CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术，CoolSiC技术的输出电流能力强，可靠性提高。
2024-03-22 14:08:35
29 英飞凌科技股份公司，作为全球领先的半导体公司，近日推出了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列，这一创新产品采用TO-247PLUS-4-HCC封装，为设计人员提供了满足更高功率密度需求的解决方案。
2024-03-20 10:27:29117 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近日英飞凌推出了CoolSiC MOSFET G2技术，据官方介绍，这是新一代的沟槽栅SiC MOSFET技术，相比上一代产品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181430 
日前，Vishay 宣布，推出适于 IrDA 应用的升级版 TFBS4xx 和 TFDU4xx 系列红外（IR）收发器模块，链路距离延长 20 %，抗 ESD 能力提高到 2 kV。器件支持
2024-03-14 18:17:56580 
瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品，这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified），还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出，标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在过去的2023年，国产SiC功率器件产品迎来了全面爆发，众多厂商宣布入局或是推出车规级SiC MOSFET产品，寻求打进汽车供应链。而今年春节后的新一轮新能源汽车降价
2024-03-13 01:17:002631 
意法半导体（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性，还致力于提供高度的系统集成性和灵活性，以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称“东芝”）近日宣布，其最新研发的DTMOSVI系列高速二极管型功率MOSFET已正式推出。该系列产品特别适用于数据中心和光伏功率调节器等关键应用的开关电源，展现了东芝在功率半导体领域的深厚实力与持续创新。
2024-03-12 10:27:36255 在电力电子领域持续创新的英飞凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术——CoolSiC™ MOSFET Generation 2。这一创新技术的推出，标志着功率系统和能量转换领域迎来了新的里程碑，为行业的低碳化进程注入了强大动力。
2024-03-12 09:43:29125 在通用PWM发电机中，我可以用任何型号替换SiC MOSFET吗？
2024-03-01 06:34:58
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41976 
在本指南中，您将学习如何设置 Arduino IR发射器电路。它使您可以控制IR（红外线）LED，并从Arduino发送任何远程控制代码。这意味着你可以用它来控制你的电视或其他任何你喜欢的东西！
2024-02-11 09:44:00235 
Vishay近日宣布推出升级版的TSOP18xx、TSOP58xx和TSSP5xx系列红外(IR)接收器模块，这些模块经过优化，适用于遥控、接近探测和光幕应用。
2024-02-01 14:06:54178 光伏IR相机是一种特殊的光电设备，它使用红外线（IR）技术来检测和捕捉光伏电池板上的热图像。这种相机的主要功能是检测光伏电池板上的热分布和异常，帮助工程师和科学家更好地了解光伏电池板的性能和存在的问题。
2024-01-23 11:36:23235 
2104全桥驱动电路原理 IR2104是一种高速、低成本的高和低电平电荷泵驱动器。它可通过逻辑输入信号控制两个N沟MOSFET或IGBT的驱动信号，实现全桥输出。IR2104内部集成了一个高压引发电荷泵、逻辑电平和电流检测电路。其主要包括低侧和高侧驱动器。 低侧驱动器：
2024-01-05 16:11:041106 英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
本帖最后由 yy5230 于 2023-12-29 12:02 编辑
AGM Micro发布兼容STM32的MCU产品系列，推出具有低延迟高灵活性的功能模块MCU产品系列。AGM的FPGA
2023-12-29 10:52:29
提供驱动能力的来源，市场潜力巨大。 金升阳致力于为客户提供更优质的电源解决方案，基于自主电路平台、IC平台、工艺平台，升级推出IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源QA-R3G/QAC-R3G系列产品，同时为结合充电桩市场应用需求，打造了全新的满足元器件100%国产化、高可靠的R3代驱动电
2023-12-13 16:36:19131 
：IFNNY）顺应系统层面的发展趋势，推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS™ 7系列。OptiMOS™ 7 15 V系列于服务器、计算、数据中心和人工智能应用上提升DC-DC转换率
2023-12-12 18:04:37494 
IR这个词并不是什么缩写，这里的I就是指电流，R是指电阻，他们放在一起相乘，得出来的结果就是电压。
2023-12-06 14:33:07452 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 BTD25350双通道隔离，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，非常适合充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列双通道隔离型门极驱动器，峰值输出电流可达10A
2023-11-30 09:42:59
为了扩大QSiC SiC模块的选择范围，SemiQ推出了一系列采用SOT-1封装的200,227V MOSFET，可与或不与1,200V SiC肖特基二极管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-26 16:40:46862 mosfet工作原理 jfet和mosfet的区别 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种现代电子器件，常用于电子电路中的开关和放大器。它的工作原理与JFET（结型场效应晶体管）有很大
2023-11-22 17:33:301060 ARK（方舟微）研发的UltraVt ®超高阈值耗尽型MOSFET包括耐压70V的DMZ0622E系列、耐压100V的DMZ(X)1015E系列、耐压130V的DMZ(X)1315E系列、耐压130V的DMZ(X)1315EL系列等产品。
2023-11-18 16:00:38454 
为了扩大QSiC SiC模块的选择范围，SemiQ推出了一系列采用SOT-227封装的1,200V MOSFET，可与或不与1,200V SiC肖特基二极管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-16 17:18:25570 电子发烧友网站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列设计更绿色、更小的电源.pdf》资料免费下载
2023-11-13 15:11:29
0 电子发烧友网站提供《IR2110芯片在光伏逆变电路中的设计应用.pdf》资料免费下载
2023-11-06 10:04:290 国产新风尚！WAYON维安针对PC及PC电源推出MOSFET细分产品
2023-11-01 15:10:01231 
下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列，进行详细介绍
2023-11-01 14:46:19736 
的稳定可靠运行至关重要。为满足汽车电子领域对低损耗、高可靠性、耐高温电感的需求，科达嘉推出了车规级热压一体成型电感VSEB-H系列。 产品概述 VSEB-H采用创新的T-core预成型+扁平绕匝底部引线+热压工艺。与传统的电感产品相比，该
2023-10-26 15:45:54895 
PANJIT推出最新超低VF桥式整流器系列。
2023-10-26 15:29:22308 金氧半场效晶体管（MOSFET）凭借其通用性和广泛用途跻身于最受欢迎的晶体管之列。欧时电子指南将详述这类晶体管的工作机制，并提供关于使用和选择恰当MOSFET类型的实用建议。
2023-10-26 10:36:16481 
Littelfuse宣布推出首款汽车级PolarP P通道功率MOSFET产品 IXTY2P50PA。这个创新的产品设计能满足汽车应用的严苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 MOSFET栅极电路电压对电流的影响？MOSFET栅极电路电阻的作用？ MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在MOSFET中，栅极电路的电压和电阻
2023-10-22 15:18:121367 Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 电子发烧友网为你提供ADI(ADI)MAX25405: IR Gesture Sensor with Lens for Automotive Applications Data Sheet相关产品
2023-10-17 18:44:54
美格纳半导体公司 宣布推出两款基于其第8代沟槽MOSFET技术的新型150V MXT MV 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。MXT MV MOSFET，代表美格纳极限沟槽
2023-10-12 17:15:09736 DC即Direct Current，直流电，电流方向不随时间发生改变；IR Drop中的I指电流，R指电阻，I与R相乘即为电压，IR Drop就是电压降；
2023-09-28 11:34:263177 
不予讨论。在电路设计中，MOSFET管的直流伏安特性、极间电容、温度特性和开关速度等是需要考虑的，本文只对这些方面进行讨论。
在很大程度上，用MOSFET管设计电源比用双极型晶体管更简单。MOSFET
2023-09-28 06:33:09
IR2110使用手册
2023-09-12 09:20:129 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。
2023-09-07 09:59:32731 
稳定性和效率兼备，雷卯MOSFET改变您的产品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
应用程序: 使用计时器 2 抓取功能获取 IR 数据
BSP 版本: NUC230/240 Series BSP CMSIS v3.01.002
硬件: NuTiny - EVB - NUC240
2023-09-01 07:19:08
思特威5MP高分辨率车规级RGB-IR全局快门图像传感器从客户需求出发，兼备了出色的背照式全局快门技术和优异的近红外灵敏度，以性能优越的高品质成像能力，为车载客户提供更先进的舱内视觉解决方案。其2.2μm小尺寸像素使得传感器模组更加紧凑，可以更灵活地布置在车辆内部。
2023-08-24 10:21:32223 
应用程序: 使用计时器 2 抓取功能获取 IR 数据
BSP 版本: NUC230/240 Series BSP CMSIS v3.01.002
硬件: NuTiny - EVB - NUC240
2023-08-23 07:16:43
产品推荐 | TOLL封装MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
随着现代电子设备对小型化和高效率的要求不断提高,对电源管理芯片的技术也提出了更高要求。针对此趋势,安森德半导体公司推出了新一代异步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。这款100V N沟道功率MOSFET凭借其卓越的静态和动态性能参数,将助您的设计实现更高功率密度和转换效率。
2023-08-14 15:04:45367 
SystemReady IR是一个基于一组硬件和固件的合规性认证计划实现与通用现成操作系统和管理程序的互操作性的标准。
这些标准包括基本系统体系结构（BSA）和基本引导要求（BBR）规格和市场特定
2023-08-02 07:45:46
电子发烧友网站提供《DGD2103和DGD2104在IR2103和IR2104中的应用.pdf》资料免费下载
2023-07-24 16:11:121 继先后推出成熟化的全系列碳化硅二极管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模块产品后，2023年7月 森国科正式对外推出650V超结MOSFET系列新品 ，相较于传统的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
ISL91110IR 数据表
2023-07-12 19:46:020 在这里，将展示如何制作基于Arduino的IR接收器，以解码来自TV/DVD遥控器的IR信号。根据与遥控器上特定按钮对应的解码值，我们将对Arduino进行编程以控制多个继电器开关。
2023-07-10 14:20:43715 
シリコン NチャネルMOSFET シリーズ 電力スイッチング
2023-07-07 19:38:430 ISLA216IR72EV1Z 原理图 Layers
2023-07-06 20:52:430 ISLA214IR72EV1Z 原理图s and Layers
2023-07-06 20:52:300 ISLA214P50IR72EV1Z 原理图s and Layers
2023-07-06 20:52:010 ISLA224IR72EV1Z 原理图和层
2023-07-06 20:51:300 采用OptiMOS 7 技术的40V车规MOSFET产品系列，进一步提升比导通电阻，减小RDSON*A，即在同样的晶圆面积下实现更低的RDSON，或者说在更小的晶圆面积下实现相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12677 
ISL91127IR 数据表
2023-06-30 19:40:440 英飞凌科技汽车 MOSFET 产品线高级副总裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列将在功率密度、电流能力和芯片耐用性方面树立新标杆。
2023-06-26 13:10:00302 
据 Omdia 统计，2021 年全球MCU销售额达到 219 亿美元，预计2026年全球MCU市场规模将达到 266 亿美元，2025 年中国MCU市场市场规模将达到约 82 亿美元。
2023-06-21 12:34:09299 大部分从事后端设计的同行应该没有接触过带封装的IR Drop分析（模块级别的IR分析不需要考虑封装），一般只有PA工程师、后端项目经理、封装同事等才会接触这一部分内容。
2023-06-16 10:05:18674 
电子发烧友网站提供《Matrix IR非接触式温度计开源设计.zip》资料免费下载
2023-06-16 09:36:380 什么是IR-drop？其实，IR这个词并不是什么缩写，这里的I就是指电流，R是指电阻，他们放在一起相乘，得出来的结果就是电压。
2023-06-16 09:26:262660 
中国上海， 2023 年 6 月 13 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列
2023-06-13 16:38:50712 
本文章将依次介绍如何将Pytorch自训练模型经过一系列变换变成OpenVINO IR模型形式，而后使用OpenVINO Python API 对IR模型进行推理，并将推理结果通过OpenCV API显示在实时画面上。
2023-06-07 09:31:421057 
NSM101x产品系列包含了3个产品型号，即NSM1011(单极霍尔开关)、NSM1012（全极霍尔开关）、NSM1013（霍尔锁存器）。考虑不同的开关点、工作磁极、输出相位、常规功耗与低功耗模式、磁铁材料的温度补偿系数、封装形式等多个维度
2023-06-06 14:56:33659 
【 2023 年 5 月 12 日，德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）推出 OptiMOS™ 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌
2023-06-06 11:01:361026 
PRISEMI芯导产品推荐 | TOLL封装MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824 
深圳市金胜电子科技有限公司旗下工业级品牌元存，首次推出车载视频监控固态硬盘VM300系列， 是一款可广泛应用于多场景车载设备的SATA固态硬盘。
2023-06-05 15:35:35365 
MOSFET的种类有哪些 1. Enhancement MOSFET（增强型MOSFET） 2. Depletion MOSFET（耗尽型MOSFET） 3. MOSFET
2023-06-02 14:15:36937 安森德历经多年的技术积累，攻克了多层外延超结（SJ）MOSFET技术，成功研发出具备自主知识产权的超结（SJ）MOSFET系列产品
2023-06-02 10:23:10796 
纳芯微推出全新三线制车规霍尔效应开关/锁存器NSM101x系列，为数字位置检测提供高精度的解决方案，可被广泛应用于汽车执行器等的位置检测。
2023-06-01 13:49:07541 Nexperia | 推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合 基础半导体器件领域的专家 Nexperia（安世半导体）推出了用于自动化安全气囊应用的专用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 Marki Microwave 的 IR-0255 是一款射频混频器，射频频率为 2 至 5.5 GHz，本振频率为 2 至 5.5 GHz，中频
2023-05-26 16:01:29
TOLL（Transistor Outline Leadless）封装的MOSFET，由于其封装形式具有小体积、低封装电阻、低寄生电感、低热阻等特点，已经在电动自行车、电动摩托车、锂电保护、通信电源等终端客户得到广泛使用。
2023-05-26 09:52:42393 
23日，由全景网主办、南开大学参与推出的“全景投资者关系金奖”2022年度全国性评选正式揭晓，敏芯股份IR团队凭借优异表现荣获投资者关系金奖• 杰出IR团队奖项。
2023-05-25 11:00:18476 Marki Microwave 的 IR-0618 是一款射频混频器，射频频率为 6 至 18 GHz，本振频率为 6 至 18 GHz，中频频率为
2023-05-24 16:48:07
SID-IR系列紧凑型红外皮秒光纤激光器SID-IR系列紧凑型红外皮秒光纤激光器集成了创新的电子脉冲产生系统，可提供10皮秒脉冲。重复频率从单发到2 GHz连续可调，并且可选多种波长。SID系统完全
2023-05-24 09:28:59
Boost升压电路，DC60-DC72大功率用于电动车增速使用，MOSFET管烧坏导致短路，这种管子网上找不到啊，可以用什么代替？
LR080N10S3-A
LR080N10S3-D
2023-05-21 11:55:34
近日罗姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET产品（40V/60V/80V/100V/150V），备受各个厂家的青睐。本文将为各位工程师呈现该系列
2023-05-17 13:35:02471 
功率MOSFET怎样关断？能否用PWM实现？怎样实现？
2023-05-08 16:16:27
我正在尝试使用 ESP-01 驱动 MOSFET 来控制 12V 电源。附上原理图。这是我的简单代码 -
代码：全选#include
#define MOSFET 2
#define
2023-05-04 08:52:27
ISL8120IR 数据表
2023-04-27 19:45:100 本篇是读懂MOSFET datasheet系列最终篇，主要介绍MOSFET动态性能相关的参数。 主要包括Qg、MOSFET的电容、开关时间等。 参数列表如下所示。
2023-04-26 17:52:144759 
本篇是读懂MOSFET datasheet系列第二篇，主要介绍电性能相关的参数。 这部分的参数是我们经常提到并且用到的，相关的参数如下表所示。
2023-04-26 17:50:102211 
大部分从事后端设计的同行应该没有接触过带封装的IR Drop分析（模块级别的IR分析不需要考虑封装），一般只有PA工程师、后端项目经理、封装同事等才会接触这一部分内容。
2023-04-21 09:31:091573 MOSFET Spice 模型
2023-04-20 11:30:18
光电红外（EO/IR）系统是一种传感器技术，其采用光学和电子技术组合来检测、跟踪和识别红外光谱中的物体或目标。
2023-04-15 10:10:34870 KUU推出超小型SOT-723封装MOSFET，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代MOSFET，这些新低阈值电压MOSFET采用KUU先进的沟槽工艺技术来取得能够和SOT-523等大上许多
2023-04-04 16:10:39987 
之前做过一个项目，有个模块例化了10次，流片回来测试，有9个正常工作，另外一个工作不起来。这时这个模块的负责人就来找我，问到：IR仿真时这10个模块结果是怎样的？测试有问题那个是IR最差的那个
2023-04-03 09:56:581795 您好，我想知道 NXP UCODE 7 芯片内部使用的 MOSFET 的 IV 特性，该 MOSFET 开关用于数据输出链中的反向散射。有人可以提供这些数据吗？非常感谢~
2023-03-31 07:53:20
ISL91110IR 数据表
2023-03-29 19:38:570 ID7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片，可兼容代换IR2104，应用领域于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、照明镇流器、半桥驱动
2023-03-29 09:24:35930 
： * * * * --- 控制器 0（1 个设备）- -- * * * * 设备 IR 长度 Xtensa * * 0 5
2023-03-23 07:08:06
电子发烧友App
工商网监
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