的电力系统、可再生能源转换系统、工业电力电子装置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257

三菱电机与安世半导体共同开发碳化硅(SiC)功率半导体

三菱电机今天宣布,将与安世半导体建立战略合作伙伴关系,共同开发面向电力电子市场的碳化硅 (SiC) 功率半导体
2023-11-15 15:25:52473

意法半导体发布ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)功率模块

意法半导体(STMicroelectronics)发布了ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)功率模块,采用方便的32引脚双列直插式模制通孔封装,适用于汽车应用。针对车载充电器 (OBC
2023-11-14 15:48:49356

三菱电机和安世半导体将合作共同开发碳化硅功率半导体

11月13日, 三菱电机株式会社(TOKYO:6503)宣布,将与Nexperia B.V.建立战略合作伙伴关系,共同开发面向电力电子市场的碳化硅(SiC功率半导体。三菱电机将利用其宽禁带半导体技术开发和供应SiC MOSFET芯片,Nexperia将用于开发SiC分立器件。
2023-11-14 10:34:33456

功率半导体类型有哪些

功率半导体是电力电子技术的关键组件,主要用作电路和系统中的开关或整流器。如今,功率半导体几乎广泛应用于人类活动的各个行业。我们的家电包括功率半导体,电动汽车包括功率半导体,飞机和宇宙飞船包括功率半导体
2023-11-07 10:54:05459

中瑞宏芯完成近亿元融资,系SiC功率半导体企业

中瑞宏芯将于2021年在海外回国技术专家和国内电力半导体业界的最佳产品被开发组成立了,新一代节能高效碳化硅功率正致力于开发芯片和模块,而且电力半导体及碳化硅材料器件领域具有10年以上的技术积累。
2023-11-03 11:19:55398

各大主机厂在SIC/IGBT模块上的布局分析

本文将详细介绍各大主机厂在SIC/IGBT模块上的布局,以及现在的产能应用情况等,探讨车企大规模进入功率半导体行业背后的原因,助力车规级功率半导体产业的健康持续发展。
2023-11-02 11:40:30296

意法半导体车规双列直插碳化硅功率模块提供多功能封装配置

充电机(OBC)、 DC/DC直流变压器、油液泵、空调等汽车系统,产品优点包括高功率密度、设计高度紧凑和装配简易等,提供四管全桥、三相六管全桥和图腾柱三种封装配置,增强了系统设计灵活性。   新模块内置1200V SiC功率开关管,意法半导体第二代和第三代 SiC MOSFET先进技术确保碳化硅开关管具有
2023-10-31 15:37:59887

意法半导体发布ACEPACK DMT-32系列车规碳化硅(SiC)功率模块

泵、空调等汽车系统,产品优点包括高功率密度、设计高度紧凑和装配简易等,提供四管全桥、三相六管全桥和图腾柱三种封装配置,增强了系统设计灵活性。   新模块内置1200VSiC功率开关管,意法半导体第二代和第三代 SiC MOSFET先进技术确保碳化硅开关管具有很低的导通电阻RDS(o
2023-10-30 16:03:10262

车规级功率模块封装的现状,SiC MOSFET对器件封装的技术需求

1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求 2、车规级功率模块封装的现状 3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装 4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419

意法半导体推出双列直插式封装ACEPACK DMT-32系列碳化硅功率模块

功率密度、非常紧凑的设计和简化的装配过程。该产品系列为系统设计人员提供了四件装、六件装和图腾柱配置的选择,以提高其灵活性。 这些模块包括1,200V SiC电源开关,采用意法半导体尖端的第二代和第三代SiC MOSFET技术,以确保最小的RDS(on)值。这些器件以最小的温度依赖性
2023-10-26 17:31:32741

同步buck电路的mos自举驱动可以降低mos的开关损耗吗?

同步buck电路的mos自举驱动可以降低mos的开关损耗吗? 同步buck电路的MOS自举驱动可以降低MOS的开关损耗 同步Buck电路是一种常见的DC/DC降压转换器,它具有高效、稳定、可靠的特点
2023-10-25 11:45:14522

提高SiC功率模块功率循环能力

改变功率模块市场。通过用宽带隙碳化硅(SiC)取代标准半导体中使用的硅,它们有可能将半导体功率模块的适用性扩展到更高功率、更高温度的用例。 碳化硅不辜负其高期望,到2026年占据功率模块市场25%的份额 ^1^ ,开发人员将不得不克服几个挑战。首先,他们
2023-10-23 16:49:36372

凌锐半导体正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧SiC MOS

2023年10月,凌锐半导体正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧的SiC MOS。产品性能优异,开关损耗更低、栅氧质量更好、而且兼容15V和18V驱动,能够满足高可靠性、高性能的应用需求。
2023-10-20 09:43:26485

如何设计一种适用于SiC FET的PCB呢?

SiC FET(即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常闭共源共栅组合)等宽带隙半导体开关推出后,功率转换产品无疑受益匪浅。
2023-10-19 12:25:58208

sic功率半导体上市公司 sic功率半导体技术如何实现成果转化

sic功率半导体上市公司 sic功率半导体上市公司有三安光电、露笑科技、楚江新材、天通股份、东尼电子、华润微、扬杰科技、捷捷微电、华微电子、斯达半导、闻泰科技等公司,注意以上信息仅供参考,如果想了
2023-10-18 16:14:30586

东芝推出适用于半导体测试设备中高频信号开关的小型光继电器-降低插入损耗,改善高频信号传输特性-

,并抑制功率衰减 [1] ,适用于使用大量继电器且需要实现高速信号传输的半导体测试设备的引脚电子器件。该产品于近日开始支持批量出货。 TLP3475W采用了东芝经过优化的封装设计,这有助于降低新型光继电器的寄生电容和电感。降低插入损耗的同时还可将高频信
2023-10-17 23:10:02321

东芝第3代碳化硅MOSFET为中高功率密度应用赋能

MOSFET也已经发展到了第3代,新推出的650V和1200V电压产品现已量产。其栅极驱动电路设计简单,可靠性得到进一步的提高。 碳化硅MOSFET的优势 相同功率等级的硅MOSFET相比,新一代碳化硅MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,
2023-10-17 23:10:02268

氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势

设计出色功效的电子应用时,需要考虑使用新型高性能氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)技术的器件。与电子开关使用的传统硅解决方案相比,这些新型宽带隙技术具有祼片外形尺寸小、导热和热管理性能优异、开关损耗
2023-10-12 16:18:561870

英飞凌如何控制基于SiC功率半导体器件的可靠性呢?

英飞凌如何控制和保证基于 SiC功率半导体器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686

纳米软件半导体测试厂家助力半导体分立器件动态参数测试

半导体动态测试参数是指在交流条件下对器件进行测试,是确保半导体性能、稳定性和可靠性的重要依据。动态测试参数主要有开关时间、开关损耗、反向恢复电流、开关电流、耗散功率等。
2023-10-10 15:23:38278

【转帖】华润微碳化硅/SiC SBD的优势及其在Boost PFC中的应用

的EMI;具有正温度系数的导通电压,有利于器件并联使用过程中的均流,提高并联使用的可靠性。通过在产品设计中合理选择SiC SBD,可以提高产品性能,降低产品的综合成本。 作为国内功率半导体行业的龙头企业
2023-10-07 10:12:26

第三代宽禁带半导体碳化硅功率器件的应用

SiC器件是一种新型的硅基MOSFET,特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。 在众多的半导体器件中,碳化硅材料具有低热导率、高击穿
2023-09-26 16:42:29342

宽带隙半导体器件用作电子开关的优势

本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势,以及如何权衡利弊。主要权衡因素之一是开关损耗开关损耗会被高 di/dt 和 dv/dt 放大,造成电路
2023-09-21 17:09:32316

ROHM | SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列

​ 全球知名半导体制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC SBD”)已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块
2023-09-14 19:15:14351

如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢?

在高功率应用中,碳化硅(SiC)MOSFET与硅(Si)IGBT相比具有多项优势。其中包括更低的传导和开关损耗以及更好的高温性能。
2023-09-11 14:55:31347

意法半导体SiC技术助力博格华纳Viper功率模块设计,为沃尔沃下一代电动汽车赋能

  点击上方  “ 意法半导体中国” , 关注我们 ‍‍‍‍‍‍‍‍ ✦  意法半导体为博格华纳的Viper功率模块提供碳化硅 ( SiC功率MOSFET,支持沃尔沃汽车在2030年前全面实现
2023-09-07 08:10:01407

面向新能源应用的宽带隙新材料和功率模块解决方案

更高的性能 & 电压运行• 极低的功率损耗• 低电流下的高效率• 固有SiC 体二极管(4象限运转)更高的工作频率• 更低的开关损耗• 出色的二极管开关性能更高的工作温度• 可在高达 200°C 的结温下工作
2023-09-07 06:49:53

东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低开关损耗的4引脚封装

点击“东芝半导体”,马上加入我们哦! 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布, 推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅(SiC)MOSFET---
2023-09-04 15:13:401134

功率半导体器件 氧化镓市场正在稳步扩大

调查结果显示,SiC、GaN(氮化镓)等宽带隙半导体单晶主要用于功率半导体器件,市场正在稳步扩大。
2023-09-04 15:13:24364

STI将于2026年在釜山建立功率半导体材料工厂

,该组件是电动汽车的关键组件。 碳化硅 (SiC) 功率半导体应用于控制电动汽车 (EV)、电子产品和5G通信网络中的电流和功率转换方向。由于其耐用性和稳定性,SiC功率半导体正在迅速取代硅 (Si) 功率半导体。 在一份声明中釜山市表示,该工厂将用于生产晶圆等功率半导体材料
2023-08-30 15:46:01372

车规级!碳化硅(SiC)MOSFET,正式开启量产交付

据介绍,瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压(Vgs)为15-18V,可提升应用兼容性,简化应用系统设计。在产品结构上,第二代SiC MOSFET与第一代产品同为平面栅MOSFET,但进一步优化了栅氧化层工艺和沟道设计,使器件比导通电阻降低约25%,并显著降低开关损耗,提升系统效率。
2023-08-23 15:38:01703

SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别 SiC-MOSFET与IGBT的区别

率转换电路中的晶体管的作用非常重要,对其改良可以实现低损耗与应用尺寸小型化。SiC 功率元器件半导体具有低损耗、高速开关、高温工作等优势。
2023-08-23 12:48:23368

一文看懂SiC功率器件

一、什么是SiC半导体?1.SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,而且在器件制作时可以在较宽
2023-08-21 17:14:581144

SiC功率半导体市场,如何才能成为头部玩家?

功率电子领域,要论如今炙手可热的器件,SiC要说是第二,就没有人敢说第一了。随着原有的Si基功率半导体器件逐渐接近其物理极限,由第三代SiC功率器件接棒来冲刺更高的性能,已经是大势所趋。 与传统
2023-08-16 08:10:05270

碳化硅(SiC)火爆!上半年SiC车型销量超120万辆,本土SiC企业上车哪家强?

本土企业开始崭露头角,而日本车企偏向于选择日本供应商。 相比IGBT,SiC功率器件具有更高开关速度、更低开关损耗、更高效率和耐用性等特点,转化为汽车最直观的体验就是续航能力更长,更易于轻量化车身设计。特斯拉率先将SiC用于其爆款车型Model 3上,其也成
2023-08-11 17:07:36465

功率半导体的知识总结(MOSFET/IGBT/功率电子器件/半导体分立器件)

功率半导体包括功率半导体分立器件(含模块)以及功率 IC 等。其中,功率半导体分立器件,按照器件结构划分,可分为二极管、晶闸管和晶体管等。
2023-07-26 09:31:035043

MOS管的开关损耗计算

MOS 管的开关损耗对MOS 管的选型和热评估有着重要的作用,尤其是在高频电路中,比如开关电源,逆变电路等。
2023-07-23 14:17:001215

MOS管的开关损耗计算

CCM 模式与 DCM 模式的开关损耗有所不同。先讲解复杂 CCM 模式,DCM 模式很简单了。
2023-07-17 16:51:224661

TMC2023-车规级功率半导体论坛剧透丨SiC在NEV中的创新型应用

,电驱动系统引入SiC模块如何进一步降低杂散电感,功率器件与模块可靠性如何提升等。以上话题将在SiC在NEV中的创新型应用版块一一研讨。   第十五届汽车动力系统技术年会(TMC2023)暨第二届车规级功率半导体及应用技术论坛 将于7月13-14日在青岛重磅推
2023-06-27 16:06:52586

中国车企下决“芯” 功率半导体全布局

无独有偶,在车规级功率半导体领域布局的车企不止吉利一家。近日,深蓝汽车与斯达半导体达成合作,双方组建了一家名为 " 重庆安达半导体有限公司 " 的全新合资公司,双方将围绕车规级功率半导体模块开展合作,共同推进下一代功率半导体在新能源汽车领域的商业化应用。
2023-06-25 16:47:45556

科友半导体突破8英寸SiC量产关键技术

科友半导体突破了8英寸SiC量产关键技术,在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本、及装备稳定性等方面取得可喜成绩。2023年4月,科友半导体8英寸SiC中试线正式贯通并进入中试线生产,打破了国际在宽禁带半导体关键材料的限制和封锁。
2023-06-25 14:47:29342

突破氮化镓功率半导体的速度限制

突破GaN功率半导体的速度限制
2023-06-25 07:17:49

高效率功率变换成为开关电源的主要选择

开关损耗一直困惑着开关电源设计者,由于功率半导体器件在开关过程中,器件上同时存在电流、电压,因而不可避免地存在开关损耗,如果开关电源中开关管和输出整流二极管能实现零电压开关或零电流开关,则其效率可以明显提高。
2023-06-24 11:02:00227

影响电源效率提升的主要损耗

效率一直以来都是电源领域的研究重点,尤其在一些小体积高功率密度的电源系统中尤为重要。比如,适配器电源、模块电源、服务器用电源等。近年来,第三代GaN半导体的广泛应用,以及功率开关频率的提高,使得
2023-06-23 09:47:00609

半桥GaN功率半导体应用设计

升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21

IGBT及第三代半导体功率器件技术与应用

IGBT技术在功率密度、工作频率、损耗控制等方面不断创新。新一代IGBT产品在提高开关速度、降低开关损耗、增强耐压能力等方面取得了显著进展,提高了系统效率和可靠性。
2023-06-21 11:24:33919

GaN功率半导体在快速充电市场的应用

GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42

GaNFast功率半导体建模资料

GaNFast功率半导体建模(氮化镓)
2023-06-19 07:07:27

三菱电机开始提供工业设备用NX封装全SiC功率半导体模块样品

三菱电机集团近日(2023年6月13日)宣布,将于6月14日开始提供工业设备用NX封装全SiC功率半导体模块的样品。该模块降低了内部电感,并集成了第二代SiC芯片,有望帮助实现更高效、更小型、更轻量的工业设备。
2023-06-15 11:16:28748

一文详解功率半导体

功率半导体器件或模块是电机控制器的心脏。电机控制器、电机和减速器一起组 成电动汽车的电力驱动总成。
2023-06-09 16:48:232758

AEC-Q101|SiC功率器件高温反偏

SiC(碳化硅)功率器件以其耐高温、耐高压、低开关损耗等特性,能有效实现电力电子系统的高效率、小型化、轻量化、高功率密度等要求,受到了新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域的追捧。
2023-06-09 15:20:53499

导入宽带隙半导体 满足高瓦数电源供应需求

益登科技 300W 电源解决方案采用以 SiC/GaN 为材料的 MOSFET 和肖特基势垒二极管,以降低开关损耗和恢复损耗,搭配 PFC 和 LLC 二合一数字控制器,在重负载和轻负载条件下均有优异的效率表现,并且拥有全面的保护功能,包含过压保护、过流保护、开环保护等
2023-06-02 16:03:57214

尽可能地降低 SiC FET 的电磁干扰和开关损耗

Silicon Carbide (UnitedSiC) 发布,该公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商,它的加入促使
2023-05-29 21:05:02291

瞻芯电子SiC功率半导体产品技术提供一站式芯片解决方案

功率半导体和芯片公司,瞻芯电子将携最新碳化硅(SiC)功率半导体、芯片产品和解决方案参展,在N5馆储能技术及装备、逆变器、电源国际品牌馆亮相,并期待与您共同探讨未来的绿色能源发展之路。   瞻芯电子致力于开发碳化硅(SiC)功率器件和模块、栅极驱动芯片、控制芯片产品
2023-05-25 14:59:221125

又一大厂入局!预计2025年量产SiC功率器件

据悉,瑞萨电子将用于处理系统的尖端逻辑半导体的生产外包给代工厂,这些系统的开发和投资成本很高。功率半导体则在内部生产,2014年关闭的甲府工厂也将于2024年上半年重新开始运营,开始生产使用硅的功率半导体
2023-05-24 17:06:241050

中等功率应用是Wolfspeed WolfPACK功率模块“最理想的应用场合”

经过 30 多年的碳化硅(SiC)研发,我们目前的产品组合中包含各种 SiC 肖特基二极管、MOSFET 和功率模块,涵盖了广泛的功率要求。相较于硅(Si)晶体管,出色的载流能力和更低的开关损耗
2023-05-20 16:12:01833

为什么矿机电源对效率和可靠性要求越来越高

作为半导体材料,SiC具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,这便给SiC器件带来了诸多特征参数方面的提升,比如更低的开关损耗和导通损耗,更高的耐压容量,更高的工作频率,更高的工作温度,更高的功率密度等等,而这些都是提升矿机电源功率以及电能转化效率的好办法。
2023-05-19 10:43:22920

特瑞仕开始提供功率半导体SiC肖特基势垒二极管850V/10A样品

特瑞仕半导体是专注于电源IC的模拟CMOS专业集团,Phenitec Semiconductor是特瑞仕半导体的子公司,此产品是由Phenitec Semiconductor开发的SiC SBD芯片搭载于多功能TO-220AC封装投放市场。
2023-05-16 11:32:28190

安森美上车“极氪”,半导体大厂积极布局车用SiC市场

半导体厂Onsemi于今年四月底宣布与中国吉利汽车集团旗下的极氪汽车签署SiC功率元件LTSA(Long-Term Supply Agreement),极氪车款未来将藉由搭载Onsemi提供
2023-05-16 08:42:16250

碳化硅功率器件测试

碳化硅功率半导体器件具有耐压高、热稳定好、开关损耗低、功率密度高等特点,被广泛应用在电动汽车、风能发电、光伏发电等新能源领域。近年来,全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国
2023-05-15 10:04:53804

功率半导体技术现状及其进展

功率半导体技术经过 60 余年发展,器件阻断能力和通态损耗的折衷关系已逐渐逼近硅基材料物理极限,因此宽禁带材料与器件越来越受到重视,尤其是以碳化硅(SiC)和氮化镓 (GaN) 为代表的第 3 代半导体材料为大功率半导体技术及器件带来了新的发展机遇。
2023-05-09 14:27:552715

第三代半导体SIC产业链研究(下)

半导体SiC
电子发烧友网官方发布于 2023-04-25 17:57:10

第三代半导体SIC产业链研究(上)

半导体SiC
电子发烧友网官方发布于 2023-04-25 17:50:53

浅谈降低MOSFET损耗和及EMI性能提高

MOSFET作为主要的开关功率器件之一,被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析,有利于优化MOSFET损耗,提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗
2023-04-18 09:22:021248

国内功率半导体需求将持续快速增长

技术及工艺的先进性,还较大程度上依赖进口,未来进口替代空间较大。从中长期看,国内功率半导体需求将持续快速增长。根据前瞻产业研究院预测,到2026年分立器件的市场需求将超过3,700亿元。近年来物联网
2023-04-14 13:46:39

碳化硅SiC MOSFET:低导通电阻和高可靠性的肖特基势垒二极管

Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成格子花纹(check-pattern embedded SBD),以降低导通电
2023-04-11 15:29:18

「芝·解车」蔚来汽车SiC电驱动系统拆解

电机控制器整体重量低于7.5kg,厚度76mm,功率密度为34kW/kg,SiC用在车用逆变器上,可以使开关损耗降低75%(芯片温度为150°C)。在相同封装下,全SiC模块具备更高的电流输出能力,支持逆变器达到更高功率
2023-03-30 09:39:251229

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC SBD”)已被成功应用于大功率模拟模块制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13

MOSFET开关损耗的计算方法

MOS管在电源应用中作为开关用时将会导致一些不可避免的损耗,这些损耗可以分为两类。
2023-03-26 16:18:555700

第三代半导体SiC模块厂商中科意创完成数千万元A+轮融资

,芯片支撑系统”模式布局第三代半导体 SiC 功率模块以及系统应用,基于STPAK 封装的SiC 模块取得了非常不错的市场成绩。而且中科意创成功研发了国内首台ASIL-D最高功能安全等级的SiC电机控制器,并获得了国内首张ASIL-D产品认证证书。 对
2023-03-24 18:24:394106

已全部加载完成