近期，2家台湾企业正在加速推进其SiC模块工厂的建设
2024-03-18 10:52:32
338 
利用 SiC 功率器件开关频率高、开关损耗低等优点, 将 SiC MOSFET 应用于水下航行器大功率高速电机逆变器模块, 对软硬件进行设计。
2024-03-13 14:31:4667 
为满足快速发展的电动汽车行业对高功率密度 SiC 功率模块的需求，进行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全桥 SiC 功率模块设计与开发，提出了一种基于多叠层直接键合铜单元的功率模块封装方法来并联更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03376 
IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。
2024-03-08 10:11:40496 
和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压 大、开关频率高等诸多优点,因而适用于更高工作频 率的功率器件。但这些优点同时也给SiC功率器件的互连封装带来了挑战。
2024-03-07 14:28:43103 
采用多芯片并联的SiC功率模块，会产生较严重的电磁干扰和额外损耗，无法发挥SiC器件的优良性能；SiC功率模块杂散参数较大，可靠性不高。 （2）SiC功率高温封装技术发展滞后。
2024-03-04 10:35:49130 
在高压600V，额定电流10A的压缩机电机控制中，IGBT经常烧坏，主要有哪些原因导致它损坏。
2024-02-22 17:58:38
安全可靠的运行带来影响。因此针对基于SiC MOSFET的储能变流器功率单元，重点研究了其低感设计和散热设计方法，并提出了功率单元的整体设计方案。通过优化叠层母排的结构，将高压交流模块与低压直流模块
2024-02-22 09:39:26435 
SiC MOSFET模块目前广泛运用于新能源汽车逆变器、车载充电、光伏、风电、智能电网等领域[2-9] ，展示了新技术的优良特性。
2024-02-19 16:29:22206 
ADRS1000是一款由Addvalue和AVI联合开发的直接采样可重构无线通信模块（SOM）。
2024-01-03 14:19:29167 
关键技术-SiC门驱动回路/电容器
通过SiC门驱动回路优化设计提升性能和强化保护功能通过采用电容器P-N BUSBAR叠层设计减少寄生电感
2024-01-02 11:36:24116 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361219 摘 要：针对Boost变换器中SiC(碳化硅)与IGBT模块热损耗问题，给出了Boost电路中功率模块热损耗的估算方法，并提供了具体的估算公式。以30kW DC/DC变换器为研究对象，对功率模块
2023-12-14 09:37:05471 
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出采用SOT-223-3小型封装(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐压Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08242 
1000h SiC MOSFET体二极管可靠性报告
2023-12-05 14:34:46210 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近日理想汽车在招聘信息中披露，公司在新加坡成立功率器件研发办公室，目前公开四个技术岗，包括SiC功率模块失效分析/物理分析专家、SiC功率模块工艺专家、SiC功率模块
2023-12-04 06:47:00820 SiC FET神应用，在各种领域提高功率转换效率
2023-11-30 09:46:11151 
2023年11月，日本三菱电机、安世半导体（Nexperia）宣布，将联合开发高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立产品功率半导体。
2023-11-25 16:50:53451 虽然是同一电力半导体公司，但是三菱电机与安世半导体的另一个焦点、电子电力半导体为中心的“各离散元件的组合”，高性能sic模块产品的信赖性的性能提供业界名声；onse半导体元件的开发、生产、认证领域具有几十年的丰富经验。目前还提供高品质的宽带配件。
2023-11-24 12:28:54282 SiC驱动器模块具有较低的功耗、高温运行能力和快速开关速度等优势，使其在下一代功率器件中有着广阔的应用前景。SiC驱动器模块可以用于电动车的电力系统、可再生能源转换系统、工业电力电子装置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257 
三菱电机今天宣布，将与安世半导体建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅 (SiC) 功率半导体。
2023-11-15 15:25:52473 
意法半导体(STMicroelectronics)发布了ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)功率模块，采用方便的32引脚双列直插式模制通孔封装，适用于汽车应用。针对车载充电器 (OBC
2023-11-14 15:48:49356 美格纳半导体宣布推出微纳加工增强型第六代 600V 超级结金属氧化物半导体场效应晶体管 (SJ MOSFET)。 这款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 本文将详细介绍各大主机厂在SIC/IGBT模块上的布局，以及现在的产能应用情况等，探讨车企大规模进入功率半导体行业背后的原因，助力车规级功率半导体产业的健康持续发展。
2023-11-02 11:40:30296 
中国– 意法半导体发布了ACEPACK DMT-32系列车规碳化硅(SiC)功率模块，新系列产品采用便捷的 32 引脚双列直插通孔塑料封装，目标应用是车载充电机(OBC)、DC/DC直流变压器、油液
2023-10-30 16:03:10262 －通孔式小型封装有助于减小表贴面积和电机电路板尺寸－ 中国上海， 2023 年 10 月 26 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款600V小型智能功率器件
2023-10-27 16:18:50791 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出了两款600V小型智能功率器件(IPD)产品，适用于空调、空气净化
2023-10-27 11:13:00301 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空调、空气净化器和泵等直流无刷电机驱动应用。
2023-10-27 11:05:54657 
1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求
2、车规级功率模块封装的现状
3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装
4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419 
改变功率模块市场。通过用宽带隙碳化硅（SiC）取代标准半导体中使用的硅，它们有可能将半导体功率模块的适用性扩展到更高功率、更高温度的用例。 碳化硅不辜负其高期望，到2026年占据功率模块市场25%的份额 ^1^ ，开发人员将不得不克服几个挑战。首先，他们
2023-10-23 16:49:36372 
三菱电机将投资Coherent的新SiC业务； 旨在通过与Coherent的纵向合作来发展SiC功率器件业务。 三菱电机集团近日（2023年10月10日）宣布已与Coherent达成协议，将SiC
2023-10-18 19:17:17368 解更多公司，建议查询相关网站。 sic功率半导体技术如何实现成果转化 SIC功率半导体技术的成果转化可以通过以下途径实现： 与现有产业合作：寻找现有的使用SIC功率半导体技术的企业，与他们合作，共同研究开发新产品，将技术转化为商业化
2023-10-18 16:14:30586 功率分立器件通常用于低功率/低电压应用，其功率从毫瓦级别到上千瓦，电压从1伏以下到600伏以上。功率模块有最大的应用范围，从几百瓦到兆瓦级，从48伏到几千伏，涵盖消费电子、工业控制、新能源汽车、交通运输、高铁、发电变电输电储能等众多领域。
2023-10-12 12:44:27218 
英飞凌如何控制和保证基于 SiC 的功率半导体器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686 
的SiC SBD产品，Comp. A是国际一品牌同规格SiC SBD产品，而Comp. B是国际一线品牌的Si FRD。常温下，在整个功率范围内，CR Micro和Comp. A的SiC SBD效率相当
2023-10-07 10:12:26
电子发烧友网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:50
0 基于峰岹的FU6813主控芯片和智能功率模块SPE10S60F-A（600V/10A）的波轮洗衣机控制方案，FU6813是一款集成电机控制引擎(ME)和8051内核的高性能电机驱动专用芯片，内置高
2023-09-20 17:03:22
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
全球知名半导体制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC SBD”)已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块
2023-09-14 19:15:14351 本文研究SiC碳化硅功率模块及分立器件，功率模块主要包括碳化硅MOSFET模块（SiC MOSFET Module），分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二极管（主要是碳化硅肖特二极管）。
2023-09-08 11:30:451805 
据沃尔沃汽车集团政府消息，臻驱科技投资由力沃尔沃汽车科技基金在电子领域；特别是碳化硅电力模块领域投资的第一个项目投资直接力量沃尔沃汽车电子和流域年均功率能力提高和开发效率
2023-09-08 10:58:20306 赛晶科技表示，为电动汽车应用量身定做的HEEV封装SiC模块，导通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高达250kW电驱系统，并满足电动汽车驱动系统对高功率、小型化和高可靠性功率的需求。
2023-09-02 09:42:41316 
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布， 推出业界首款 [1] 2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:07254 
中国上海， 2023 年 8 月 29 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3
2023-08-29 15:26:55903 
去年，功率 SiC 市场宣布了一系列具有影响力的合作，有趣的是，不仅是在之前看到的晶圆和材料层面，而是在整个功率 SiC 生态系统中。
2023-08-25 17:35:49984 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（下称“Toshiba”）推出了两款适用于直流无刷电动机应用领域的600V小型智能功率元件(IPD
2023-08-25 11:20:34496 范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为
2023-08-21 17:14:581144 
器件描述：漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 栅源极阈值电压：4.5V @ 50uA 漏源导通电阻：2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散
2023-08-21 10:49:56
8月3日，致瞻科技与韩国知名企业INTECH FA举行了战略合作协议签署仪式，双方就加深合作达成一致，共同致力于将碳化硅功率模块，新能源车电驱和新型高功率密度电源模块等行业领先的产品推向韩国、日本、东南亚、以及北美市场。
2023-08-08 10:44:44336 供应ID5S609SEC-R1 600V高低侧栅极驱动芯片可代换IR2304，提供id5s609芯片资料关键参数 ，广泛应用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、半桥功率逆变器
2023-07-20 14:20:134 供应ID7U603SEC-R1 600V半桥MOS栅极驱动IC，提供ID7U603规格书关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向芯朋微代理商深圳市骊微电子申请。>>
2023-07-20 14:11:044 供应ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片可代换IR2104，提供ID7U603SEC-R1关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向芯朋微代理商深圳市骊微电子申请。>>
2023-07-20 14:10:05
RJS6005TDPP-EJ 数据表 (600V - 15A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-07-13 18:54:020 RJS6004TDPP-EJ 数据表 (600V - 10A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-07-13 18:53:520 RJS6004WDPK 数据表 (600V - 20A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-07-13 18:51:450 RJS6005WDPK 数据表 (600V - 30A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode )
2023-07-13 18:49:070 同时实现业界超快反向恢复时间和业界超低导通电阻，可进一步降低工业设备和白色家电的损耗 ROHM的600V耐压Super Junction MOSFET PrestoMOS 产品阵容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 所提出的稳压器的主要技术功能是稳压。它能够将0至600Vdc的输入电压稳定为100至560Vdc，最大电流为800mAdc，最大功耗为100W。该装置还具有良好的稳定性，在恒定输入电压0分钟后稳定性小于1.15%，并且抑制输入纹波大于60dB。
2023-07-07 15:32:081461 
的MOSFET系统快一个数量级）。假设典型的600V高压轨，这会导致（600V/5ns）= 120kV/μs的开关瞬态。
2023-06-28 14:33:33275 
20+场报告，涵盖材料、封装、应用和技术趋势4大板块。 当前各大车企及Tier1均已布局或采用SiC功率器件与模块，以提高补电效率和续航里程，但同时也带来了新的技术挑战。如SiC器件导入如何提高效率
2023-06-27 16:06:52586 
SiC JBS二极管提供卓越的功能，包括但不限于高温操作，高阻断电压和快速开关能力。本文档介绍高级交换与SiC肖特基二极管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二极管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
GeneSiC高速高压SiC驱动大功率创新
2023-06-16 11:08:58
三菱电机集团近日（2023年6月13日）宣布，将于6月14日开始提供工业设备用NX封装全SiC功率半导体模块的样品。该模块降低了内部电感，并集成了第二代SiC芯片，有望帮助实现更高效、更小型、更轻量的工业设备。
2023-06-15 11:16:28748 线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品，于今日开始批量出货。 通过对栅极设计和工艺进行优化，与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品的
2023-06-13 16:38:50712 
三菱电机集团近日（2023年6月1日）宣布，其开发出一种集成SBD的SiC-MOSFET新型结构，并已将其应用于3.3kV全SiC功率模块——FMF800DC-66BEW，适用于铁路、电力系统等大型
2023-06-09 11:20:09365 
近日，赛晶首款车规级SiC模块——HEEV封装SiC模块亮相德国纽伦堡电子展（PCIM Europe 2023)，引发国内外与会专家、客户的广泛关注。HEEV封装SiC模块来自高效电动汽车模块平台
2023-05-31 16:49:15351 
随着电子技术的不断发展，硅碳化物（SiC）功率模块逐渐在各领域获得了广泛应用。SiC功率模块具有优越的电性能、热性能和机械性能，为高性能电子设备提供了强大的支持。本文将重点介绍SiC功率模块的封装技术及其在实际应用中的优势。
2023-04-23 14:33:22840 
碳化硅（SiC）器件是一种新兴的技术，具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙，允许更高的电压阻断，并使其适用于高功率和高电压应用。此外，SiC还具有比Si更低的热阻，这意味着它可以更有效地散热，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161468 ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的这些产品将有助于应用的小型化并提高模块的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 供应ups逆变器igbt单管SGT60N60FD1P7 ，提供SGT60N60FD1P7 600v 60a规格书参数 ，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-04-04 10:39:344 供应ups逆变器中的igbt管600v 60a SGT60N60FD1P7，是士兰微IGBT代理，提供SGT60N60FD1P7关键参数 ，可应用于光伏，变频器，UPS,SMPS以及PFC等领域，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-04-04 10:37:48
供应电机常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐压600V 50A，提供SGTP50V60FD2PU关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微 电子申请。>>
2023-04-03 17:24:105 供应50a 600v igbt 驱动电路SGTP50V60FD2PF，提供SGTP50V60FD2PF关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 17:15:592 供应IGBT 50A 600V 型号SGTP50V60FD2PF-士兰微驱动电机igbt，提供SGTP50V60FD2PF关键参数 ，可应用于光伏，变频器，UPS,SMPS以及PFC等领域， 更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理商骊微电子申请。>>
2023-04-03 17:14:31
供应igbt伺服电机驱动管SGT30T60SD3PU 600V、30A，是士兰微IGBT代理商，提供SGT30T60SD3PU关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-04-03 17:07:50
供应600v 30a igbt模块直流充电机SGT30T60SD1FD代换IGP15T60F，提供SGT30T60SD1FD代换IGP15T60F关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 16:15:051 供应IGP15T60F替代料SGT30T60SD1FD 600v 30a PFC电路igbt，提供SGT30T60SD1FD关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微 电子申请。>>
2023-04-03 16:13:31
供应全桥逆变IGBT耐压600V、20A SGT20T60SDM1P7，提供SGT20T60SDM1P7关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 16:02:491 供应士兰微焊机IGBT单管 驱动SGT20T60SDM1P7 20A、600V参数，提供SGT20T60SDM1P7 关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 16:01:10
供应SGT20T60SD1F 20A、600V igbt单管开关逆变器，提供SGT20T60SD1F关键参数 ，是士兰微IGBT代理商，更多产品手册、应用料资请向骊微 电子申请。>>
2023-04-03 15:40:25
供应士兰微igbt 600V 20a SGT20T60SD1S用于驱动电机的igbt晶体管，提供SGT20T60SD1S关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 15:27:47
供应士兰微igbt SGT15T60SD1S 600v 15a单相半桥逆变，提供SGT15T60SD1S igbt关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微 电子申请。>>
2023-04-03 15:22:02
供应igbt单管逆变焊机SGTP5T60SD1F 5A、600V 型号及参数，提供SGTP5T60SD1F关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微 电子申请。>>
2023-04-03 15:05:15
供应5a、600v耐压igbt SGTP5T60SD1DFS可代换AOD5B65M1 ，提供SGTP5T60SD1DFS规格书参数 ，可应用于光伏，变频器，UPS,SMPS以及PFC等领域，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理商骊微电子申请。>>
2023-04-03 14:48:131 供应SGTP5T60SD1D国产 igbt 600v、5a可兼容替代AOD5B65M1 ，提供SGTP5T60SD1D关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 14:43:53
RJS6005TDPP-EJ 数据表 (600V - 15A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-03-30 19:24:000 RJS6004TDPP-EJ 数据表 (600V - 10A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-03-30 19:23:430 RJS6004WDPK 数据表 (600V - 20A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-03-30 19:21:350 RJS6005WDPK 数据表 (600V - 30A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode )
2023-03-30 19:18:180 SCR PHASE CTRL MOD 600V 1000A
2023-03-29 18:43:45
IGBT 600V 1000A 2300W D4
2023-03-29 15:14:34
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
逆变器、全桥驱动逆变器等领域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特点■浮动工作电压可达600V■拉灌电流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的输入逻辑电平■dV/dt抗干扰能力±5
2023-03-29 09:24:35930 
DIODE MODULE 600V 1000A DO200AB
2023-03-28 21:24:04
7寸RGB LCD模块600*1024 MODULE_100X180MM 24 bit RGB
2023-03-28 13:06:23
Gas Discharge Tube 600V 1000A (1kA) 2 Pole Surface Mount
2023-03-23 00:37:07
电子发烧友App
工商网监
评论