：60V - 最大工作电流：6A - 开通时内阻：27mΩ（在VGS=10V,VGS=20V时） - 门极阈值电压：1.5V &n
2024-03-19 15:44:12
**VBsemi FDS9945S-NL-VB MOSFET芯片**- **丝印:** VBA3638- **品牌:** VBsemi- **参数:** - 2个N沟道MOSFET管，额定
2024-03-19 15:34:16
型号: D3N04H-VB丝印: VBA3638品牌: VBsemi参数:- 2个N-Channel沟道- 额定电压: 60V- 额定电流: 6A- RDS(ON): 27mΩ @ VGS=10V
2024-03-16 16:37:54
=20V时）- 阈值电压：1.5V封装：SOP8应用简介：AM9945N-T1-PF-VB是一款具有2个N沟道的场效应晶体管，工作电压为60V，最大电流为6A。以下
2024-03-12 17:38:52
器件型号: AM4942N-T1-PF-VB丝印: VBA3638品牌: VBsemi参数:- 类型: 2个N-Channel沟道- 最大工作电压: 60V- 最大电流: 6A- 开通电阻: 27m
2024-03-12 16:32:00
全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 。 一、OC6700B的特点1、宽输入电压范围：2.6V~60Vu 2、内置 60V 功率 MOSu 3、最大工作频率：1MHzu&n
2024-02-22 17:30:38
Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08353 
**STP9N60M2-VB**- **丝印：** VBM165R12- **品牌：** VBsemi- **参数：** - 封装：TO220 - 沟道类型：N
2024-02-20 11:01:43
**详细参数说明：**- 型号：IPD15N06S2L-64-VB- 丝印：VBE1638- 品牌：VBsemi- 封装：TO252- 类型：N-Channel沟道- 额定电压：60V- 额定电流
2024-02-20 10:34:34
;- 类型：N—Channel沟道 - 额定电压：60V - 额定电流：60A - RDS(ON)：9mΩ @ VGS=10V, 20
2024-02-19 17:58:28
**TPC8206-VB****丝印：** VBA3638 **品牌：** VBsemi **参数：** SOP8；2个N—Channel沟道, 60V；6A；RDS
2024-02-19 17:14:38
**1N60-TO251-VB****丝印：** VBFB165R02 **品牌：** VBsemi **参数：** TO251；N—Channel沟道, 650V；2
2024-02-19 15:47:39
VBsemi IRFR2905ZTRPBF-VB N—Channel MOSFET 参数：- 封装：TO252- 沟道类型：N—Channel- 最大电压：60V- 最大电流：60A- RDS
2024-02-19 10:46:42
VBsemi FQD60N03L-VB MOSFET 参数：- 封装：TO252- 沟道类型：N—Channel- 最大电压：30V- 最大电流：60A- RDS(ON)：10mΩ @ VGS
2024-02-03 14:10:10
VBsemi STD3NK60Z-1-VB MOSFET 参数：- 封装：TO251- 沟道类型：N—Channel- 最大电压：650V- 最大电流：2A- RDS(ON)：4300m
2024-02-03 13:48:58
主要是：电子设备和消费类电子产品等模块供电，包括：BMS POE GPS仪器仪表 车充等等，它们有低功耗，大电流，大功率等特点，往往需要24V 36V 48V 60V 72V 100V 120V
2024-01-20 15:30:35
随着科技的不断进步，电动车控制器芯片作为电动车的核心部件，其性能和品质对于电动车的性能和安全性至关重要。SL3038 耐压150V恒压芯片是一款高效、可靠的降压IC，适用于60V、72V、90V等
2024-01-18 16:54:36
支持宽电压输入的开关降压型DC-DC，芯片内置100V/5A功率MOS，最高输入电压90V。SL3036具有低待机功耗、高效率、低纹波、优异的母线电压调整率和负载调整率等特性。支持大电流输出，输出电流
2024-01-16 17:23:43
1、请问为什么同一个信号输进去ADE7753的 V1N、V1P 和V2N、V2P。MODE = 0x4088，VRMS寄存器的数据会有2%的跳动，而IRMS寄存器里面的跳动只有0.5% 以下的跳动
2023-12-26 08:07:05
型号: 2SK1590-VB丝印: VB162K品牌: VBsemi参数: N沟道, 60V, 0.3A, RDS(ON) 2800mΩ @ 10V, 3000mΩ @ 4.5V, 20Vgs
2023-12-21 16:06:28
型号：2N7002-VB丝印：VB162K品牌：VBsemi参数说明：- N沟道- 额定电压：60V- 最大电流：0.3A- 静态导通电阻(RDS(ON))：2800mΩ@10V, 3000m
2023-12-21 11:18:54
型号：FDG6303N-VB丝印：VBK3215N品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：2个N沟道- 额定电压：20V- 额定电流：2A- 静态导通电阻（RDS(ON)）：150mΩ @ 4.5V
2023-12-21 10:44:17
型号：2N7002CK-VB丝印：VB162K品牌：VBsemi参数说明：- 类型：N沟道- 额定电压：60V- 最大电流：0.3A- 静态导通电阻（RDS(ON)）：2800mΩ @ 10V
2023-12-20 16:05:17
型号：FQD20N06LE-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi参数：N沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V
2023-12-20 15:54:40
型号：CEM4228-VB丝印：VBA3638品牌：VBsemi参数：- 2个N沟道 MOSFET- 额定电压：60V- 最大持续电流：6A- 静态导通电阻 (RDS(ON))：27mΩ @ 10V
2023-12-20 15:18:25
Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 阈值电压（Vth）：2V- 封装类型：TO252应用简介：SPD09N05-VB是一款N沟道功率MOSFET，适用于多
2023-12-20 11:18:21
, 20Vgs (±V)- 阈值电压：2.4V- 封装：TO251**详细参数说明：**FQU30N06L-VB是一款N沟道MOSFET，最大耐压为60V，最大电流为25
2023-12-20 10:55:14
型号：SUD40N06-25L-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi参数：N沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V
2023-12-20 10:35:17
Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 阈值电压：2V (Vth)- 封装：TO252应用简介:FQD2N60C-VB是一款高压N沟道MOSFET器件，适用于多种高电压应用
2023-12-19 15:34:59
型号: NDS9945-NL-VB丝印: VBA3638品牌: VBsemi参数:- 2个N沟道- 额定电压：60V- 最大电流：6A- 开通电阻：27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V
2023-12-19 11:48:35
, 20Vgs (±V)- 阈值电压：1.8V (Vth)- 封装：TO252应用简介:FQD30N06-VB是一款高性能N沟道功率MOSFET，适用于广泛的高电压和高电流
2023-12-19 11:37:24
, 20Vgs (±V)- 阈值电压：1.8V (Vth)- 封装：TO252应用简介:4N06L30-VB是一款N沟道功率MOSFET，适用于各种高功率和高电压应用。这款器
2023-12-19 11:22:53
根据提供的型号和参数，以下是对该 MOSFET 型号 IPD90N04S4-05-VB 的详细参数和应用简介：**型号：** IPD90N04S4-05-VB**丝印：** VBE1405**品牌
2023-12-18 17:18:54
型号：STN4828-VB丝印：VBA3638品牌：VBsemi参数说明：- 2个N沟道- 额定电压：60V- 最大电流：6A- RDS(ON)：27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V
2023-12-18 11:54:00
）：** 60V，表示MOSFET的耐压上限，可用于需要较高电压的电路。- **持续电流（ID）：** 45A，表示MOSFET可以承受的最大电流。- **导通电阻（RDS(O
2023-12-18 09:05:59
型号：2N7002WT1G-VB丝印：VBK162K品牌：VBsemi参数说明：- MOSFET类型：N沟道- 额定电压：60V- 最大电流：0.35A- 导通电阻（RDS(ON)）：1800m
2023-12-15 11:14:04
型号：MGSF2N02ELT1G-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：- MOSFET类型：N沟道- 额定电压：20V- 最大电流：6A- 导通电阻（RDS(ON)）：24m
2023-12-14 16:48:20
型号：2N7002LT1G-VB丝印：VB162K品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：N沟道- 额定电压：60V- 最大连续电流：0.3A- 静态开启电阻（RDS(ON)）：2800m
2023-12-14 16:06:16
Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 阈值电压 (Vth)：2~4V- 封装：TO220F应用简介：2SK3148-VB是一款N沟道MOSFET，具有较高的额定电压
2023-12-14 13:35:18
、12mΩ @ 4.5Vgs- 阈值电压（Vth）：1.9V- 封装类型：TO263应用简介：STB60N06-14-VB是一款高性能的N沟道MOSFET（金属氧
2023-12-14 09:42:47
Ω @ 10Vgs、3000mΩ @ 4.5Vgs- 阈值电压（Vth）：1.6V- 封装类型：SOT23应用简介：2N7002ET1G-VB是一款小功率N沟道MOSFET（金属
2023-12-13 17:31:52
详细参数说明：- 型号：FDC6301N-VB- 丝印：VB3222- 品牌：VBsemi- 参数：2个N沟道, 20V, 4.8A, RDS(ON), 22mΩ @ 4.5V, 28m
2023-12-13 15:26:20
Ω@4.5V, 20Vgs(±V)；1.5Vth(V)；SOP8NCE6005AS-VB是一款VBsemi品牌的N沟道功率MOSFET。它具有2个N沟道，工作电压为60V，
2023-12-13 15:01:50
UT3N06G-AE3-R (VB1695)参数说明：N沟道，60V，4A，导通电阻85mΩ@10V，96mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT23。应用简介
2023-12-13 11:27:23
IRFR1205TRPBF (VBE1638)参数说明:极性：N沟道；额定电压：60V；最大电流：45A；导通电阻：24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V；门源电压范围：20Vgs (±V
2023-12-08 15:21:47
BSS138-NL 参数：N沟道, 60V, 0.3A, RDS(ON) 2800mΩ@10V, 3000mΩ@4.5V, 20Vgs(±V), 1.6Vth(V), SOT23 应用简介
2023-12-06 14:02:30
2V7002KT1G 参数：N沟道, 60V, 0.3A, RDS(ON) 2800mΩ@10V, 3000mΩ@4.5V, 20Vgs(±V), 1.6Vth(V), SOT23应用简介
2023-11-30 16:46:14
RSR020N06TL是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，10V时的RDS(ON)参数为85mΩ，4.5V时为96mΩ，电压限制
2023-11-30 14:19:32
达 90%固定 500kHz 频率热关断逐周期过流保护宽输入电压范围：5.5~60V采用SOT23-6 封装
应用:电表分布式电源系统电池充电器线性稳压器的预调节
原理图
2023-11-21 15:30:37
N沟道MOSFET截止，电感电流下降，电感中的能量转移到电池中。当电感电流下降到外部电流检测电阻设置的下限时，外置N沟道MOSFET再次导通，如此循环。当BAT管脚电压第一次达到内部设置的8.4V
2023-11-21 12:14:43
型号 30N06L-VB 丝印 VBE1638 品牌 VBsemi 参数 N沟道、60V、45A、RDS(ON)、24m
2023-11-20 17:21:08
该型号 FDS8949-NL-VB，丝印为 VBA3638，是VBsemi品牌生产的一款电子元器件。其参数为2个N沟道、60V、6A，RDS(ON)为27mΩ@10V、32mΩ@4.5V，20Vgs
2023-11-16 11:56:40
型号 IPD26N06S2L-35-VB丝印 VBE1638品牌 VBsemi参数说明 极性 N沟道
2023-11-13 11:48:57
型号 STB60N06-14-VB丝印 VBL1615品牌 VBsemi参数 沟道类型 N沟道 最大耐压
2023-11-13 10:26:09
型号 2N7002ET1G-VB丝印 VB162K品牌 VBsemi参数 沟道类型 N沟道 最大耐压
2023-11-11 11:43:37
型号 FDC6301N-VB 丝印 VB3222 品牌 VBsemi 参数 2个N沟道, 20V, 4.8A, RDS
2023-11-10 11:03:13
该型号为VBsemi品牌的N沟道晶体管IPD30N06S2L-13-VB，丝印为VBE1638。其详细参数说明和应用简介如下 电压 60V 电流
2023-11-09 15:55:51
型号 30N06L-VB 丝印 VBE1638 品牌 VBsemi 参数 N沟道、60V、45A、RDS(ON)、24m
2023-11-08 17:17:38
ISL9N310AD3ST-VB是一款VBsemi品牌的N沟道功率MOSFET。丝印为VBE1307，具有以下详细参数 额定电压（Vds） 30V
2023-11-08 15:51:23
详细参数说明 型号: 2SK3105-T1B-A-VB 丝印: VB1330 品牌: VBsemi 参数: N沟道,30V,6.5A,RDS
2023-11-08 11:12:50
型号描述中文"型号 FQU15N06L-VB 丝印 VBFB1630 品牌 VBsemi 参数 N沟道,60V
2023-11-07 11:15:33
型号 UD6004 丝印 VBE1638 品牌 VBsemi 参数 沟道类型 N沟道 额定电压 60V 额定电流 45A 导通电阻 24m
2023-11-06 10:09:50
型号 2SK1273丝印 VBI1695品牌 VBsemi参数 频道类型 N沟道 额定电压 60V 额定电流 5A RDS(ON) 76mΩ @ 10V，88mΩ @ 4.5V 门源电压
2023-11-06 09:50:38
AM4902NT1PF详细参数说明 极性 2个N沟道 额定电压 60V 额定电流 6A 导通电阻 27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 阈值电压
2023-11-03 10:11:50
型号 ME35N06G丝印 VBE1638品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 45A 导通电阻 24mΩ@10V, 28mΩ@4.5V
2023-11-02 16:05:38
型号 2SK2415ZE1AZ丝印 VBE1695品牌 VBsemi参数 频道类型 N沟道 额定电压 60V 额定电流 18A RDS(ON) 73mΩ @ 10V，85m
2023-11-02 09:48:45
电压范围 ±20V 门源阈值电压 1.6V 封装类型 TO252应用简介 B09N03A（丝印 VBE1307）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。
2023-11-01 15:27:17
型号 AO4882丝印 VBA3410品牌 VBsemi详细参数说明 类型 2个N沟道MOSFET 最大耐压 40V 最大电流 12A 导通电阻 15mΩ @10V, 20m
2023-10-31 15:35:39
型号 2SK4033丝印 VBE1695品牌 VBsemi参数 N沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO252该产品具有
2023-10-30 15:04:52
AO4828详细参数说明 极性 2个N沟道 额定电压 60V 额定电流 6A 导通电阻 27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 阈值电压
2023-10-30 10:36:46
型号 SQ9945BEYT1GE3丝印 VBA3638品牌 VBsemi详细参数说明 类型 2个N沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 6A 导通电阻 27mΩ @10V
2023-10-28 15:05:44
FDC5661N详细参数说明 - 极性 N沟道- 额定电压 60V- 额定电流 7A- 导通电阻 30mΩ @ 10V, 35mΩ @ 4.5V- 门源电压 20Vgs (±V
2023-10-27 17:10:05
输出、输出功率1~~~3W的隔离电源。
VPS8504N内部集成振荡器，提供一对高精度互补信号以驱动两个N沟道MOSFET。芯片内部按照对称结构设计，能有效确保两个功率MOSFET的高度对称性，避免
2023-10-12 09:38:22
。ZXMS6008N8 非常适合在标准 MOSFET 不够坚固的恶劣环境中作为由 3.3V 或 5V 微控制器驱动的通用开关。 产品规格 品
2023-09-25 11:11:04
ZXMS6001N3 产品简介DIODES 的 ZXMS6001N3 适用于VIN=5V应用的低输入电流自保护低侧MOSFET。单片过温、过电流、过电压（有源箝位）和ESD保护逻辑级功能
2023-09-24 13:33:30
2N7002DWS 产品简介DIODES 的 2N7002DWS 该 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想
2023-09-23 14:54:19
DMT6010LPS 产品简介DIODES 的 DMT6010LPS 这款新一代 n 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合
2023-09-18 15:18:40
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
下载器3.3V的N76E003是5V供电下载不成功N76E003换3.3就可以了，用到的信号需要做电平转换才可以吗？
2023-09-01 09:59:27
Neoverse™N2内核是一款高性能、低功耗的产品，采用ARM®v9.0-A架构。
此实施支持所有以前的ARMv8-A架构实施，包括ARM®v8.5-A。
Neoversedsu n2核心在
2023-08-29 08:12:31
STF140N6F7内容简介STF140N6F7 是ST/意法的一款功率MOSFET电子元器件，为广泛的电压范围（30V至350V）应用提供了卓越的解决方案。采用TO-220FP封装，以其N沟道结构
2023-08-21 16:34:33
器件描述：漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 栅源极阈值电压：4.5V @ 50uA 漏源导通电阻：2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散
2023-08-21 10:49:56
新宇宙™ N2是一款高性能、低功耗的产品，采用Arm®v9.0-a架构。此实现支持Arm®v8.6‑A之前的所有Armv8-A体系结构实现。
2023-08-11 06:47:56
本文件描述了NeoverseTM N2汽车参考堆栈的底层硬件架构。
本文件适用于计划评估和使用NeoverseTM N2汽车参考堆栈的软件、硬件和系统工程师。重点是了解NeoverseTM N2汽车
2023-08-10 06:25:36
2. 本文介绍在NEVER N2中实施的不同性能监测单位(PMU)活动的行为。 NEVER N2有6个可编程32位计数器(对应0-5),每个计数器可编程以计数本文件所描述的PMU事件之一
2023-08-09 06:07:35
快（低开关损耗），极低的正向压降（低电压损耗），而且反向耐压低，通常小于60V，适用于低压（不高于12V）开关电源。
1N5819二极管的另一个用途是利用其反向特性来稳定电压。因此，当耐压低且电流
2023-07-31 16:07:44
想做一个120V 10A 1200W的电子负载，原本想用5个IRFP4568 5个管子分开控制也就是每个2A，但是后来发现电压超过60V后
就会经常烧管子。但是管子承载的功率60V*2A=120W远远没有达到规格书上所说的PD 517W，这是为什么，不应该是驱动导致的吧？求大神们解惑！
2023-07-31 11:32:44
NP90N06VLK60 V - 90 A - N 沟道功率 MOS FET 应用：汽车
2023-07-07 18:40:17
0 NP90N06VDK60 V - 90 A - N 沟道功率 MOS FET 应用：汽车
2023-07-07 18:40:020 –60V、–10、P 沟道热 FET 电源开关
2023-07-05 18:56:510 嗨，
我正在尝试使用 2N7000 晶体管切换一些 12v 设备。整个电路工作正常，但我的 ESP 变得非常热（超过 50 C）。目前我在 GPIO 和 GND 之间只有下拉电阻。但是，我认为热量
2023-04-28 06:59:43
我想用A2T27S020N实现1420M-1530M的功率放大，需要线性达到6W功率。目前这款功放还没有大功率型号。没有模型吗？
2023-04-26 06:18:02
概述 SL3036 是一款支持宽电压输入的开关降压型DC-DC，芯片内置100V/5A功率MOS，最高输入电压90V。SL3036具有低待机功耗、高效率、低纹波、优异的母线电压调整率和负载调整率等
2023-04-15 09:41:48
电子发烧友App
工商网监
评论