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电子发烧友网>光电显示>犹他大学开发出“自旋极化”新OLED技术

犹他大学开发出“自旋极化”新OLED技术

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2023-06-28 17:39:18481

韩国KAIST开发出可水洗柔性透明OLED

韩国科学技术院(KAIST)院长Lee Kwang-hyung宣布,电气电子工程学院Kyung-chul Choi教授团队使用MXene纳米技术成功开发出防水、透明、柔性OLED ,即使暴露在水中,也能发光并显示。
2023-06-29 11:41:21236

厦门大学团队研制成功拓扑自旋固态光源芯片

高效率、小型化自旋极化光子源依赖于自旋量子态的有效操控与输运。传统自旋操控的条件苛刻,需要外加磁场或低温环境,且极化率低、稳定性差、易受电磁信号干扰。
2023-07-15 16:36:19466

自旋锁和互斥锁的区别有哪些

自旋自旋锁与互斥锁很相似,在访问共享资源之前对自旋锁进行上锁,在访问完成后释放自旋锁(解锁);事实上,从实现方式上来说,互斥锁是基于自旋锁来实现的,所以自旋锁相较于互斥锁更加底层。 自旋锁与互斥
2023-07-21 11:19:527256

半导体所等在手性分子产生自旋极化研究的进展

利用手性与自旋极化的相互转换产生自旋流是近年来自旋电子学领域的研究热点,相关现象被称之为“手性诱导自旋选择性”(Chirality-Induced Spin Selectivity, CISS)。
2023-08-30 17:14:15793

基于锯齿形石墨烯纳米带及其五元环衍生结构的自旋卡诺电子学器件设计

为了减小界面处的晶格形变,提高电子透射性能,我们基于STGNR和5-STGNR纳米带,设计了全新的自旋卡诺电子学器件。采用非平衡态格林函数结合密度泛函理论,选取对称与不对称边缘的STGNR纳米带,计算了多种构型的异质结并计算自旋卡诺输运性质,包括热电流的自旋极化、热致磁阻和自旋塞贝克效应等。
2023-09-12 17:59:51487

基于OLED-on-silicon技术的微型气体传感器平台开发

据麦姆斯咨询报道,德国弗劳恩霍夫有机电子、电子束和等离子体技术研究所(Fraunhofer FEP)开发出基于硅上OLEDOLED-on-silicon)技术并具有最小芯片面积的微型磷光传感器
2023-10-31 11:22:41117

如何用C++11实现自旋

下面我会分析一下自旋锁,并代码实现自旋锁和互斥锁的性能对比,以及利用C++11实现自旋锁。 一:自旋锁(spin lock) 自旋锁是一种用于保护多线程共享资源的锁,与一般互斥锁(mutex
2023-11-11 16:48:23679

台积电开发出SOT-MRAM阵列芯片

据报道,全球领先的半导体制造公司台积电在次世代MRAM存储器相关技术方面取得了重大进展。该公司成功开发出自旋轨道转矩磁性存储器(SOT-MRAM)阵列芯片,并搭配创新的运算架构,使其功耗仅为其他类似技术的1%。
2024-01-19 14:35:126646

台积电开发出SOT-MRAM阵列芯片,功耗极低

台积电近日宣布,与工研院合作开发出自旋轨道转矩磁性存储器(SOT-MRAM)阵列芯片,该芯片具有极低的功耗,仅为其他类似技术的1%。这一创新技术为次世代存储器领域带来了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346

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