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电子发烧友网>新品快讯>IR推出新系列-30V器件 P沟道MOSFET无需使用电平转

IR推出新系列-30V器件 P沟道MOSFET无需使用电平转

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2023-08-22 17:13:54

选择强茂P沟道低压MOSFET,简化您的车用电路设计

通过AEC-Q101认证且可承受的接面温度高达175°C,强茂P沟道MOSFET是汽车设计工程师理想的选择,可实现简化电路而又不牺牲性能。提供DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L和TO-252AA多种封装。
2023-07-20 15:57:45526

深度剖析H桥应用中的P沟道MOSFET

在H桥电路中实现P沟道MOSFET可能看起来既简单又诱人,但可能需要一些严格的计算和参数才能实现最佳响应。
2023-06-29 15:28:02957

基于N沟道MOSFET实现BPS电路的理想方法

在这个设计中,我们看到了使用N沟道MOSFET实现BPS电路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599

超级结结构的600V N沟道功率MOSFET助力提高电源效率

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1,进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。
2023-06-16 09:03:30228

东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率

中国上海, 2023 年 6 月 13 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1,进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列
2023-06-13 16:38:50712

NPNPNP,5V电平24V电平信号转换模块

产品特点:●  8路NPN信号PNP信号高速转换●  8路0-5V电平0-24V电平●  8路TTL电平0-24V电平●  8路NPN信号TTL电平
2023-06-12 16:41:08

mos PTS4842 30V/7.7A双n沟道mos管-4842双mos管规格书

供应mos PTS4842 30V/7.7A双n沟道mos管,提供4842双mos管规格书及关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-10 14:46:251

PTS4842 MOS场效应管-30V/7.7A双N沟道高级功率MOSFET

供应PTS4842 MOS场效应管-30V/7.7A双N沟道高级功率MOSFET,提供PTS4842双mos管关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>> 
2023-06-10 14:45:17

Nexperia | 推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合

日:基础半导体器件领域的专家 Nexperia(安世半导体)推出了用于自动化安全气囊应用的专用 MOSFET (ASFET) 新产品组合,重点发布的 BUK9M20-60EL 为单 N 沟道 60 V、13 m
2023-05-29 10:35:11372

看完这篇,4个步骤快速完成MOSFET选型

为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中,当一个MOSFET接地,而负载连接到干线电压上时,该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道
2023-05-22 11:11:391173

数明半导体新推双通道30V, 5A/5A的高速低边门极驱动器

上海数明半导体有限公司最新推出的双通道 30V, 5A/5A 的高速低边门极驱动器 SiLM27624 系列,支持高达 30V 的输入电源供电,满足更高的驱动电压输出。
2023-05-17 11:18:21438

700V 高速风筒专用电机驱动芯片

, 逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑 输出电平。 高速风筒专用电机驱动芯片其浮动通道可 用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET,浮地通道最高 工作电压可达 700V。高速风筒专用电机驱动芯片采用 SOIC8 封装,可以在-40℃至 125℃温度范围内工作
2023-05-10 10:05:20

请问CANbus至RS232协议转换器能够用30V电压的电源吗?

请问CANbus至RS232协议转换器能够用30V电压的电源吗?
2023-05-09 11:03:26

如何使用P/N沟道MOSFET构建通用全桥或H桥MOSFET驱动电路

在本文中,我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路,该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005288

AH7550,60V48V5V12V 0.4A,POE通信控制板IC

降至45KHZ。 芯片参数: 1.输入电压范围:5V -80V 2.输出电压范围:3V -55V 3.输出电流范围:1000MA 4.外接元器件少,无需外围补偿网络能达到稳定工作 5.外接一个电容可设
2023-04-28 11:55:25

以工艺见长的东芝N沟道功率MOSFET为电源效率赋能

MOSFET是以金属层(M)栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同,MOSFET可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型,通常又称为N型MOSFET(NMOSFET)和P型MOSFET(PMOSFET)。
2023-04-13 09:40:30691

6S6DC/30V

LAMP INCAND S-6 BAYONET 30V
2023-03-28 20:26:17

6S6/30V

LAMP INCAND 30V CANDELABRA SCRW
2023-03-28 20:23:07

RLD30P500UF

RLD 30V UF系列PTC器件
2023-03-28 12:55:54

SM4447APRL

-30V P沟道MOSFET
2023-03-28 12:55:19

AONR21357

30V P沟道MOSFET
2023-03-27 11:54:35

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