功率半导体器件，以前也被称为电力电子器件，简单来说，就是进行功率处理的，具有处理高电压，大电流能力的半导体器件。早期的功率半导体器件：大功率二极管、晶闸管等等，主要用于工业和电力系统（正因如此，早期才被称为电力电子器件）后来，随着以功率MOSFET器件为代表的新型功率半导体器件的迅速发展，现在功率半导体器件已经非常广泛啦，在计算机、通行、消费电子、汽车电子为代表的4C行业。功率半导体器件，在大多数情况下，是被作为开关使用，简单的说，就是用来控制电流的“通过”和“截断”。
在功率元器件领域，罗姆拥有业界顶级水平的产品阵容，在Si基超级结(SJ)-MOSFET、双极晶体管、肖特基势垒二极管、快速恢复二极管、二极管(Di)、齐纳二极管之外，又新增了碳化硅(SiC)、氮化镓等新一代元件，在各电压范围都配备了有特色的功率元器件产品。
ADI的MOSFET驱动器系列具有高速、高电流MOSFET驱动能力，可以在AC-DC和隔离式DC-DC转换器中实现高效开关转换。该系列产品采用符合工业标准尺寸规格，同时提供过温和精密使能保护特性，可增强系统的整体可靠性和性能。
Maxim的MOSFET驱动器和ORing FET控制器具有强大的功能，包括最高操作电压，保证控制器之间传播延时匹配以及最快速度关断。功率开关产品集成了控制逻辑电路和功率MOSFET或外部MOSFET驱动器，这些器件还增加了监测和保护功能，例如：过压保护(OVP)、短路保护和高温保护。
Vishay的功率 MOSFET 产品线包括芯片级 MICRO FOOT和具有先进热性能的 PowerPAK系列. 配置选项包括MOSFET 和肖特基二极管共一个封装和在一个die上集成MOSFET与肖特基二极管, 以及把用于单片封装同步降压转换器的优化的高边和低边MOSFET组合在一起的非对称PowerPAIR器件. IGBT模块具有多种不同配置, 包括半桥, 全桥, 斩波和6PAK逆变器. 集电极的电流范围很大, 最高可达200 A.
Littelfuse高可靠性的电源半导体采用最新IGBT技术以实现性能最大化并简化设计。
安森美半导体提供N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)，用于电源转换和开关电路。
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