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第一代5G设计手机中调制解调器与射频集成的关键与亮点

2019年08月26日 11:13 次阅读
5G智能手机的市场反应能力在这一个新的无线技术的转型初期是前所未有的,与之前的4G LTE演进不同, 更多的手机厂商会第一时间将新设备提供给客户;不仅是关键的调制解调器套片与射频前端(RFEE)元器件在设计周期的早期阶段就可以提供给厂商, 还因为这些解决方案都是完整的“调制解调器到天线”设计,从而进一步加快初代5G智能手机投放市场的速度。
本文将进一步探寻射频技术与元器件如何支持5G设备,从而能在5G网络生命周期中尽早投放。作为IHS Markit Technology 对5G网络与设备性能“前瞻性研究”的一部分,我们评估的至少6部初代5G智能手机,并进行了彻底的拆解分析以确定5G无线核心元器件与系统设计。这批5G智能手机分别来自三星、LG、小米、Oppo、一加以及华为
拆解分析的初代5G智能手机样本
图1 拆解分析的初代5G智能手机样本
通过深入研究这些智能手机的初代5G设计, 我们开始了解其中的主要元器件以及5G调制解调器和射频前端的供应商选择。在评估的六个手机品牌中,绝大多数(六分之五)5G部分设计由高通提供,其中三星Galaxy S10 5G的某个版本使用了Exynos(三星LSI)解决方案,而华为Mate 20X 5G则使用了自主研发的调制解调器方案(华为海思 巴龙5000)。这两个“独占”的调制解调器供应商通常是行业规则或规范的例外。研发调制解调器和射频前端需要投入大量资源。但很明显,三星和华为凭借其惊人的规模和经营范围可以负担得起垂直整合5G设计的投资。
在5G生态系统的商用方面,高通在2016年率先发布的骁龙X50调制解调器独领风骚。时至今日,还没有其他商用调制解调器厂家的5G芯片进入智能手机。联发科与紫光展锐(展讯)都已发布其第一代5G芯片组,但还没有被任何知名厂家应用在智能手机设计中。此外值得注意的是,英特尔最近将其智能手机调制解调器部门出售给了苹果(英特尔4G LTE调制解调器芯片的唯一客户),将商用调制解调器领域的供应商缩减至三家。
随着智能手机行业的成熟和巩固,中有像苹果,三星和华为前三大厂商体量的厂商才有足够的资金投入研发自有芯片组。市场中的其他厂商,包括小米,Oppo和Vivo等大型厂商均是采用商用调制解调器供应商经过验证的射频设计。凭借高通在5G领域的前期领导地位,这些智能手机厂商可以使用高通成熟5G商用解决方案更好地与三大巨头竞争。这种采购策略让手机厂商更专注于产品创新和市场差异化,而不是将有限的资源投入到核心5G调制解调器与射频前端技术研发。

分立元器件与射频前端越来越紧密的结合为5G铺设道路

就像近十年前的4G,LTE连接建立在已有的3G技术之上一样;早期的5G功能通过添加独立的芯片组到现有的LTE设计中实现。这意味着5G组件基本上像是用螺栓外挂在智能手机设计上,而不是被融合进核心芯片组中。 这不仅是为了加速智能手机的上市时间,还要通过重复使用现有的成熟设计来降低开发风险。
以下功能框图描绘了IHS Markit为本文评估的六部5G智能手机从调制解调器到天线的的核心电路设计及其之间的共性。
采用分立式5G调制解调器和射频前端的第一代5G设计
图2 采用分立式5G调制解调器和射频前端的第一代5G设计
使用高度集成的射频前端天线模块的第一代5G毫米波版本智能手机
图3 使用高度集成的射频前端天线模块的第一代5G毫米波版本智能手机
根据以上两张功能框图推断,第一代5G设计本质上是附加性的.  设计中存在分立的5G组件,例如单模5G调制解调器,5G射频收发器和单频段5G 射频前端,但它们独立与现有的LTE 射频链路。这种初代5G调制解调器设计还需要额外的支持部件,例如SDRAM电源管理,但这些部件通常已存在与智能手机的LTE部分。在现有成熟的4G设计基础上,手机厂商使用新的5G标准扩展了4G功能。通常手机厂家和运营商的上市时间要求(抢先首发)会反映在设备设计中。在这种情况下,早期的5G智能手机包含了额外的支持组件,否则这些组件将不会存在于成熟的智能手机设计中。在我们分析的六款初代5G智能手机中;六个设备中的五个具有类似于第一代5G设计的架构。 三星Galaxy S10 5G除了国际版使用三星Exynos 5100 5G芯片组以外,我们发现其他版本仍使用了高通的骁龙X50 5G调制解调器。 同样,5G 射频前端也基本都是由高通提供,这表明调制解调器和射频前端在5G通信设计中的紧密耦合
此外,第一代5G 射频前端包含Sub 6GHz 5G和毫米波(mmWave)5G两个不同分类。由于毫米波 5G的尺寸、功率和波束成形/跟踪的要求,必须使用高度集成的毫米波天线(多个)模块。这些模块化天线集成了从收发器一直到物理天线的所有射频组件。目前,市场上唯一可用的毫米波解决方案来自高通,因此,毫米波5G设计作为一套完整的调制解调器到天线解决方案提供,而其他所有竞争对手仍然处于毫米波技术开发的早期阶段(除了已经退出市场供应智能手机行业的英特尔)。本次评估的六家智能手机厂商中,三星和LG都拥有其5G智能手机的毫米波版本,以支持使用高通解决方案部署毫米波5G的美国运营商,如AT&T,T-Mobile和Verizon。

第二代5G调制解调器设计

第一代5G调制解调器最大的特点之一是缺乏多模支持,因此还需要单独的LTE调制解调器(如上文所述)。随着行业的成熟,第二代5G调制解调器将确定支持多模,将LTE和5G集成在同一芯片。 这是智能手机电路设计演进的必经之路,在减少5G智能手机电路面积的同时,还要降低其功耗和制造成本。 本次评测的六款5G智能手机中,只有华为采用其首款5G芯片组(巴龙5000)的多模调制解调器设计。 虽然这种设计不再需要单独的4G/3G/2G调制解调器,但我们的拆解显示,华为Mate 20X的其他设计远非理想,突出了早期5G技术的挑战。
其他供应商已宣布推出的第二代调制解调器有高通公司的骁龙X55和英特尔公司的XMM8160。但现实是鉴于最近英特尔退出市场,我们只会看到高通解决方案的采用。 事实上,在骁龙X55发布时,基于其多个设计方案已在开发流程中,预计将在2019年末推出。
功能框图(图4)说明了华为Mate 20X 5G智能手机的架构。虽然华为是本批评测中唯一采用多模5G调制解调器的,但与此同时带来了许多设计上的妥协。首先,Mate 20X设计中仍采用海思Kirin 980 SoC,该SoC已经具有内置的LTE调制解调器。此外,在实际运行中只有多模巴龙 5000调制解调器用于5G/4G/3G/2G通信,使得Kirin SoC中集成的调制解调器并未使用,可以说是不必要的。 更好的解决方案是使用单独的应用处理器(无调制解调器)来代替麒麟980,以降低成本,功耗和PCB占用空间。
此外,华为Mate 20X 5G为巴龙 5000配备了更高容量的SDRAM。独立调制解调器的典型做法是与将容量为数百兆字节(MB)的SDRAM一起封装进芯片,而华为Mate 20X采用了PoP封装的惊人3GB大容量LPDDR4 SDRAM(容量的数量级提升),可与大多数智能手机的主流SoC SDRAM配置相媲美。从硅片水平来看,7nm 巴龙裸片尺寸比10nm 的高通 X50大50%(本批次5G智能手机中采集到的结果)。当然,这并不是一个平等的比较,因为其中一个是多模而另一个是单模,并且是使用了不同的制程制造,但这说明了不同的厂商为实现5G而采取的设计妥协。巴龙 5000与即将推出的高通X55 5G调制解调器会是更好的比较。 X55和巴龙都是多模5G调制解调器,而X55采用7nm制程,由此我们可以推断出其裸片尺寸也会比巴龙 5000小得多。
华为Mate 20X设计中体现的效率是射频前端的简化(从收发器到天线)。与第一代设计的双无线链路相反,5G/4G/3G/2G仅需要一条无线链路,因为所有的无线通信标准都通过单个多模调制解调器和RF收发器路径(而不是两个)。
目前华为的5G设计局限于Sub 6 GHz的射频频段(目前国际上部署的5G最常用的频谱)。对于具备高性能的毫米波支持,华为尚未推出可行的射频前端解决方案。这意味着对于现在支持毫米波5G网络部署的运营商和OEM厂家而言,唯一可用的选择是高通公司高度集成的毫米波调制解调器到天线设计。
华为Mate 20X 5G设计原理
图4 华为Mate 20X 5G设计原理
华为Mate 20X设计突出了设备厂商在5G调制解调器设计,平衡功能需求,电路设计和成本方面一些挑战。 如果海思将 巴龙 5000调制解调器提供给其他OEM,并与商用调制解调器提供商直接竞争,本次对5G初代设计的评估将表明华为设计在成本,电路板面积和功效方面还不具备竞争力。 然而鉴于华为设计的“独占”性质,这些担忧是能够将5G智能手机按时推向市场的次要问题。 此外,由于海思半导体是一家“独占”供应商,因此OEM客户对提高设计效率的要求也更少,从而导致第一代设计并不是最优的。

优化未来5G设计

对初代5G智能手机的早期分析最终将我们指引未来产品中5G设计演进的方向。 正如多模调制解调器将在第二代设计中引入,带来单调制解调器设计和集成度更高的射频前端一样;随着5G技术的成熟,业界将期待核心电路设计的进一步优化。
我们将在未来看到怎样的5G设计?按照近十年前4G LTE调制解调器的演进路线,我们将在2020年的5G智能手机设计的下一次迭代中看到多模5G调制解调器与智能手机SoC本身的集成(图5)。这种更高的集成度将影响现有支持SoC的SDRAM和电源管理,并消除主板上的额外芯片,更重要的是,影响物料清单(BOM)成本。
此外,我们将看到一个高度集成和紧凑的射频前端架构用来在一个设备中同时支持Sub 6GHz和毫米波段 5G。 正如当今市场上的高端LTE智能手机具有支持全球漫游的射频频段一样,未来的5G智能手机将依靠紧凑的调制解调器到天线设计以集成更多的5G频率和模式支持。在5G应用中,对于调制解调器或调制解调器到天线设计的优化的需求是至关重要的,其中任何信号劣化都会导致用户端明显的滞后或延迟。 综上所述; 更好,更便宜,更快速的5G智能手机即将问世。
未来的5G设计
图5 未来的5G设计

结语

元器件的成熟过程是每个新无线标准演进的循环。 早期的LTE设计与我们在本文中讨论的第一代5G设计一样复杂。随着半导体制造工艺的进步和硅片更高的集成度,特别是调制解调器和射频前端的紧密耦合,业界将开始意识到成熟的5G芯片组设计所带来的优点。此外,我们预计由于智能手机设计将从LTE升级到5G,产量的增长将必然降低5G设备的整体成本。 这些优势即将在明年到来的下一代5G智能手机的经济性和性能方面体现给终端消费者。
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发表于 2019-08-26 08:42 147次阅读
华为5G CPE Pro在北京全面开花5G终端及...

怎么对天线系统进行精确仿真?

发表于 2019-08-26 07:24 10次阅读
怎么对天线系统进行精确仿真?

手机射频技术有什么关键元件?

发表于 2019-08-26 07:15 5次阅读
手机射频技术有什么关键元件?

Gartner:2020年全球5G网络设备收入将...

全球领先的信息技术研究和顾问公司Gartner预测,2020年全球5G无线网络设备收入将达到42亿美...

发表于 2019-08-25 23:29 603次阅读
Gartner:2020年全球5G网络设备收入将...

美国加州等一些地区对5G说NO,为什么?

5G被认为是未来电信、全球竞争、创新乃至市政基础设施发展的关键,但它却成为了争论的焦点。除了升级现有...

发表于 2019-08-25 14:25 140次阅读
美国加州等一些地区对5G说NO,为什么?

5G的网速很快那么还有使用wifi的必要吗

如今是科技时代,信息化发展迅速,人工智能等技术日渐成熟。随着最近中美双方贸易战的展开,5G技术逐渐进...

发表于 2019-08-25 10:27 82次阅读
5G的网速很快那么还有使用wifi的必要吗

5G基站全部换成无线千兆路由器可行吗

现在在5G初级阶段,5G手机的下载速度只能达到1Gbps左右,所以有部分网友认为,干脆运营商就在各个...

发表于 2019-08-25 10:22 64次阅读
5G基站全部换成无线千兆路由器可行吗

超5G无线收发器带来高速连接的未来

这款名为“Beyond 5G”的新设备是一款4平方毫米的半导体无线发射器接收器(收发器),它采用新颖...

发表于 2019-08-25 10:18 34次阅读
超5G无线收发器带来高速连接的未来

在未来5G技术会取代WiFi无线技术吗

如今的生活中,我们已经离不开智能手机和网络了。WiFi网络无疑为智能手机和互联网的普及做出了巨大的贡...

发表于 2019-08-25 10:16 186次阅读
在未来5G技术会取代WiFi无线技术吗

当人工智能结合5G会促使哪些行业发生变化

人工智能是数字发展的新引擎,随着AI技术和行业融合,再加上5G带来的新机遇,新一轮的发展势必会给各行...

发表于 2019-08-25 09:53 63次阅读
当人工智能结合5G会促使哪些行业发生变化

有了VR后人们的生活将进入黄金期

人类进入21世纪以来,VR成为最热门的话题。很多的是科技型大公司都开始纷纷投入这个行业中。到了今天,...

发表于 2019-08-25 09:41 35次阅读
有了VR后人们的生活将进入黄金期

5g是怎样对音频赋能的

能够给声音带来改变的,依旧是5G的基础特性:大带宽与低时延。

发表于 2019-08-25 09:26 31次阅读
5g是怎样对音频赋能的

E5070B/E5071B ENA系列射频网络分析仪应用指南1463

发表于 2019-08-23 14:47 36次阅读
E5070B/E5071B ENA系列射频网络分析仪应用指南1463

ENA-L射频网络分析仪

发表于 2019-08-23 14:41 37次阅读
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怎么设计高线性低噪声放大器?

发表于 2019-08-23 07:14 70次阅读
怎么设计高线性低噪声放大器?

射频无线模块怎么选择?

发表于 2019-08-23 07:12 83次阅读
射频无线模块怎么选择?

无线网络有什么局限性?

发表于 2019-08-23 06:13 38次阅读
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被动门禁RF设计怎么降低平均耗电量?

发表于 2019-08-23 06:03 62次阅读
被动门禁RF设计怎么降低平均耗电量?

CC1200 低功耗高性能射频收发器

信息描述CC1200 器件是一款全集成单芯片射频收发器,此器件设计用于在成本有效无线系统中实现极低功耗和低压运行的高性能。 所有滤波器都已集成,因此无需昂贵的外部表面声波 (SAW) 和中频 (IF) 滤波器。 该器件主要用于 ISM(工业、科学和医疗)以及处于 164-190MHz,410-475MHz 和 820-950MHz 的 SRD(短程设备)频带。 CC1200 器件提供广泛硬件支持,以实现数据包处理、数据缓冲、突发传输、空闲信道评估、链路质量指示和无线电唤醒。 CC1200 器件的主要运行参数可由 SPI 接口控制。 在典型系统中,CC1200 器件将与一个微控制器和极少的外部无源组件配合使用。 CC1200 和 CC1120 器件都是高性能收发器系列产品。 CC1120 器件多针对窄带应用进行了优化,而 CC1200 器件则针对宽带应用进行了优化,但是它也能够有效涵盖低至 12.5kHz 信道的窄带应用。特性RF 性能和模拟特性:高性能、单芯片收发器 出色的接收器灵敏度:1.2kbps 时为 -123dBm 50kbps 时为 -109dBm阻断性能:10MHz 时为 86dB邻道选择性:12.5kHz 偏移时高达 60dB极低相位噪声:10kHz 偏移 (169 MHz) 时为-114dBc/Hz步长为 0.4dB,高达 +16dBm 的可编...

发表于 2019-04-18 22:32 35次阅读
CC1200 低功耗高性能射频收发器

TPS795 超低噪声、高 PSRR、快速、射频...

信息描述 The TPS795 family of low-dropout (LDO), low-power linear voltage regulators features high power-supply rejection ratio (PSRR), ultralow noise, fast start-up, and excellent line and load transient responses in small outline, 6-pin SOT-223 and 3-mm × 3-mm WSON packages. Each device in the family is stable with a small 1-µF ceramic capacitor on the output. The family uses an advanced, proprietary BiCMOS fabrication process to yield extremely low dropout voltages (for example, 110 mV at 500 mA). Each device achieves fast start-up times (approximately 50 µs with a 0.001-µF bypass capacitor) while consuming very low quiescent current (265 µA, typical). Moreover, when the device is placed in standby mode, the supply current is reduced to less than 1 µA. The TPS79530 device exhibits approximately 33 µVRMS of output voltage noise at 3-V output with a 0.1-µF bypass capacitor. Applications with analog components that are noise-sen...

发表于 2019-04-18 22:20 41次阅读
TPS795 超低噪声、高 PSRR、快速、射频...

TPS730 低噪声、高 PSRR、射频 200...

信息描述The TPS730 family of low-dropout (LDO) low-power linear voltage regulators features high power-supply rejection ratio (PSRR), low noise, fast start-up, and excellent line and load transient responses in a small SOT-23 package. NanoStar packaging gives an ultrasmall footprint as well as an ultralow profile and package weight, making it ideal for portable applications such as handsets and PDAs. Each device in the family is stable, with a small, 2.2-µF ceramic capacitor on the output. The TPS730 family uses an advanced, proprietary BiCMOS fabrication process to yield low dropout voltages (for example, 120 mV at 200 mA, TPS73030). Each device achieves fast start-up times (approximately 50 µs with a 0.001-µF bypass capacitor) while consuming low quiescent current (170 µA typical). Moreover, when the device is placed in standby mode, the supply current is reduced to less than 1 µA. The TPS73018 exhibits approximately 33 µVRMS ...

发表于 2019-04-18 22:19 41次阅读
TPS730 低噪声、高 PSRR、射频 200...

ADF7020-1 高性能ISM频段FSK/AS...

和特点 低功耗、低中频收发器 频段 135 MHz至650 MHz、直接输出 80 MHz至325 MHz、2分频模式 支持数据速率: FSK: 0.15 kbps 至 200 kbps ASK:0.15 kbps 至 64 kbps 电源电压:2.3 V至3.6 V 可编程输出功率 -20 dBm至+13 dBm(63步) 接收机灵敏度 −119 dBm(1 kbps、FSK、315 MHz) -114 dBm(9.6 kbps、FSK、315 MHz) -111.8 dBm(9.6 kbps、ASK、315 MHz) 低功耗 接收模式17.6 mA 发射模式21 mA(10 dBm输出) 片内集成VCO和小数N分频PLL 片内集成7位ADC和温度传感器 全自动频率控制环路(AFC)补偿容差较低的晶振 数字RSSI 集成TRx开关 关断模式下泄漏电流小于1 µA产品详情 ADF7020-1是一款低功耗、高度集成的FSK/ GFSK/ ASK/ OOK/ GOOK收发器,设计用于低UHF和VHF频段。ADF7020-1采用外部VCO电感,用户可将工作频率设置为135 MHz和650 MHz之间的任意值。利用2分频电路,用户可以在低至80 MHz的频率下运行该器件。VCO典型范围约为工作频率的10%。ADF7020-1只需少量外部分立器件便可构建一个完整的收发器,因此非常适合对价格和电...

发表于 2019-02-22 15:04 30次阅读
ADF7020-1 高性能ISM频段FSK/AS...

ADF7020 ISM频段收发器IC

和特点 工作频段:433 MHz至464 MHz和862 MHz至928 MHz 只需很少的外部器件便可实现完整的收发器解决方案,无需TR开关 支持的数据速率:0.3至200 kb/s(FSK模式),0.3至75 kb/s(ASK模式) 采用2.3 V至3.6 V电源供电,输出功率可在-16 dBm至+13 dBm范围内以0.3 dBm的步长精度进行编程 高接收机灵敏度(1 kb/s时为-117.5 dBm)和高可编程输出功率(+13dBm)使得链路余量极为出色 产品详情 ADF7020是一款低功耗、低中频收发器,在免执照ISM频段433 MHz、868 MHz和915 MHz工作。它适合满足欧洲ETSI EN-300-220或北美FCC Part 15.247和15.249监管标准的电路应用。该器件采用2.3 V至3.6V电源供电,输出功率可在-16 dBm至+13 dBm范围内以0.3 dBm的步长精度进行编程。接收机灵敏度为-117.5 dBm(1 kb/s、FSK模式)或-110.5 dBm(9.6 kb/s)。功耗在接收模式下为20 mA,在发射模式下为30 mA(+10 dBm输出)。其它特性包括片内VCO(电压控制振荡器)、小数N分频PLL(锁相环)、片内7位ADC(模数转换器)、数字接收信号强度指示(RSSI)、温度传感器和待申请专利的全自动AFC环路。因此ADF7020可以...

发表于 2019-02-22 15:04 39次阅读
ADF7020 ISM频段收发器IC

ADF7030-1 高性能、sub-GHz无线电...

和特点 射频(RF)范围 169.4 MHz 至169.6 MHz 426 MHz 至470 MHz 863 MHz 至960 MHz 数据速率 2FSK/2GFSK: 0.1 kbps 至300 kbps 4FSK/4GFSK: 0.1 kbps 至400 kbps (仅发射) 双通道功率放大器(PA) 可编程接收器带宽:3 kHz至487 kHz 接收器(Rx)性能 阻塞:高达97 dB(±10 MHz失调) 邻道抑制:高达66 dB 灵敏度:-122.8 dBm(2.4 kbps) 发射器(Tx)性能 范围:−20 dBm至+17 dBm,步长分辨率为0.1 dB 输出功率随温度和电源变化波动极低 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情 ADF7030-1是一款完全集成的无线电收发器,以极低功耗实现高性能。该器件非常适合要求长距离、网络鲁棒性和长电池续航时间的应用。它适合在ISM、SRD,以及169 MHz、426 MHz至470 MHz和862 MHz至960 MHz许可频段范围内工作的应用。它对IEEE802.15.4等基于标准的协议提供广泛支持,同时还灵活地支持众多专有协议。高度可配置的低中频(IF)接收器支持3.6 kHz至487 kHz范围内的各种IF带宽。这使得ADF7030-1支持超低窄带、窄带和宽带通道间隔。ADF7030-1具有两个独立的PA,分别支持−20 dBm至...

发表于 2019-02-22 15:04 49次阅读
ADF7030-1 高性能、sub-GHz无线电...

ADF7021-N 高性能窄带收发器IC

和特点 低功耗、窄带收发器 利用双VCO的频带范围: 80 MHz至650 MHz 842 MHz至916 MHz 可编程中频滤波器带宽为9 kHz、13.5 kHz和18.5 kHz 调制方式:2FSK、3FSK、4FSK、MSK 频谱整形方式:高斯和升余弦滤波 全自动频率控制环路(AFC) 片内集成7位ADC和温度传感器 片内集成VCO和小数N分频PLL 支持的数据速率:0.05 kps至24 kbps 2.3 V至3.6 V电源供电 可编程输出功率 −16 dBm至+13 dBm(63步) 自动功率放大器(PA)斜坡控制 接收机灵敏度: −130 dBm(100 bps、2FSK时) −122 dBm(1 kbps、2FSK时) 正在申请专利的片内镜像抑制校准 数字接收信号强度指示(RSSI) 集成收发(Tx/Rx)开关 关断模式下泄漏电流为0.1 μA 产品详情 ADF7021-N是一款基于ADF7021的高性能、低功率、窄带收发器,拥有9 kHz、13.5 kHz和18.5 kHz的中频滤波器带宽,完全符合各种全球窄带通信标准,尤其是那些要求12.5 kHz通道分离的标准。ADF7021-N可在窄带、免执照ISM频段以及80 MHz至650 MHz和842 MHz至916 MHz频率范围的特许执照频段内工作。该器件具有高斯和升余弦两种发送数据滤波选项,用以改善...

发表于 2019-02-22 15:04 12次阅读
ADF7021-N 高性能窄带收发器IC

ADF7030 高性能、低功耗、169MHz I...

和特点 RF频率范围: 169.4 MHz至169.6 MHz 调制: 2GFSK、4GFSK 数据速率: 2GFSK: 2.4 kbps和4.8 kbps 4GFSK: 6.4 kbps (仅Tx) 1nA休眠电流 接收器性能 阻塞:97 dB(±10 MHz失调) t邻道抑制:66 dB 灵敏度:−122 dBm 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情 ADF7030是一款低功耗、高性能、集成式无线电收发器,支持169.4MHz至169.6MHz ISM频段内的窄带操作。 ADF7030支持以2.4kbps和4.8kbps进行发送和接收工作(使用2GFSK调制),以及以6.4kbps进行发送工作(使用4GFSK调制)。 ADF7030片上集成ARM® Cortex®-M0处理器,可执行无线电控制和数据包管理。 应用 无线M总线模式N (EN 13757-4) 智能计量 公共报警 有源标签资产跟踪 方框图...

发表于 2019-02-22 15:04 58次阅读
ADF7030 高性能、低功耗、169MHz I...

ADF7010 高性能ISM频段ASK/FSK/...

和特点 单芯片、低功耗UHF发射机频段:902 MHz–928 MHz 片内VCO和小数N分频PLL 电源电压:2.3 V–3.6 V可编程输出功率:-16 dBm至+12 dBm,步进为0.3 dB 数据速率最高达76.8 kb/s低功耗:28 mA(8 dBm输出)掉电模式:小于1 µA 24引脚TSSOP封装 产品详情 ADF7010是一款低功耗OOK/ASK/FSK/GFSK UHF发射机,设计用于ISM频段系统,内置一个集成式VCO和Σ-Δ小数N分频PLL。输出功率、通道间隔和输出频率均可通过4个24位寄存器编程设置。利用小数N分频PLL,用户可以选择美国902 MHz - 928 MHz频段内的任何通道频率,从而可以将ADF7010用于跳频系统。可以从四种不同调制方案中进行选择:二进制或高斯频移键控(FSK/GFSK)、幅移键控(ASK)或开关键控(OOK)。该器件还有一个晶体补偿寄存器,它可以在输出频率中提供_1 ppm分辨率。利用该寄存器,能够以低成本实现对晶体的间接温度补偿。 四个片内寄存器通过一个简单的三线式接口进行控制。该器件采用2.3 V至3.6 V电源供电,不用时可以关断。 方框图...

发表于 2019-02-22 15:04 54次阅读
ADF7010 高性能ISM频段ASK/FSK/...

ADF7021-V 高性能窄带收发器IC

和特点 高性能、低功耗、窄带收发器 增强性能版 ADF7021-N, 带外部VCO 利用外部VCO的频带范围:80 MHz至960 MHz 与ADF7021-N相比,邻道功率(ACP)和邻道抑制(ACR)性能得到提升 可编程中频滤波器带宽:9 kHz、13.5 kHz和18.5 kHz 调制方式:2FSK、3FSK、4FSK、MSK 频谱整形方式:高斯和升余弦滤波 数据速率:0.05 kbps至24 kbps 电源电压:2.3 V至3.6 V 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情 ADF7021-V是一款基于 ADF7021-N的高性能、低功率、窄带RF收发器,其架构与ADF7021-N相似,不同之处在于片内RF频率合成器采用了一个外部VCO,适合要求提高相位噪声性能的应用。ADF7021-V可在免执照ISM频段以及80 MHz至960 MHz特许执照频段内工作。为了尽量降低RF馈通和杂散发射,外部VCO以2倍或4倍的所需RF频率工作;ADF7021-V最高支持1920 MHz的VCO工作频率。可通过在RF频率合成器环路外部进行额外的片内二分频来对4倍VCO工作进行编程,提高相位噪声性能。与ADF7021-N接收器一样,ADF7021-V支持9 kHz、13.5 kHz和18.5 kHz的中频滤波器带宽,因而成为全球窄带遥测...

发表于 2019-02-22 15:04 16次阅读
ADF7021-V 高性能窄带收发器IC

ADF7021 高性能窄带ISM收发器IC

和特点 低功耗、高性能、窄带收发器 频段:80-650MHz和862-940MHz 调制方式:2FSK、3FSK、4FSK 频谱整形方式:高斯和升余弦滤波 自动PA斜坡 支持的数据速率:0.05 kbps至25 kbps 可编程输出功率:-16dBm至+13dBm 低中频架构,可编程中频带宽:12.5/18.5/25kHz 2.3V至3.6V电源供电 接收机灵敏度:-123dBm (1kbps FSK) 全自动频率控制环路(AFC)补偿容差较低的晶振 高精度数字RSSI和集成Tx/Rx开关产品详情 ADF7021是一款低功耗、高度集成的2FSK/3FSK/4FSK收发器。该器件可在窄带、免执照ISM频段以及80 MHz至650 MHz和862 MHz至940 MHz频率范围的特许执照频段内工作。该器件具有高斯和升余弦两种数据滤波选项,用以改善窄带应用的频谱效率。它适合符合以下标准或法规的电路应用:欧洲ETSI EN 300-220标准、日本ARIB-T67标准、中国近程设备管理法规以及北美FCC Part 15、Part 90和Part 95监管标准。ADF7021只需少量外部分立器件便可构建一个完整的收发器,因此非常适合对价格和电路板面积敏感的应用。发射部分包含一个电压控制振荡器(VCO)和一个输出分辨率<1 ppm的低噪声小数N分频PL...

发表于 2019-02-22 12:18 10次阅读
ADF7021 高性能窄带ISM收发器IC

ADRF6602 1,000 MHz至3,100...

和特点 集成小数N分频PLL的接收混频器 RF输入频率范围:1000 MHz至3100 MHz 内部LO频率范围:1550 MHz至2150 MHz 输入P1dB:+12 dBm 输入IP3:+29 dBm 通过外部引脚优化IP3 SSB噪声系数:12 dB 电压转换增益:6 dB 200 Ω IF输出匹配阻抗 IF 3 dB带宽:500 MHz 可通过三线式SPI接口进行编程 40引脚6 mm × 6 mm LFCSP封装 产品详情 ADRF6602是一款高动态范围有源混频器,集成PLL和VCO。PLL/频率合成器利用小数N分频PLL产生FLO输入,供给混频器。基准输入可以进行分频或倍频,然后施加于PLL鉴相器。PLL支持12 MHz至160 MHz范围内的输入基准频率。鉴相器输出控制一个电荷泵,其输出在片外环路滤波器中进行积分。然后,环路滤波器输出施加于一个集成式VCO。VCO输出(2*FLO)再施加于一个LO分频器和一个可编程PLL分频器。可编程分频器由一个Σ-Δ调制器(SDM)进行控制。SDM的模数可以在2至2047范围内编程。有源混频器可将单端50 Ω RF输入转换为200 Ω差分IF输出。IF输出的工作频率最高可达500 MHz。ADRF6602采用先进的硅-锗BiCMOS工艺制造,提供40引脚、裸露...

发表于 2019-02-22 12:17 46次阅读
ADRF6602 1,000 MHz至3,100...

ADRF6603 1,100 MHz至3,200...

和特点 集成小数N分频PLL的Rx混频器 RF输入频率范围:1100 MHz至3200 MHz 内部LO频率范围:2100 MHz至2600 MHz 输入P1dB:14.6 dBm 输入IP3:27 dBm 通过外部引脚优化输入IP3 SSB 噪声系数IP3SET引脚开路:14.2 dB IP3SET引脚3.3 V:15.2 dB 电压转换增益:6.9 dB 200 Ω IF输出匹配阻抗 IF 3 dB 带宽:500 MHz 可通过三线式SPI接口进行编程 40引脚、6 mm × 6 mm LFCSP封装产品详情 ADRF6603是一款高动态范围有源混频器,集成小数N分频锁相环(PLL)和压控振荡器(VCO),用于内部混频器LO的产生。ADRF6603与ADRF6602共同构成了一个集成PLL/混频器系列,涵盖2100 MHz至2600 MHz频率范围。PLL基准输入支持12 MHz至160 MHz范围内的输入频率。PFD输出控制一个电荷泵,其输出驱动一个片外环路滤波器。环路滤波器输出再施加于一个集成式VCO。VCO输出(2× fLO)施加于一个LO分频器和一个可编程PLL分频器。可编程PLL分频器由一个Σ-Δ调制器(SDM)进行控制。SDM的模数可以在1至2047范围内编程。有源混频器可将单端50 Ω RF输入转换为200 Ω差分...

发表于 2019-02-22 12:17 68次阅读
ADRF6603 1,100 MHz至3,200...

HMC939ALP4E 1.0 dB LSB G...

和特点 衰减范围:1 dB LSB步进至31 dB 插入损耗:典型值6 dB(33 GHz) 衰减精度:±0.5 dB(典型值) 输入线性度o0.1 dB压缩(P0.1dB):24 dBm(典型值)o三阶交调点(IP3):40 dBm(典型值) 功率处理:27 dBm 双电源供电:±5 V CMOS/TTL兼容并行控制 24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装HMC939ATCPZ-EP支持防务和航空航天应用(AQEC标准) 下载HMC939ATCPZ-EP数据手册(pdf) 军用温度范围:-55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 产品详情 HMC939ALP4E是一款5位数字衰减器,以1 dB步长提供31 dB的衰减控制范围。HMC939ALP4E在100 MHz至33 GHz的指定频率范围内提供最佳的插入损耗、衰减精度和输入线性度。HMC939ALP4E需要VDD = +5 V和VSS = −5 V双电源电压供电,通过集成片内驱动器提供CMOS/TTL兼容并行控制接口。该器件采用符合RoHS标准的紧凑型4 mm × 4 mm LFCSP封装。有关HMC939ALP4E的裸片版本,请参见HMC939A-DIE。应用 测试仪器仪表 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT) 军...

发表于 2019-02-22 12:16 75次阅读
HMC939ALP4E 1.0 dB LSB G...

ADL5367 900 MHz 平衡混频器,内置...

和特点 功率转换损耗:7.0 dB RF频率范围:500 MHz至1500 MHz IF频率范围:DC至450 MHz 10 dBm阻塞单边带噪声指数:17 dB 输入IP3:37 dBm 输入P1dB :25 dBm 本振驱动:0 dBm(典型值) 单端50Ω RF与本振输入端口 高隔离度单刀双掷(SPDT)本振输入开关 单电源电压:3.3至5 V 5 mm × 5 mm,20引脚裸露焊盘LFCSP封装 2000V HBM / 500V FICDM ESD性能产品详情 ADI参考设计:混合信号数字预失真(MSDPD)平台ADL5367利用一个高线性度双平衡无源混频器内核以及集成的RF与本振平衡电路来实现单端工作。ADL5367内置一个RF巴伦,能够利用高端本振注入,在700至1000 MHz的RF输入频率范围内实现最佳性能。(用于低端本振注入的引脚兼容器件也已供应。)平衡的无源混频器提供良好的本振至射频泄漏(典型值优于-20 dBm),以及出色的互调性能。在手机应用中,带内阻塞信号可能会导致动态性能下降,ADL5367的平衡混频器内核能够提供极高的输入线性度,非常适合于要求严苛的手机应用。对于低压应用,ADL5367能在低至3V的电压下工作,并大幅降低直流电流。两个数字逻辑输入使得用户能够控制一个内部电阻串数模...

发表于 2019-02-22 12:16 83次阅读
ADL5367 900 MHz 平衡混频器,内置...

AD8346 2.5 GHz 直接变频正交调制器

和特点 输出频率范围:800 MHz至2.5 GHz I/Q基带频率范围:DC至70 MHz 输出功率:–3 dBm P1 dB 本底噪声:–147 dBm/Hz 正交相位精度:1°(均方根值) 振幅平衡:0.2 dB 低功耗,具有省电功能 2.7 V至5.5 V单电源 与 AD8345 / AD8349引脚兼容 产品详情 AD8346是一款硅I/Q正交调制器,设计用于800 MHz至2.5 GHz频率范围。该器件针对低功耗应用进行了优化,对于给定的电源电流,仍能提供极低的本底噪声和高输出功率。AD8346只需要–10 dBm LO驱动电平,提供额定50 Ω缓冲输出。该器件可提供出色的振幅和相位平衡以及边带抑制特性,支持高阶/高容量QAM调制无线电。此外,AD8346已经过测试,用于直接上变频CDMA IS95调试器时,可提供–72dBc ACPR。AD8346采用16引脚超薄紧缩小型(TSSOP)封装,额定温度范围为–40°C至+85°C。供货提供样片和评估板,产品型号分别为AD8346ARU和AD8346-EVAL。其它调制器/解调器产品AD8345 - 250MHz - 1GHz RF / IF正交调制器AD8347 – 800MHz - 2.7 GHz RF / IF正交解调器AD8349 – 800MHz - 2.7 GHz直接上变频正交调制器 方框图...

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AD8346 2.5 GHz 直接变频正交调制器

HMC1040-DIE 20 GHz 至 44 ...

和特点 低噪声指数:2 dB(典型值) 高增益:25.0 dB(典型值) P1dB 输出功率:13.5 dBm,24 GHz 至 40 GHz 高输出 IP3:25.5 dBm(典型值) 裸片尺寸:1.309 mm × 1.48 × 0.102 mm 产品详情 HMC1040CHIPS 是一款砷化镓 (GaAs)、赝晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、微波单片集成电路 (MMIC) 低噪声宽带放大器,工作范围为 20 GHz 至 44 GHz。HMC1040CHIPS 具有自偏置功能,并提供 25.0 dB 的典型增益、2 dB 的典型噪声指数和 25.5 dBm 的典型输出三阶交调点 (IP3),只需要 65 mA 电流,2.5 V 电源电压。15.5 dBm 的典型饱和输出功率 (PSAT) 可以使低噪声放大器 (LNA) 用作 Analog Devices, Inc. 众多平衡式同样正交 (I/Q) 或镜频抑制混频器的本地振荡器 (LO) 驱动器。HMC1040CHIPS 还具有可在内部匹配至 50 Ω 的输入和输出,使其适用于基于表面安装技术 (SMT) 的高容量微波无线电应用。应用 软件定义无线电 电子战 雷达应用 卫星通信 电子战 仪器仪表 电信 方框图...

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HMC1040-DIE 20 GHz 至 44 ...

ADL5541 射频/中频( RF/IF)增益模...

和特点 固定增益:15 dB 工作频率:6 GHz 内部匹配的50Ω输入/输出电阻 内置偏置控制电路 输出IP3 44 dBm @ 500 MHz 40 dBm @ 900 MHz 输出1 dB压缩点:19.7 dBm @900 MHz 噪声系数:3.5 dB @ 900 MHz 单电源供电:5V 8引脚LFCSP小尺寸封装 与20 dB增益的ADL5542 引脚兼容 1 kV静电放电(ESD)保护(Class 1C) 产品详情 ADL5541是一款15 dB宽带的线性放大器,工作频率高达6 GHz。该放大器可以用于各种有线电视、手机以及仪器设备。 ADL5541可以提供15 dB增益,在频率、温度与电源范围内稳定工作, 器件一致性好。该增益模块内部匹配输入电阻为50Ω,在6 GHz以内其输入回波损耗为10 dB以下。它工作时只要求输入/输出交流耦合电容器、电源去耦合电容器以及外部电感。 ADL5541采用InGaP HBT工艺制作,静电放电(ESD)保护额定值为1 kV (Class 1C)。它采用3 mm × 3 mm LFCSP封装,带裸露焊盘,具有出色的热阻性能。 ADL5541采用5 V单电源供电,功耗90 mA,工作温度范围:-40°C至+85°C。 现在可以供应完全符合RoHS标准的评估板。 ADL5542为系列产品,可提供增益20 dB,与ADL55...

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ADL5541 射频/中频( RF/IF)增益模...

AD8341 RF矢量调制器,1.5 GHz 至...

和特点 工作频率范围:1.5 GHz至2.4 GHz 幅度控制范围:30 dB 笛卡尔I/Q基带频率范围:DC至230 MHz 输出三阶交调截点:+17.5 dBm 相位控制范围:360° 输出1dB压缩点:+8.5 dBm 输出开关禁用功能 5V单电源 与AD8340引脚兼容 产品详情 单芯片RF振幅与移相器AD8341是一款高性能RF矢量调制器,输入频率范围为1.5 GHz至2.4 GHz,可连续、独立地调整振幅和相位。通过宽带笛卡尔I/Q接口,可实现完整的360°相位调整和30 dB以上的增益控制。I和Q接口提供230 MHz的全功率信号带宽,可通过单端或差分方式驱动,具有±500 mV满量程输入。AD8341采用24引脚LFCSP封装,额定温度范围为–40°C至+85°C。供货提供样片和评估板,产品型号分别为AD8341ACP和AD8341-EVAL。同类产品AD8302 - 低频至2.7 GHz RF/IF增益相位检波器AD8340 - RF矢量调制器,700 MHz至1000 MHz其它调制器/解调器产品AD8345 - 250 MHz至1000 MHz低噪声RF/IF调制器AD8346 - 800 MHz至2.5 GHz低功耗直接上变频调制器AD8347 - 800 MHz至2.7 GHz直接变频解调器AD8348 - 50 MHz至1000 MHz RF/IF正交解调器AD...

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AD8341 RF矢量调制器,1.5 GHz 至...

ADL6010 快速响应、45 dB 范围、 0...

和特点 具有线性度的肖特基二极管检波器 宽带50 Ω输入阻抗 具有最小斜率变化的精确响应范围:0.5 GHz至43.5 GHz 输入范围:−30 dBm至+15 dBm,参考50 Ω 出色的温度稳定性 2.1 V/VPEAK(输出电压根据输入峰值电压)斜率(10 GHz) 快速包络带宽: 40 MHz 快速输出上升时间: 4 ns 低功耗: 1.6 mA (5.0 V) 2 mm x 2 mm、6引脚LFCSP封装 产品详情 ADL6010是一款多功能微波频谱宽带包络检波器, 以单个易于使用的6引脚封装提供一流的精度和极低的功耗(8 mW)。 该器件输出的基带电压与射频(RF)输入信号的瞬时幅度成正比。 它的RF输入具有非常小的斜率变化,以便包络从0.5 GHz到43.5 GHz的输出传递函数检波器单元使用专利的八肖特基二极管阵列,后接新颖的线性化电路,可创建相对于输入电压幅度,总比例因子(或传递增益)标称值为?2.2的线性电压表虽然ADL6010本质上并不是一款功率响应器件,但以这种方式指定输入依然是很方便的。 因此,相对于50 Ω源输入阻抗,允许的输入功率范围为−30 dBm至+15 dBm。 对应的输入电压幅度为11.2 mV至1.8 V,产生范围从25 mV左右到4 V以上共模(COMM)的准直流输出。平衡检波器拓扑...

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ADL6010 快速响应、45 dB 范围、 0...

HMC253AQS24 GAAS MMIC SP...

和特点 低插入损耗(2 GHz):1.1dB 单正电源:Vdd = +5V 集成式3:8 TTL解码器 24引脚QSOP封装 产品详情 HMC253AQS24和HMC253AQS24E均为低成本非反射SP8T开关,采用24引脚QSOP封装,宽带工作频率范围为DC至2.5 GHz。该开关提供单正偏置和真TTL/CMOS兼容性。该开关上集成了3:8解码器,仅需三个控制线和一个正偏置即可选择每个路径。HMC253AQS24和HMC253AQS24E SP8T将替代SP4T和SPDT MMIC开关的多种配置。应用 CATV/DBS CDMA 蜂窝/PCS 方框图...

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HMC253AQS24 GAAS MMIC SP...

HMC647A GaAs MMIC 6位数字移相...

和特点 低RMS相位误差: 1.5° 低插入损耗: 4 dB 高线性度: +50 dBm 正控制逻辑 360°覆盖,LSB = 5.625° 28引脚QFN无引脚SMT封装: 36mm2产品详情 HMC647ALP6E是一款6位数字移相器,额定频率范围为2.5至3.1 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC647ALP6E在所有相态具有1.5度的极低RMS相位误差及±0.4 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/+5V的正控制逻辑控制。HMC647ALP6E采用紧凑型6x6 mm塑料无引脚SMT封装,内部匹配50 Ohms,无需任何外部元件。 应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消 方框图...

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HMC647A GaAs MMIC 6位数字移相...

ADMV1011 17 GHz至24 GHz、G...

和特点 RF输出频率范围:17 GHz至24 GHz IF输入频率范围:2 GHz至4 GHz LO输入频率范围:8GHz至12 GHz,集成2×乘法器 边带抑制:32 dB(下边带) P1dB:25 dBm 增益调节:30 dB 输出IP3:33 dBm 匹配50 Ω RF输出、LO输入和IF输入 32引脚、4.9 mm × 4.9 mm LCC封装 产品详情 ADMV1011是一款采用紧凑的砷化镓(GaAs)设计、单芯片微波集成电路(MMIC)、双边带(DSB)上变频器,采用符合RoHS标准的封装,针对工作频率范围为17 GHz至24 GHz的点对点微波无线电设计进行优化。ADMV1011提供21 dB的转换增益,具有针对下边带和上边带的32 dBc和23 dBc边带抑制性能。ADMV1011采用射频(RF)放大器,前接由驱动放大器驱动集成2×乘法器的本振(LO)的同相/正交(I/Q)双平衡混频器。还提供IF1和IF2混频器输入,需通过外部90°混合选择所需的边带。I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带的滤波要求。ADMV1011为混合型DSB上变频器的小型替代器件,它无需线焊,可以使用表贴制造装配。ADMV1011上变频器采用紧凑的散热增强型、4.9 mm × 4.9 mm LCC封装。ADMV1011工作温度范围为−40°C至+85°...

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ADMV1011 17 GHz至24 GHz、G...

AD8343 DC至2.5 GHz 、高IP3有...

和特点 高性能有源混频器 宽带操作,频率最高达2.5 GHz 转换增益:7 dB 输入IP3:16.5 dBm LO驱动:–10 dBm 噪声系数:14 dB 输入P1dB:2.8 dBm 差分LO、IF和RF端口 50 Ω LO输入阻抗 单电源供电:5 V(50 mA,典型值) 省电模式:20 µA(典型值)产品详情 AD8343是一款高性能、宽带有源混频器,具有极低交调失真,所有端口均具有宽带宽,非常适合要求严格的发射应用或接收通道应用。AD8343的典型变频增益为7 dB。集成的LO驱动器以低LO驱动电平,支持50 Ω差分输入阻抗,有助于将外部元件数降至最少。开发差分输入可以直接与差分滤波器接口,或通过平衡-不平衡变换器(变压器)驱动,由单端源提供平衡驱动。开集差分输出可以用来驱动差分中频信号接口,或通过匹配网络或变压器转换为单端信号。以VPOS电源电压为中心时,输出摆幅为±1 V。LO驱动器电路的典型功耗为15 mA。可利用两个外部电阻来设置混频器内核电流,以达到要求的性能,总电流为20 mA至60 mA。采用5 V单电源供电时,相应的功耗为100 mW至300 mW。AD8343采用ADI公司的高性能25 GHz硅双极性IC工艺制造,提供14引脚TSSOP封装,工作温度范围为−...

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AD8343 DC至2.5 GHz 、高IP3有...

ADF7023 高性能、低功耗ISM频段FSK/...

和特点 超低功耗、高性能收发器 工作频段862 MHz至928 MHz431 MHz至464 MHz 支持的数据速率:1 kbps至300 kbps 电源电压范围:2.2 V至3.6 V 单端和差分PA 中频带宽可编程的低中频接收机:100 kHz、150 kHz、200 kHz、300 kHz 接收机灵敏度(BER)−116 dBm(1.0 kbps,2FSK、GFSK)−107.5 dBm(38.4 kbps,2FSK、GFSK)−102.5 dBm(150 kbps,GFSK、GMSK)−100 dBm(300 kbps,GFSK、GMS)−104 dBm(19.2 kbps,OOK) 极低功耗 RF输出功率范围:−20 dBm至+13.5 dBm(单端PA) 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情 ADF7023是一款工作在862 MHz至931 MHz和431 MHz至464 MHz频段的极低功耗、高集成度2FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收发器,这些频段覆盖免许可的433MHz、868MHz和915MHz ISM频段。它适合欧洲ETSI EN300-220、北美FCC (Part 15)、中国短程无线监管标准或其它类似地区标准下的电路应用。支持1 kbps至300 kbps的数据速率。发射RF频率合成器包含一个VCO和一个输出通道频率分辨率为400 Hz的低噪声小数N分频锁相环(PLL)。VCO的工作频...

发表于 2019-02-22 12:06 72次阅读
ADF7023 高性能、低功耗ISM频段FSK/...

HMC-C584 0.1 GHz至40 GHz、...

和特点 1.0 dB LSB步进至31 dB 每位单正控制线 误码率:±1.0 dB(典型值) 输入IP3: 43 dBm CMOS兼容控制 密封模块 可现场更换的K型连接器 工作温度: -55℃至+85℃ 产品详情 HMC-C584是一款0.1 GHz至40 GHz、5位、砷化镓(GaAs) IC数字衰减器,封装在微型密封模块中。 这款宽带衰减器具有7 dB的典型插入损耗和43 dBm的输入IP3,位值为1 dB (LSB)、2 dB、4 dB、8 dB和16 dB,总衰减范围为31 dB。 该器件的衰减精度很高,典型步长误差为±1.0 dB。 五个控制电压输入在0 V和5 V之间切换,用于选择每个衰减状态。 可移除的K型连接器可以拆卸,以便将模块的输入/输出引脚直接连接到微带或共面电路。应用 光纤和宽带电信 微波无线电和VSAT 军用无线电、雷达和电子对抗(ECM) 空间系统 测试仪器仪表 方框图...

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HMC-C584 0.1 GHz至40 GHz、...

ADRF6601 750 MHz至1160 MH...

和特点 集成小数N分频PLL的接收混频器 RF输入频率范围:300 MHz至2500 MHz 内部LO频率范围:750 MHz至1160 MHz 输入P1dB:14.5 dBm 输入IP3:31 dBm 通过外部引脚优化IIP3 SSB噪声系数IP3SET引脚断开:13.5 dBIP3SET引脚接3.3 V电压:14.6 dB 电压转换增益:6.7 dB 200 Ω IF输出匹配阻抗 IF 3 dB带宽:500 MHz 可通过三线式SPI接口进行编程 40引脚、6 mm × 6 mm LFCSP封装 产品详情 ADRF6601是一款高动态范围有源混频器,集成锁相环(PLL)和压控振荡器(VCO)。PLL/频率合成器利用小数N分频PLL产生fLO输入,供给混频器。基准输入可以进行分频或倍频,然后施加于PLL鉴频鉴相器(PFD)。PLL支持12 MHz至160 MHz范围内的输入基准频率。PFD输出控制一个电荷泵,其输出驱动一个片外环路滤波器。然后,环路滤波器输出施加于一个集成式VCO。VCO输出(2 × fLO)再施加于一个LO分频器和一个可编程PLL分频器。可编程PLL分频器由一个Σ-Δ调制器(SDM)进行控制。SDM的模数可以在1至2047范围内编程。有源混频器可将单端50 Ω RF输入转换为200 Ω差分IF输出。...

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ADRF6601 750 MHz至1160 MH...

ADRF6720-27 宽带(400 MHz至3...

和特点 集成小数N分频PLL的I/Q调制器 RF输出频率范围: 400 MHz至3,000 MHz 内部LO频率范围: 356.25 MHz至2855 MHz 输出P1dB: 10.8 dBm (2140 MHz) 输出IP3: 31.1 dBm (2140 MHz) 载波馈通: −44.3 dBm (2140 MHz) 边带抑制: -40.8 dBc(2,140 MHz) 噪底: −159.5 dBm/Hz (2140 MHz) 基带1 dB调制带宽: >1000 MHz 基带输入偏置电平: 2.68 V 电源: 3.3 V /425 mA 集成式RF可调谐巴伦,允许单端RF输出 多核集成式VCO HD3/IP3优化 边带抑制和载波馈通优化 高端/低端LO注入 可通过三线式串行端口接口(SPI)进行编程 40引脚6 mm x 6 mm LFCSP封装 产品详情 ADRF6720-27是一款集成频率合成器的宽带正交调制器,非常适合用于3G和4G通信系统。 ADRF6720-27内置一个高线性度宽带调制器、一个集成式小数N分频锁相环(PLL),以及四个低相位噪声多核压控振荡器(VCO)。 ADRF6720-27本振(LO)信号可从内部通过片内整数N分频或小数N分频频率合成器产生,也可从外部通过高频、低相位噪声LO信号产生。 内部集成式频率合成器利用多核VCO,实现356.25 MHz到28...

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ADRF6720-27 宽带(400 MHz至3...

ADRF6658 集成IF放大器的宽带双通道RX...

和特点 宽带、双通道、有源下变频混频器 低失真、快速建立、IF DGA RF输入频率范围:690 MHz至3.8 GHz RF输入端的可编程巴伦 差分和单端LO输入模式 差分IF输出阻抗:100 Ω 可通过三线式串行端口接口(SPI)进行编程 对于RF=1950 MHz、IF=281 MHz、高线性度模式: 电压转换增益,包括IF滤波器损耗:−5至+26.5 dB (更多详细信息,请参见数据手册) 灵活的省电模式,针对低功耗操作 通道使能后的上电时间:100 ns,典型值 3.3 V单电源 高线性度模式:440 mA 低功耗模式:260 mA 产品详情 ADRF6658是一款高性能、低功耗、宽带、双通道无线电频率(RF)下变频器,集成中频(IF)数字控制放大器(DGA),适用于宽带、低失真基站无线电接收机。 双通道Rx混频器为双平衡吉尔伯特单元混频器,具有高线性度和出色的图像抑制能力。 两款混频器均可将50 Ω RF输入转换为开集宽带IF输出。 在混频器输入前,RF输入端的内部可调谐巴伦可抑制RF信号谐波并衰减带外信号,从而减少输入反射和带外干扰信号。 灵活的本振(LO)架构允许使用差分或单端LO信号。 双通道IF DGA基于ADL5201和ADL5202,固定差分输出...

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ADRF6658 集成IF放大器的宽带双通道RX...

HMC6300 60 GHz毫米波发射器,57 ...

和特点 频段:57 - 64 GHz RF信号带宽:最高达1.8 GHz 针对1 dB压缩的输出功率:15 dBm 增益:5 - 35 dB 数字和模拟RF和IF增益控制 集成频率合成器 集成镜像抑制滤波器 部分外置的环路滤波器 支持外部LO 片内温度传感器 支持256-QAM调制 集成MSK调制器 通用模拟I/Q基带接口 三线式串行数字接口 符合RoHS标准的65引脚晶圆级球栅阵列封装 产品详情 HMC6300BG46是一款完整的毫米波发射器集成电路,采用符合RoHS标准的6 mm x 4 mm晶圆级球栅阵列(WLBGA)封装,工作频率范围为57 GHz至64 GHz,调制带宽高达1.8 GHz。集成式频率合成器在250、500或540 MHz步长下进行调谐,具有出色的相位噪声,支持高达64-QAM的调制。或者,可以注入外部LO,它支持用户可选LO特性或相位相干发射和接收操作以及高达256-QAM的调制。通过通用模拟基带IQ接口提供对各种调制格式的支持。发射器芯片还支持专用FSK、MSK、OOK调制格式,从而实现更低成本和功耗的串行数据链路,而无需使用高速数据转换器。差分输出向100 Ω负载提供高达15 dBm的线性输出功率。同时支持单端操作,最高12 dBm。与HMC6301BG46一起,完整的60 G...

发表于 2019-02-22 12:05 48次阅读
HMC6300 60 GHz毫米波发射器,57 ...