天威微电子作为京瓷兼容芯片领导者，现推出TK-4208/TK-4218系列兼容芯片，完美适用于TASKalfa MZ2100/MZ2200系列新款机型，详见以下表格。
2024-03-19 09:35:40
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业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice(股票代码603986)宣布，正式推出基于ArmCortex-M33内核的GD32F5系列高性能微控制器，全面适配于能源电力、光伏储能、工业
2024-03-16 08:22:4177 
近日，备受瞩目的半导体供应商思瑞浦3PEAK正式推出了一款全新的3.3V供电、带故障保护功能的高速CAN收发器——TPT133X系列产品。这一创新产品的发布，标志着思瑞浦3PEAK在高性能模拟芯片和嵌入式处理器领域的技术实力再次得到市场认可。
2024-03-14 11:12:44209 上海先楫半导体科技有限公司（先楫半导体，HPMicro）推出了国产高性能微控制器HPM6800系列，致力于提供单主控的数字仪表及HMI解决方案
2024-03-13 12:24:57244 
意法半导体（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性，还致力于提供高度的系统集成性和灵活性，以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称“东芝”）近日宣布，其最新研发的DTMOSVI系列高速二极管型功率MOSFET已正式推出。该系列产品特别适用于数据中心和光伏功率调节器等关键应用的开关电源，展现了东芝在功率半导体领域的深厚实力与持续创新。
2024-03-12 10:27:36255 兆易创新GigaDevice，业界知名的半导体器件供应商，今日正式揭晓了其最新研发成果——GD32F5系列高性能微控制器。这款微控制器基于先进的Arm® Cortex®-M33内核，为能源电力、光伏储能、工业自动化、PLC、网络通讯设备以及图形显示等多元化应用场景提供了强大的支持。
2024-03-08 09:29:06200 上海先楫半导体科技有限公司（先楫半导体，HPMicro）推出了国产高性能微控制器HPM6800系列，致力于提供单主控的数字仪表及HMI解决方案，携手生态合作伙伴构建全新的数字仪表显示及人机界面应用平台。
2024-03-07 12:30:39550 
中国北京（2024年3月7日）——业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice (股票代码 603986) 今日宣布，正式推出基于Arm Cortex-M33内核的GD32F5系列高性能微控制器，全面适配于能源电力、光伏储能、工业自动化、PLC、网络通讯设备、图形显示等应用场景。
2024-03-07 09:09:23189 
2023年5月11日，业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice (股票代码 603986) 今日宣布，正式推出中国首款基于Arm® Cortex®-M7内核的GD32H737/757/759系列超高性能微控制器。
2024-03-04 10:42:52327 
深圳银联宝继续为您推荐一款高性能、低成本的原边控制功率开关——电源管理ic U62143，内置高压功率三极管，可提供高精度恒压和恒流输出性能，尤其适合于小功率离线式充电器应用。
2024-02-23 15:56:43231 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41976 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08353 
我非常荣幸地向大家推荐几款高性能的三防平板电脑，这些产品都来自亿道三防onerugged系列。它们以其卓越的性能和出色的工艺设计，成为行业中备受瞩目的产品。
2024-02-20 10:05:33123 Agilent E4419B是一种高性能的双通道可程控功率计。它与8480系列功率传感器和新型E系列功率传感器完全兼容。依据所使用的传感器，E4419B可以在100KHz～110GHz频率范围内
2024-01-20 08:58:32
功率MOSFET是一种广泛应用于电力电子转换器的高性能开关器件。它具有高输入阻抗、低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性等特点，因此在各种高压、高频、高效率的电源系统中发挥着重要作用。 结构
2024-01-17 17:24:36294 
Andes晶心科技，一家专注于高性能处理器IP的领先供应商，近日宣布全面推出其最新产品——AndesCore® AX65。这款高性能处理器IP是AndesCore AX60系列中的首款产品，具备乱序执行、超纯量、多核处理器的特点，旨在满足市场对高效能处理器的需求。
2024-01-17 14:28:39239 英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
AG103/107/205/303/407，与现有STM32产品功能和管脚完全兼容。
AGM的32位MCU采用了自主研发的高性能单（多）核，以及高性价比嵌入式CPU技术，使其MCU系列产品相对于国产同类产品
2023-12-29 10:52:29
近日高品质微波毫米波器件供应商RFTOP（频优微波）推出了两款高性能3.5mm隔直器，分别为10M-34GHz高频隔直器和10M-26.5GHz高性价比隔直器，进一步丰富隔直器产品线。该系列
2023-12-19 13:48:59262 
【科普小贴士】MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16:16410 
今天兆芯正式推出了自主创新研发的新一代高性能桌面处理器——开先KX-7000系列产品。
2023-12-13 09:31:51784 
：IFNNY）顺应系统层面的发展趋势，推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS™ 7系列。OptiMOS™ 7 15 V系列于服务器、计算、数据中心和人工智能应用上提升DC-DC转换率
2023-12-12 18:04:37494 
如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-12-06 18:22:24522 
GaAs二极管是WBG功率半导体中的全新成员，其为设计人员提供了一种能够在高性能功率变换器中平衡效率与成本的方案。
2023-12-04 18:23:24455 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
问题1：在功率MOSFET管应用中，主要考虑哪些参数？在负载开关的功率MOSFET管导通时间计算，通常取多少比较好？相应的PCB设计，铜箔面积布设多大散热会比较好？漏极、源极铜箔面积大小是否需要一样？有公式可以计算吗？
2023-12-03 09:30:40408 
在电子科技日新月异的今天，唯创知音推出了一款极具竞争力的CMOS语音芯片——WTN6 F系列。这款芯片凭借其低成本、高性能以及在1.8V~5.5V宽电压范围内工作的特性，尤其是可重复烧写的特点
2023-11-27 10:19:15210 在电子科技日新月异的今天，唯创知音推出了一款极具竞争力的CMOS语音芯片——WTN6F系列。这款芯片凭借其低成本、高性能以及在1.8V~5.5V宽电压范围内工作的特性，尤其是可重复烧写的特点，在语音
2023-11-27 10:10:45149 
为了扩大QSiC SiC模块的选择范围，SemiQ推出了一系列采用SOT-1封装的200,227V MOSFET，可与或不与1,200V SiC肖特基二极管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-26 16:40:46862 为了扩大QSiC SiC模块的选择范围，SemiQ推出了一系列采用SOT-227封装的1,200V MOSFET，可与或不与1,200V SiC肖特基二极管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-16 17:18:25570 电子发烧友网站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列设计更绿色、更小的电源.pdf》资料免费下载
2023-11-13 15:11:29
0 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。这是一款低导通电阻、30V N沟道共漏MOSFET，适用于带USB的设备和电池组保护。产品发货即日起开始。
2023-11-08 16:22:22319 功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外，对于散热量极低的笔记本电脑来说，这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤，并通过
2023-11-01 08:24:31345 电子发烧友网站提供《高性能软开关功率因数校正电路的设计.doc》资料免费下载
2023-10-27 11:23:470 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出了两款600V小型智能功率器件(IPD)产品，适用于空调、空气净化
2023-10-27 11:13:00301 功率MOSFET选型的几点经验在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET参数和性能的，这里不作赘述，只对实际
2023-10-26 08:02:47373 
在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET类似，功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类;每个大类又分为增强型和耗尽型两种。
2023-10-25 10:42:27493 
Littelfuse宣布推出首款汽车级PolarP P通道功率MOSFET产品 IXTY2P50PA。这个创新的产品设计能满足汽车应用的严苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 汽车电子MOSFET发展的一个最终方向是提高感测、控制和保护功率开关的性能。功率器件正集成到智能化车载系统中。现在在最低功率级别，MOSFET可以与功率器件上的感测元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了"TLP3475W"
2023-10-18 11:38:44554 Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率
2023-10-18 09:11:42621 
MOSFET也已经发展到了第3代，新推出的650V和1200V电压产品现已量产。其栅极驱动电路设计简单，可靠性得到进一步的提高。 碳化硅MOSFET的优势 相同功率等级的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，
2023-10-17 23:10:02268 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装，具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻（RthJC最大值为3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 MOSFET功率损耗的详细计算
2023-09-28 06:09:39
近日，洛微科技对外发布新款高性能D系列 TOF相机D3，这是一款专为工业环境中高性能操作设计的3D TOF智能相机。
2023-09-22 10:47:43859 如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-09-18 16:54:35590 
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
发布Seagull 452系列高性能、低功耗光DSP新品。该系列包括三款光DSP产品：Seagull 452（八通道），Seagull 252（四通道）以及Seagull 152（双通道）。三款产品均集成VCSEL、EML和SiPho驱动。
2023-09-12 09:02:38444 
在高功率应用中，碳化硅(SiC)MOSFET与硅(Si)IGBT相比具有多项优势。其中包括更低的传导和开关损耗以及更好的高温性能。
2023-09-11 14:55:31347 
1 功率分立产品概述
2 IGBT 产品系列
3 HV MOSFET 产品系列
4 SiC MOSFET 产品系列
5 整流器及可控硅产品系列
6 能源应用
2023-09-07 08:01:40
。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广
2023-09-06 14:18:431202 
能会对MOSFET的频率稳定性、相位噪声和总体性能产生负面影响。在振荡器中，闪烁噪声本身表现为靠近载波的边带，其他形式的噪声从载波延伸出来，频谱更平坦。随着与载波的偏移量的增加，闪烁噪声会逐渐衰减，直到
2023-09-01 16:59:12
雪崩强度是MOSFET的一种特性。在MOSFET的漏极和源极之间施加超过VDSS的电压，但是MOSFET的性能没有被破坏。此时施加在其上的能量称为雪崩能量[Avalanche energy]，流过的电流称为雪崩电流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保证雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24501 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（下称“Toshiba”）推出了两款适用于直流无刷电动机应用领域的600V小型智能功率元件(IPD
2023-08-25 11:20:34496 功率MOSFET数据表参数
2023-08-24 09:13:06552 
2023年8月16日，高性能嵌入式解决方案厂商“上海先楫半导体（HPMicro）”正式发布全新产品系列——高性能运动控制微控制器 HPM5300。独具匠“芯”的HPM5300系列以强劲的性能、灵活
2023-08-16 10:35:13211 产品推荐 | TOLL封装MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
随着现代电子设备对小型化和高效率的要求不断提高,对电源管理芯片的技术也提出了更高要求。针对此趋势,安森德半导体公司推出了新一代异步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。这款100V N沟道功率MOSFET凭借其卓越的静态和动态性能参数,将助您的设计实现更高功率密度和转换效率。
2023-08-14 15:04:45367 
面向能耗与成本敏感的中高端工业应用市场，不仅对芯片性能与功耗有更高要求，复杂的功能需求也考量着芯片的适配性与稳定性。极海为平衡客户对产品低功耗、高性能与高性价比等综合需求，正式推出APM32F411
2023-08-06 10:32:48448 
电子发烧友网站提供《用于电机控制应用的高性能功率器件技术和产品.pdf》资料免费下载
2023-07-31 16:30:260 电子发烧友网站提供《高性能系列MCU STM32H5介绍.pdf》资料免费下载
2023-07-29 10:59:430 电子发烧友网站提供《高性能20-42 GHz MMIC倍频器 具有低输入驱动功率和高输出功率.pdf》资料免费下载
2023-07-26 17:03:320 继先后推出成熟化的全系列碳化硅二极管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模块产品后，2023年7月 森国科正式对外推出650V超结MOSFET系列新品 ，相较于传统的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
及产业化项目、研发中心建设及第三代半导体功率器件研发项目等。 华羿微电成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研发、设计、封装测试、销售为主的半导体企业，主要产品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模块、IGBT、二极管
2023-07-06 16:45:02520 
研发及产业化项目、研发中心建设及第三代半导体功率器件研发项目等。 华羿微电成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研发、设计、封装测试、销售为主的半导体企业，主要产品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模块、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
MOSFET的漏伏安特性（输出特性）：截止区（对应GTR的截止区）;饱和区（对应于GTR的放大区）;非饱和区（对应于GTR的饱和区）。功率MOSFET在开关状态下工作，即截止区域和不饱和区之间的转换
2023-07-04 16:46:37975 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")今日宣布，在其搭载32位微控制器产品组 “TXZ+TM族高级系列”的“M3H
2023-06-28 14:18:10416 功率 MOSFET 即金属氧化物半导体场效应晶体管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三个管脚，分别为栅极（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
UPG2151TK 数据表
2023-06-27 18:35:300 英飞凌科技汽车 MOSFET 产品线高级副总裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列将在功率密度、电流能力和芯片耐用性方面树立新标杆。
2023-06-26 13:10:00302 
2SD2686是一款高性能的功率晶体管，适用于多种应用场景。
2023-06-19 14:36:36299 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。
2023-06-16 09:03:30228 
中国上海， 2023 年 6 月 13 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列
2023-06-13 16:38:50712 
近年来，汽车行业和绿色能源产业的发展迅速推动了电子元器件的进步，其中高性能电容器的需求越来越高。在这个领域中，风华高科推出的低损耗、高耐电压1210C0G630~1000V系列车规电容器引起了广泛
2023-06-09 10:30:42
【 2023 年 5 月 12 日，德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）推出 OptiMOS™ 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌
2023-06-06 11:01:361026 
功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三个管脚，分别为栅极（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
分享功率MOSFET驱动保护电路方案大全，希望能帮助大家
2023-05-24 10:22:02
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下简称“Toshiba”）推出了“SSM14N956L”，这是一款额定电流为20A的12V
2023-05-19 10:20:07718 近日罗姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET产品（40V/60V/80V/100V/150V），备受各个厂家的青睐。本文将为各位工程师呈现该系列
2023-05-17 13:35:02471 
业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice (股票代码 603986) 今日宣布，正式推出中国首款基于Arm Cortex-M7内核的GD32H737/757/759系列超高性能微控制器。
2023-05-11 11:16:12910 
功率MOSFET怎样关断？能否用PWM实现？怎样实现？
2023-05-08 16:16:27
本篇是读懂MOSFET datasheet系列最终篇，主要介绍MOSFET动态性能相关的参数。 主要包括Qg、MOSFET的电容、开关时间等。 参数列表如下所示。
2023-04-26 17:52:144759 
本篇是读懂MOSFET datasheet系列第二篇，主要介绍电性能相关的参数。 这部分的参数是我们经常提到并且用到的，相关的参数如下表所示。
2023-04-26 17:50:102211 
MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗
2023-04-18 09:22:021248 评估，以改善动态特性和可靠性，并开发有助于实现碳中和的更具吸引力的高性能功率半导体器件。新研发的格子花纹嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意图1,2kV级SiC MOSFET特性对比
2023-04-11 15:29:18
封装MOSFET器件匹敌的电气和功率性能表现。KM3134K是一款20V750mA的N-MOSFET，KM3139K则是-20V-660mA的P-MOSFET，两款器件
2023-04-04 16:10:39987 
芯茂微电子于近期推出了LP6655系列高性能CCM/DCM定频PFC控制器。LP6655系列芯片的工作频率固定，有65kHz/133kHz/200kHz可选；单周期调制模式能够提供优异的功率因数表现，同时芯片在轻负载下能够降低工作频率以提升轻载能效。
2023-03-31 11:14:462424 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
ME8133是一款高性能，高效率电流模式PWM控制器，内封650V/4A功率MOSFET，功率最高可达30W（220VAC）。
2023-03-29 10:08:081214 CC1200 低功率、高性能射频 (RF) 收发器
2023-03-28 18:21:01
致力于提供高品质芯片的国内优秀模拟及数模混合芯片设计商上海类比半导体技术有限公司（下称“类比半导体”或“类比”）宣布推出REF1xx/3xx/4xx系列低温漂、高性能、微功耗、小封装的电压基准
2023-03-28 14:42:021338 
高性能硅栅CMOS
2023-03-24 14:01:37
TDK | 推出两款新型高性能超声波 ToF 传感器
2023-03-23 21:18:121066 
电子发烧友App
工商网监
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