XFRMR T3/DS3/E3/STS-1 1:1 45UH
2024-03-14 22:19:27
如下。
按动按钮“TEST”启动电路，T3的基极通过R7，Test，T2的b-e接地，从而使得T3导通。此时+9V通过T3加到IC2稳压芯片。IC2输出VCC是加到单片机上。
单片机工作后，通过
2024-03-14 09:15:05
LSM6DS3TR停产买不到了，准备切换LSM6DS3TR-C型号使用。
请问两者有什么差别？能否直接替换？有成功替换案例吗？
2024-03-14 06:40:10
下无法通过该imu访问到外挂的磁力计。
个人编写代码逻辑如下：
/*初始化部分*///使能对嵌入功能寄存器的访问bsp_spi_write(LSM6DS3
2024-03-07 06:26:09
HMC729LC3C是一款集成复位功能的T触发器，设计支持高达26 GHz的时钟频率。 正常工作时，若复位引脚未置位，则输出将在时钟正边沿从之前的状态切换到其他状态。 这便实现对时钟输入的二分
2024-03-03 15:01:14
：30V- 额定电流：18A- 导通电阻：20mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压：1.5V**应用简介：**这是一款集成了两个N-Channel沟道
2024-02-20 10:19:23
**VBsemi Si2329DS-T1-GE3-VB 产品详细参数说明与应用简介****参数说明:**- **型号：** Si2329DS-T1-GE3-VB- **丝印：** VB2290-
2024-02-03 10:36:58
TIMER3 CNT=13396652,CAP=10668028
如果把TIMER3设置成事件计数模式，T3引脚 同样每秒输入10个脉冲，CNT计数就比较准。
2024-01-17 07:40:32
**详细参数说明：**- **型号:** SI2338DS-T1-E3-VB- **丝印:** VB1330- **品牌:** VBsemi- **参数:** - 封装类型
2024-01-03 17:26:32
**型号：SI2304DS-T1-E3-VB****丝印：VB1330****品牌：VBsemi****参数：**- 封装：SOT23- 类型：N-Channel 沟道- 额定电压：30V-
2024-01-03 15:30:34
, 6.5mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 阈值电压（Vth）：1.72V- 封装类型：SOP8应用简介：SI4466DY-T1-E3-VB是一款N沟
2023-12-22 15:36:20
Ω @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V, 8Vgs (±V)- 阈值电压（Vth）：0.45~1V- 封装类型：SOT23应用简介：TN0200T-T1-E3-VB是一款N
2023-12-21 16:58:46
Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 阈值电压：-1.42V- 封装：SOP8**详细参数说明：**SI4425BDY-T1-E3-VB是一款P沟道MOSFET，最大
2023-12-20 11:46:33
Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 阈值电压：1.54V- 封装：SOP8**详细参数说明：**SI4850DY-T1-E3-VB是一款N沟道MOSFET，最大耐压为6
2023-12-20 10:44:08
, 33mΩ @ 2.5V, 8Vgs (±V)- 阈值电压（Vth）：0.45V to 1V- 封装：SOT23应用简介：SI2314EDS-T1-E3-VB是一款N
2023-12-18 17:09:54
根据提供的型号和参数，以下是对该 MOSFET 型号 SI4413DY-T1-E3-VB 的详细参数和应用简介：**型号：** SI4413DY-T1-E3-VB**丝印：** VBA2311
2023-12-18 17:08:07
型号：SI2314DS-T1-E3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：- **N沟道：** 该器件是一种N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等
2023-12-18 11:19:34
, 13mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 阈值电压 (Vth)：-1.42V- 封装：SOP8应用简介：SI4825DDY-T1-E3-VB是一款P沟道M
2023-12-14 16:08:27
型号：SI2347DS-T1-GE3-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：- 类型：P沟道- 最大耐压：-30V- 最大电流：-5.6A- 静态开启电阻 (RDS(ON))：47m
2023-12-14 10:43:26
Ω @ 4.5Vgs、33mΩ @ 2.5Vgs- 阈值电压（Vth）：0.45V 到 1V 可调- 封装类型：SOT23应用简介：TN0200TS-T1-E3-VB是一款N沟道
2023-12-14 10:12:05
Ω @2.5V，15Vgs（±V）；-0.6～-2Vth(V)；SOP8应用简介：SI9424DY-T1-E3-VB是一款P沟道功率MOSFET器件，适用于多种领域的电子
2023-12-13 15:28:40
应用简介： Si2399DS-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET，适用于需要控制电流的应用。由于其低导通电阻（RDS(ON)），能有效降低导通损耗，在需要高效能转换
2023-12-13 10:11:37
：SOT23。应用简介：Si2342DS-T1-GE3是一款用于中低电压应用的N沟道MOSFET，适用于电源开关、LED驱动和电池管理等领域模块。
2023-12-09 15:07:11
：SOT23。应用简介：SI2302DS-T1-GE3是一款中低电压N沟道MOSFET，适用于电源开关、电机控制和稳压等应用。其低导通电阻和可调的阈值电压使其在多种场景中
2023-12-09 14:53:11
(±V)阈值电压：-0.81V；封装：SOT23应用简介：SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 是一款P沟道MOSFET，适用于需要控制电流的应用。其低
2023-12-09 14:50:12
：SI2300DS-T1-GE3是一款适用于中电流、低电压的N沟道MOSFET。其低阈值电压使其适合低电压逻辑驱动。常用于移动设备、低电压应用等。优势：适用于低电压逻辑
2023-12-09 14:47:20
速率
b） 3 个 10 位 DAC
c） 输入兼容 TTL 电平
d） DAC 输出电流范围 2mA～26mA
e） 集成带隙基准电压源
f） LQFP48 封装
3 封装及引脚功能说明
产品采用 48 引线的四边引线扁平外壳封装，实体尺寸 7mm×7mm。
2023-12-09 10:39:23
描述 IETF PWE3 SAToP/CESoPSN/HDLC兼容的DS34S132为L2TPv3/IP、UDP/IP、MPLS (MFA-8)以及城域以太网(MEF-8)网络提供将TDM
2023-12-07 11:05:52
SI2333DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS
2023-11-30 16:02:35
近日，武汉芯源半导体正式发布首款基于Cortex®-M0+内核的CW32A030C8T7车规级MCU，这是武汉芯源半导体首款通过AEC-Q100 (Grade 2)车规标准的主流通用型车规MCU产品
2023-11-30 15:47:01
SI2305DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS
2023-11-30 14:21:31
"型号 SI2347DS-T1-GE3-VB丝印 VB2355品牌 VBsemi参数 类型 P沟道 最大耐压
2023-11-14 10:34:07
型号 SI2356DS-T1-GE3-VB丝印 VB1330品牌 VBsemi详细参数说明 沟道类型 N沟道
2023-11-11 13:36:44
来了。想了一会，可控硅不是干接点，所以会有漏电流，万用表的内阻很高，这个电流在可控硅上没有太大压降。
想法对不对呢，验证一下，在输出端T1和T3串入3个灯泡。送电测量T1和T3电压变成了2.6V
2023-11-08 06:48:52
型号 SI2309DS-T1-GE3-VB丝印 VB2658品牌 VBsemi详细参数说明 沟道类型 P沟道 额定
2023-11-07 17:12:55
Ω @10V, 260mΩ @4.5V- 门源电压 20Vgs- 门阈电压 2Vth- 封装 SOT23应用简介 SI2324DS-T1-GE3是一款N沟道MOS
2023-10-27 17:18:42
名称 SI2308DS-T1-GE3 型号 VB1695 品牌 VBsemi 参数 - 频道类型 N沟道- 额定电压 60V- 额定电流 4A- RDS
2023-10-27 16:38:22
TP4586双路独立控制的 TWS 充电仓解决方案
概述：
TP4586 是一款集成线性充电管理、同步升压转换、电池电量指示和多种保护功能的单芯片电源管理 SOC，为蓝牙耳机充电仓的充放电提供
2023-10-23 15:29:10
ESP32-S3 是一款低功耗的 MCU 系统级芯片 (SoC)，支持 2.4 GHz Wi-Fi 和低功耗蓝牙 (Bluetooth® LE) 无线通信。芯片集成了高性能的 Xtensa® 32 位 LX7 双核处理器、超低功耗协处理器、Wi-Fi 基带、蓝牙基带、RF 模块以及外设。
2023-09-18 07:53:06
CW32F003x3/x4是一款基于eFlash的单芯片微控制器，集成了ARM®Cortex®-M0+内核
具有高达48 MHz的主频率、高速嵌入式存储器（高达20 KB的FLASH和
至3K字节
2023-09-14 08:16:19
专门设计，可在硬件上实现大幅运动检测、倾斜度检测、硬件计步功能、时间戳，并支持对外部磁力计的数据采集，且支持铁磁校准 （硬铁修正，软铁修正）。LSM6DS3 集成有一个 8Kbyte 的智能先进先出
2023-09-13 08:23:34
启动器，负责将屋子收拾干净，等后面linux系统进来入驻。
我们需要用串口连接板子上的E2，E3，GND，可以用usb-ttl工具去连，于是电脑上就可以通过usb-ttl看到T113串口输出的信息了
2023-09-08 10:15:04
TTM Technologies 的 BD3150N50100AHF 是一款巴伦，频率为 3.1 至 7 GHz，幅度平衡 ±0.8 至 1.5 dB，相位平衡 3 至 20 度，插入损耗 0.7
2023-08-15 11:30:08
e4 菲律宾（PHL）产的批次工作正常，e3台湾（TWN）生产的批次工作不正常。
2023-08-07 12:41:40
1700V、17.5mΩ、120A、第 3 代裸片 SiC MOSFETWolfspeed 凭借我们的首款工业级第 3 代 1700 V 裸片 SiC MOSFET 继续在碳化硅 (SiC) 领域
2023-07-28 14:21:34
1200 V、17 mΩ、134 A、第 3 代裸片 SiC MOSFETWolfspeed 凭借我们的首款汽车级 1200 V E 系列裸片碳化硅 (SiC) MOSFET 继续在碳化硅领域保持
2023-07-28 13:50:09
1200 V、17 mΩ、134 A、第 3 代裸片 SiC MOSFETWolfspeed 凭借我们的首款汽车级 1200 V E 系列裸片碳化硅 (SiC) MOSFET 继续在碳化硅领域保持
2023-07-28 13:48:14
DS26503是一个楼宇综合定时供给系统(BITS)时钟恢复元件，还可用作基本T1/E1收发器。接收部分可从T1, E1和6312kHz同步时序接口中恢复时钟。在T1和E1模式下，还可恢复出同步状态
2023-07-18 08:58:07
DS28E17为1-Wire从机至I2C主机桥接器件，直接连接至I2C从机，支持标准(最高100kHz)或高速(最大400kHz)工作。数据通过1-Wire®协议串行传输，仅需单根数据线和接地回路
2023-07-13 17:54:06
DS28E02将1024位EEPROM与符合FIPS 180-3安全散列算法(SHA-1)的质询-响应安全认证功能结合在一起。1024位EEPROM阵列被配置为四页，每页256位，且带有64位暂存器
2023-07-13 17:33:38
DeepCover®嵌入式安全方案通过多层高级物理保护为系统提供最安全的密钥存储，以保护敏感数据。DeepCover安全认证器件(DS28E25)集成了基于FIPS 180-3安全散列算法
2023-07-13 17:26:27
DeepCover®嵌入式安全方案通过多层高级物理保护为系统提供最安全的密钥存储，有效保护敏感数据。DeepCover安全认证器件(DS28E15)集成了基于FIPS 180-3安全散列算法
2023-07-13 17:23:35
DeepCover®嵌入式安全方案通过多层高级物理保护措施为系统提供最安全的密钥存储，以保护敏感数据。DeepCover安全认证(DS28E22)器件集成了基于FIPS 180-3安全散列算法
2023-07-13 17:18:29
DeepCover®嵌入式安全方案通过多层高级物理保护为系统提供业内最安全的密钥存储,有效保护敏感数据。DeepCover安全认证器件(DS28EL15)集成了基于FIPS 180-3安全散列算法
2023-07-13 17:14:07
，每个存储块可写8次。DS28E80通过单触点1-Wire®总线进行标准速率或高速率通信。每片器件都拥有唯一的64位识别码，由工厂写至芯片。通信符合1-Wire协议，
2023-07-13 17:01:58
DS28E16安全认证器集FIPS202兼容安全散列算法(SHA-3)质询和响应认证与安全EEPROM于一身。器件提供一组核心加密工具，包括SHA-3引擎、256位安全EEPROM、递减计数器和唯一
2023-07-13 16:35:34
DS2502-E48是DS2502 (1024位只加存储器)的一个变种。它与标准DS2502的不同之处在于其用户化ROM的家族码为89h，在标准ROM序列号区的高12位为UniqueWare™标识符
2023-07-13 15:56:50
DS28E05是一款112字节用户可编程EEPROM芯片，分为7页，每页16字节。存储器页通过保护字节可单独设置为写保护或者EPROM仿真模式。每个器件都带有唯一的64位ROM注册码(ROM ID
2023-07-13 11:35:21
HMC675LP3E是一款SiGe、单芯片、超快速比较器，集成小摆幅CML输出驱动器和锁存输入。 该比较器支持10 Gbps工作速率，同时提供100 ps传播延迟和60 ps最小脉冲宽度以及0.2
2023-06-30 11:14:12
HMC674LP3E为硅锗(SiGe)、单芯片、超快速比较器，集成小摆幅正发射极耦合逻辑(RSPECL)输出驱动器和锁存输入。这些比较器支持10 Gbps工作速率，并提供85 ps传播延迟和60
2023-06-30 10:53:29
2SK3150(L) 2SK3150(S) 数据表
2023-06-28 20:32:14
0 1 核心板简介创龙科技SOM-TLT3是一款基于全志科技T3处理器设计的4核ARM Cortex-A7国产工业核心板，每核主频高达1.2GHz。核心板通过邮票孔连接方式引出CSI、TVIN、MIPI
2023-06-28 10:16:23
1 评估板简介创龙科技TLT3-EVM是一款基于全志科技T3处理器设计的4核ARM Cortex-A7高性能低功耗国产评估板，每核主频高达1.2GHz，由核心板和评估底板组成。评估板接口资源丰富
2023-06-28 10:11:48
本应用笔记举例说明如何在桥接模式下配置单个T3端口，在DS31256上进行非沟道化工作。此外，此示例还介绍如何在该端口上以环回模式构造、发送、接收和检查数据包。本应用笔记作为编码示例提供，以便于适应最终用户应用。
2023-06-16 17:29:51
688 DS3112具有六种不同的发送时钟和六种不同的接收时钟类型：发送DS3、DS2、DS1、E3、E2和E1时钟，以及接收DS3、DS2、DS1、E3、E2和E1时钟。由于电路中同一级的时钟具有相似
2023-06-13 15:39:46317 
通常，T3/E3/STS-1 信号在短距离内传输，但某些应用需要更长的距离。T3/E3/STS-1 光纤到铜转换器接收铜缆信号并将其转换为光信号，通过光纤链路传输。一对转换器将 T3/E3
2023-06-10 15:28:44501 
T3A3-08 是一款宽带双音终结器 (T3) 混频器，集成了一个仅正偏压的 LO 缓冲放大器。它是一种具有成本效益的即插即用混频器，具有出色的线性度和低正弦波
2023-05-24 15:08:45
2SK3150(L) 2SK3150(S) 数据表
2023-05-11 20:08:130 IP2312单节锂电池同步开关降压充电 IC（英集芯 指定代理 科发鑫）一简介 IP2312 是一款 5V 输入，支持单节锂电池同步开关降压充电管理的 IC。 IP2312 集成功率 MOS，采用
2023-05-02 15:32:36
我在加载 S32E 的 EB tersos 时安装了 S32E 的集成参考示例，它显示了该示例的各种插件未找到
安装目录只有tersos workspace found NO S32DS
2023-04-23 08:42:04
\\software\\PlatformSDK_S32XX_2022_03\\SW32_RTD_4_4_3_0_2_D2203\\Base_TS_T40D11M30I2R0\\include
2023-04-18 07:33:57
我在另一台 PC 上的 S32DS 版本 3.5 中安装 S32K3 SDK (SW32K3_S32DS_3.5_D2207) 时遇到问题。之前我安装了S32DS 3.4版，重新安装到3.5版。所以
2023-04-17 06:56:47
4月13日， 全球首款RISC-V平板电脑——PineTab-V正式开启预售 。PineTab-V由全球领先的开源硬件厂商Pine64设计推出，搭载赛昉科技昉·惊鸿7110 SoC（以下简称
2023-04-14 13:56:10
使用 ESP-IDF V4.4.2。 在 PCB1 上读取是可以的： [size=85%]T0:[1605,1605] T1:[1101,1102] T2:[1571,1571] T3:[1558,1558] T
2023-04-12 07:31:43
CT817B(S)(T3)-H
2023-04-06 23:31:04
IC TXRX DS3/E3 CSBGA
2023-04-06 17:07:15
IC TXRX DS3/E3 CSBGA
2023-04-06 16:10:19
IC LIU DS3/E3/STS-1 144CBSGA
2023-04-06 11:50:44
IC LIU DS3/E3/STS-1 144CBSGA
2023-04-06 11:50:42
ICLIU3.3VDS3/E3/STS-128PLCC
2023-04-06 11:50:41
DS3141 SINGLE DS3/E3 FRAMER
2023-04-06 11:50:41
ICLIUDS3/E3/STS-128-PLCC
2023-04-06 11:49:33
IC LIU DS3/E3/STS-1 QD 144CSBGA
2023-04-06 11:48:59
IC LIU DS3/E3/STS-1 28-PLCC
2023-04-06 11:48:58
ICLIUDS3/E3/STS-128-PLCC
2023-04-06 11:48:51
在SW32K3_FreeRTOS_10_5_0_CD2_3_0_0_DS_updatesite_D2301_ReleaseNotes中，需要安装特定版本的S32DS和S32K3开发包。但是它们在软件
2023-04-06 07:06:46
在SW32K3_FreeRTOS_10_5_0_CD2_3_0_0_DS_updatesite_D2301_ReleaseNotes中，需要安装特定版本的S32DS和S32K3开发包。但是它们在软件
2023-04-03 07:44:26
：LinuxSDK_AA_BB_CC_DD（基于T3_LinuxSDK_V1.3_20190122）本文测试板卡为创龙科技TLT3F-EVM开发板，它是一款基于全志科技T3四核ARM Cortex-A7
2023-03-31 16:31:44
件LinuxSDKLinuxSDK_AA_BB_CC_DD.tar.gz开发包本文测试板卡为创龙科技TLT3F-EVM开发板，它是一款基于全志科技T3四核ARM Cortex-A7 + 紫光同创Logos PGL25G/PGL50G FPGA设计的异构多核国产工业开发板
2023-03-31 16:30:26
六大原厂工业处理器平台图 2 创龙科技产品线概览5款全国产平台——工业级＋国产化率100%全志T113-i双核Cortex-A7@1.2GHz含税99元起全志T3/A40i四核
2023-03-31 16:19:06
遇到不少人新手小白问，能不能分享MQTT通信协议案例，做开发等等一系列的问题。应广大用户朋友需求号召，今天分享基于创龙科技的TLT3F-EVM开发板，它是一款基于全志科技T3四核ARM
2023-03-31 15:35:28
DS3150 - Telecom Evaluation Board
2023-03-30 11:44:28
KIT DESIGN LIU DS21448L T1/J1/E1
2023-03-30 11:44:28
电子发烧友App
工商网监
湘ICP备 2023018690 号
评论