应用,实现新型电源和转换系统。(例如,5G通信电源整流器和服务器计算)GaN不断突破新应用的界限,并开始取代汽车、工业和可再生能源市场中传统硅基电源解决方案。 图1:硅设计与GaN设计的磁性元件功率密度
2022-11-07 06:26:02
受到关注。因此,这些设备可能存在于航空航天和军事应用的更苛刻条件下。但是这些行业对任何功率器件(硅或GaN)都要求严格的质量和可靠性标准,而这正是GaN HEMT所面临的问题。氮化镓HEMT与硅
2020-09-23 10:46:20
随着电子技术的不断发展,静电防护技术不断提高,无论是在LED器件设计上,还是在生产工艺上,抗ESD能力都有明显的进步,但是,GaN基LED毕竟是ESD敏感器件,静电防护必须渗透到生产全过程
2013-02-19 10:06:44
五、 LED静电防护技术 1、一般静电防护的基本思路: 1)从元器件设计方面,把静电保护设计到LED器件内,例如大功率LED,设计者在承载GaN基LED芯片倒装的硅片上,设计静电保护二极管,这时
2013-02-20 09:25:41
宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅(Si)和第二代化合物半导体砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、磷化铟(InP)等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
,几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了双极性早期产品不可能实现的性能和密度级别。然而,近年来,这些已取得的进步开始逐渐弱化,为下一个突破性技术创造了空间和需求。这就是氮化镓(GaN)引人注目
2022-11-14 07:01:09
GaN功率集成电路技术:过去,现在和未来
2023-06-21 07:19:58
(MOSFET)是在20世纪70年代末开发的,但直到20世纪90年代初,JEDEC才制定了标准。目前尚不清楚JEDEC硅材料合格认证对GaN晶体管而言意味着什么。 标准滞后于技术的采用,但标准无需使技术可靠
2018-09-10 14:48:19
半导体材料可实现比硅基表亲更小,更快,更可靠的器件,并具有更高的效率,这些功能使得在各种电源应用中减少重量,体积和生命周期成本成为可能。 Si,SiC和GaN器件的击穿电压和导通电阻。 Si,SiC
2022-08-12 09:42:07
已听到我们的行业代言人宣布,“GaN将迎来黄金发展时间。”这一公告似乎在暗示,GaN已准备好出现在广大听众、用户或为数众多的应用面前。这也表明,GaN技术已经如此成熟,不能认为它是一个有问题的技术
2018-08-30 15:05:41
的应用做好准备。要使数字电源控制为GaN的应用做好准备,它需要针对更高开关频率、更窄占空比和精密死区时间控制的时基分辨率、采样分辨率和计算能力。图1和图2显示的是一个硅 (Si) MOSFET和一个GaN
2018-09-06 15:31:50
的最终目标前进。这意味着客户最终可以与主流技术的发展同步,例如,MACOM公司已经能够提供300W塑料封装的硅上 GaN器件,它有着大于70%的效率,售价约为 15 美元,这一价格/性能水平已处于当今射频能量器件领域的领先位置。
2017-04-05 10:50:35
方向、提升了效率,以及具有更小的外形尺寸等优点。除开在烹饪的应用,让我们一起看看GaN技术的其他应用以及MACOM硅上GaN 技术的独特优势吧!其他应用除了烹饪行业之外,固态射频能量器件也将在工业干燥
2017-05-01 15:47:21
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说,相比LDMOS硅技术而言,GaN这一材料技术,大大提升了效率和功率密度。约翰逊优值,表征高频器件的材料适合性优值, 硅技术的约翰逊优值仅为1, GaN最高,为324。而GaAs,约翰逊优值为1.44。肯定地说,GaN是高频器件材料技术上的突破。
2019-06-26 06:14:34
负责人认为:深化企业改革,推进机制创新,通过产品结构调整和加强技术投入,推进技术创新,才是复兴高压试验设备行业的法宝。 优胜劣汰是市场发展的大趋势,为了适应市场发展,除旧革新是必要的,具有实力、经营
2013-08-13 15:02:14
都能方便地沟通、交易、旅行、获取信息和参与娱乐活动。其技术提高了移动互联网的速度和覆盖率,让光纤网络得以向企业、家庭和数据中心传输以前无法想象的巨大通信量。与很多公司的氮化镓采用碳化硅(SiC)做衬底
2017-08-29 11:21:41
硅基光电子集成芯片,摩尔定律:摩尔定律是由英特尔(Intel)创始人之一戈登·摩尔(Gordon Moore)提出来的。其内容为:当价格不变时,集成电路上可容纳的元器件的数目,约每隔18-24个月
2021-07-27 08:18:42
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
?是提高性能和降低价值。硅衬底倒装波LED芯片,效率会更高、工艺会更好。6英寸硅衬底上氮化镓基大功率LED研发,有望降低成本50%以上。 目前已开发出6寸硅衬底氮化镓基LED的外延及先进工艺技术,光效
2014-01-24 16:08:55
硅基热敏电阻与MCU结合的优势NTC和PTC热敏电阻的优缺点
2021-03-09 06:56:43
,特别是近年来碳纳米管的发展令人注目,在速度、集成度、特别是功耗方面都将有重大突破,但离开实际应用可能比硅基量子器件要更远一些。原文见王阳元院士在“纳米CMOS器件”书中写的序(2004年1月科学出版社出版)。 :
2018-08-24 16:30:27
光子集成电路(PIC)是一项新兴技术,它基于晶态半导体晶圆集成有源和无源光子电路与单个微芯片上的电子元件。硅光子是实现可扩展性、低成本优势和功能集成性的首选平台。采用该技术,辅以必要的专业知识,可
2017-11-02 10:25:07
近几年,硅光芯片被广为提及,从概念到产品,它的发展速度让人惊叹。硅光芯片作为硅光子技术中的一种,有着非常可观的前景,尤其是在5G商用来临之际,企业纷纷加大投入,抢占市场先机。硅光芯片的前景真的像人们
2020-11-04 07:49:15
使企业效益获得提升。 所谓“金无足赤,人无完人”,没有任何一个木桶是严丝合缝的,在企业中也是一样,管理弊病难免存在。那么是否需要时刻关注并排除这些漏洞呢?老代认为,并不尽然。 在进水量等于或小于出水量
2016-03-15 14:30:38
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 该GaN内部匹配(IM)FET与其他技术相比,具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
,因此在宽带应用中的使用并不广泛。新兴GaN技术的工作电压为28 V至50 V,拥有低损耗、高热传导基板(如碳化硅,SiC),开启了一系列全新的可能应用。如今,硅基GaN技术局限于6 GHz以下
2018-10-17 10:35:37
MACOM六十多年的技术传承,运用bipolar、MOSFET和GaN技术,提供标准和定制化的解决方案以满足客户最严苛的需求。射频功率晶体管 - 硅基氮化镓 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
。尽管以前氮化镓与LDMOS相比价格过高,但是MACOM公司的最新的第四代硅基氮化镓技术(MACOM GaN)使得二者成本结构趋于相当。基于氮化镓的MAGb功率晶体管在2.6GHz频段可提供高于70
2017-08-30 10:51:37
左右,目前已经是第四代产品。MACOM总裁兼CEO John Croteau在财报会中透露,2016年第四季度已经完成了Gen4 GaN的资质认证,接到两个主流LTE频段的基站 OEM厂商的订单。硅基
2017-05-23 18:40:45
,尤其是2010年以后,MACOM开始通过频繁收购来扩充产品线与进入新市场,如今的MACOM拥有包括氮化镓(GaN)、硅锗(SiGe)、磷化铟(InP)、CMOS、砷化镓等技术,共有40多条生产线
2017-09-04 15:02:41
(GaN)那么,问题来了,怎么解决高昂的价格?首先,先了解下什么是硅基氮化镓,与硅器件相比,由于氮化镓的晶体具备更强的化学键,因此它可以承受比硅器件高出很多倍的电场而不会崩溃。这意味我们可以把晶体管
2017-07-18 16:38:20
描述该参考设计为客户提供有关电源设计中 GaN 与 SI 使用情况的对比研究。该特定的设计使用 TPS40400 控制器来驱动 CSD87381(对于硅电源)和采用 EPC2111
2019-01-02 16:17:21
在德州仪器不断推出的“技术前沿”系列博客中,一些TI全球顶尖人才正在探讨目前最大的技术趋势以及如何应对未来挑战等问题。 相较于以往使用的硅晶体管,氮化镓 (GaN) 可以让全新的电源应用在同等的电压
2018-09-11 14:04:25
作者: Steve Tom在德州仪器不断推出的“技术前沿”系列博客中,一些TI全球顶尖人才正在探讨目前最大的技术趋势以及如何应对未来挑战等问题。相较于以往使用的硅晶体管,氮化镓 (GaN) 可以让
2018-09-10 15:02:53
`书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:在硅上生长的 InGaN 基激光二极管的腔镜的晶圆制造编号:JFSJ-21-034作者:炬丰科技 摘要:在硅 (Si) 上生长的直接带隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
,GaN-on-Si 将实现成本结构和使用现有大直径晶圆厂的能力,这将是一个很大的优势。由于硅是一种导电基板,因此在处理基板电位以及它与功率器件相互作用的方式方面带来了额外的挑战。第一个具有 GaN FET、GaN
2021-07-06 09:38:20
高新技术企业(多点电容触控ic及解决方案企业)招聘品牌经理(marketing communication),地点深圳福田,本科以上学历,三年以上品牌推广经验,半导体/电子行业优先,年薪面议,欢迎
2013-07-03 12:11:30
认为,毕竟,GaN比一般材料有高10倍的功率密度,而且有更高的工作电压(减少了阻抗变换损耗),更高的效率并且能够在高频高带宽下大功率射频输出,这就是GaN,无论是在硅基、碳化硅衬底甚至是金刚石衬底的每个应用都表现出色!帅呆了!至少现在看是这样,让我们回顾下不同衬底风格的GaN之间有什么区别?
2019-07-31 07:54:41
方形,通过两个晶格常数(图中标记为a 和c)来表征。GaN 晶体结构在半导体领域,GaN 通常是高温下(约为1,100°C)在异质基板(射频应用中为碳化硅[SiC],电源电子应用中为硅[Si])上通过
2019-08-01 07:24:28
TI始终引领着提倡开发和实施全面性方法,确保在严苛操作环境下,GaN设备也能够可靠地运行和具有出色的使用寿命。为此,我们用传统的硅方法制作GaN的硅基,从而利用硅的内在特性。
2019-07-31 06:19:34
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显,增加。因为它与传统的硅技术相比,不仅性能优异,应用范围广泛,而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中,传统硅器件在能量转换方面,已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
为何要用GaN技术来实现5G通信?
2020-12-29 07:30:12
)。因此,硅注入毫无疑问对ITO和GaN材料之间形成欧姆接触非常有利。 工作晶体管 为了测试这种方法,我们将透明的源极和漏极欧姆接触技术应用到了真正的氮化镓晶体管上,其设计如图1所示。在这些器件中
2020-11-27 16:30:52
应用领域,SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上,电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
基础设施和移动电话则需要更小巧、更低成本的超模压塑料封装,才可与采用塑料封装的现有硅基LDMOS 或GaAs 器件竞争。同样,移动电话注重低成本模块,包括与其他技术组合的GaN,其与目前的产品并无二致,但也
2017-07-28 19:38:38
核心技术主要体现在三个方面:1、电压水平硅海公司电压设计制造水平为400-6500V,在行业内排前5位,研发能力很强。具备进一步研发8500V的能力。2、电流水平硅海公司电流设计制造水平为
2014-02-28 09:29:39
可控硅及组件-厂家介绍 (企业简介)一、企业简介襄阳硅海电力电子有限责任公司位于国家级高新区—襄阳高新区。襄阳历史悠久,人杰地灵,是电力半导体发展胜地。公司注册资金2000万,拥有50亩地现代化厂区
2013-09-22 09:51:41
)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm,间隔为2μm,深度为864 nm
2010-04-22 11:32:16
的氮化镓(GaN)直流/直流解决方案去除了中间母线直流/直流转换级,设计师可以在单级中将48V电压降至更低的输出电压。去除中间母线直流/直流转换器使得功率密度和系统成本显着增加,同时提高了可靠性。与硅
2019-07-29 04:45:02
目前传统硅半导体器件的性能已逐渐接近其理论极限, 即使采用最新的硅器件和软开关拓扑,效率在开关频率超过 250 kHz 时也会受到影响。 而增强型氮化镓晶体管 GaN HEMT(gallium
2023-09-18 07:27:50
在过去的十多年里,行业专家和分析人士一直在预测,基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比,基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27:30
请大佬详细介绍一下关于基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
2021-04-12 06:23:23
氮化镓(GaN)- 宽带隙(WBG)材料• GaN HEMT-高电子迁移率晶体管,代表着电力电子技术的重大进步• 用于更高的工作频率• 提高效率• 与硅基晶体管相比,功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
,但经过多年的研究、实际验证和 可靠性测试,GaN定会成为解决功率密度问题的最佳技术。德州仪器已经在高于硅材料的工作温度和电压下,对GaN装置进行了2000万小时的加速可靠性测试。在此测试时间内,远程
2019-03-01 09:52:45
氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件,能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固,因此需谨慎应用,集成正确的门极驱动对于实现最佳性能和可靠性至关重要。本文着眼于这些问题,给出一个驱动器方案,解决设计过程的风险。
2020-10-28 06:59:27
与碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比,氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 可显著降低开关损耗和提高功率密度。这些特性对于数字电源转换器等高开关频率应用大有裨益,可帮助减小磁性元件
2022-11-04 06:18:50
如何去提高锂离子电池硅基负极循环性能?
2021-05-13 06:02:45
作为一项相对较新的技术,氮化镓(GaN) 采用的一些技术和思路与其他半导体技术不同。对于基于模型的GaN功率放大器(PA) 设计新人来说,在知晓了非线性GaN模型的基本概念(非线性模型如何帮助进行
2019-07-31 06:44:26
频率和更高功率密度的开发人员更是如此。RF GaN是一项已大批量生产的经验证技术,由于其相对于硅材料所具有的优势,这项技术用于蜂窝基站和数款军用/航空航天系统中的功率放大器。在这篇文章中,我们将比
2019-07-12 12:56:17
GaN技术实现快速充电系统
2023-06-19 06:20:57
氮化镓技术非常适合4.5G或5G系统,因为频率越高,氮化镓的优势越明显。那对于手机来说射频GaN技术还需解决哪些难题呢?
2019-07-31 06:53:15
`网络基础设施与反导雷达等领域都要求使用高性能高功率密度的射频器件,这使得市场对于射频氮化镓(GaN)器件的需求不断升温。举个例子,现在的无线基站里面,已经开始用氮化镓器件取代硅基射频器件,在
2016-08-30 16:39:28
来看,基站功率放大器主要采用基于硅的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术。然而,越来越苛刻的要求逐渐暴露出LDMOS的局限性,并导致众多供应商在高功率基站功率放大器技术方面转向了氮化镓(GaN
2018-12-05 15:18:26
自主知识产权的功率型硅基LED芯片产业化光效超过140流明/瓦,GaN同质衬底白光LED技术进展显著,采用GaN/Al2O3复合衬底同质外延技术制备的高亮度LED光效超过130 lm/W;深紫外LED发光
2016-03-03 16:44:05
`由电气观察主办的“宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子技术应用交流会”将于7月16日在浙江大学玉泉校区举办。宽禁带半导体电力电子技术的应用、宽禁带半导体电力电子器件的封装、宽禁带电力电子技术
2017-07-11 14:06:55
天基嵌入式MPP图像处理技术有哪些功能?天基嵌入式MPP图像处理技术的结构是如何构成的?
2021-06-02 06:14:12
正如每种医疗过程的背后都有着一门真正的科学,在确定用于辅助疾病的诊断和治疗的复杂医疗设备中的气流和硅基压力传感器的背后也存在着一门科学。三种使用气流和硅基压力传感器的医疗应用是:麻醉机、睡眠呼吸机和医院诊断设备。
2019-11-06 08:00:23
能源并占用更小空间,所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年,电力电子领域将管理大约80%的能源,而2005年这一比例仅为30
2018-11-20 10:56:25
在所有电力电子应用中,功率密度是关键指标之一,这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限,设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓(GaN)来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
的尺寸和更轻的重量。 传统硅晶体管有两种类型的损耗:传导损耗和开关损耗。 功率晶体管是开关电源中功率损耗的主要原因。 为了遏制这些损失,GaN 晶体管(取代旧的硅技术)的开发已引起电力电子行业的关注
2023-08-21 17:06:18
和高频场效应晶体管(FET)。WBG 材料以其优异的电学特性,如 GaN 和碳化硅(SiC) ,克服了硅基高频电子器件的局限性。更重要的是,WBG 半导体可用于可扩展的汽车电气系统和电动汽车(电动汽车
2022-06-15 11:43:25
%的产品输出功率集中在10W~100W之间,最大功率达到1500W(工作频率在1.0-1.1GHz,由Qorvo生产),采用的技术主要是GaN/SiC GaN路线。此外,部分企业提供GaN射频模组产品,目前
2019-04-13 22:28:48
,这对于很多高压应用都是一项显著的优势。当然,一项已经持续发展60年的技术不会一夜之间被取代,但经过多年的研究、实际验证和 可靠性测试,GaN定会成为解决功率密度问题的最佳技术。德州仪器已经在高于硅材料
2020-10-27 10:11:29
[size=0.19]维安WAYON从原理到实例:GaN为何值得期待?(WAYON维安一级代理分销KOYUELEC光与电子提供原厂技术支持)功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,主要指能够
2021-12-01 13:33:21
不尽然,即便是电子行业中的后起之秀不断涌现,只要顺应时代发展进行自身内部的改变,老品牌还是可以屹立不倒。芯片解密助企业加快内部的技术改变。 芯片解密是一种反向研究技术,相对芯片加密而言,芯片开发者
2017-06-17 14:09:31
请问一下GaN器件和AMO技术能实现高效率和宽带宽吗?
2021-04-19 09:22:09
本文介绍了适用于5G毫米波频段等应用的新兴SiC基GaN半导体技术。通过两个例子展示了采用这种GaN工艺设计的MMIC的性能:Ka频段(29.5至36GHz)10W的PA和面向5G应用的24至
2020-12-21 07:09:34
未转换为射频输出功率的直流加载电源将作为热量耗散(除非晶体管的效率为100%)。· 因此,GaN 晶体管变得非常热,热管理成为重要的设计考虑因素。幸运的是,碳化硅基氮化镓(GaN on SiC) 能够
2018-08-04 14:55:07
NPA1006AGaN 放大器 28 V,12.5 W 20 - 1000 MHzNPA1006A 是一款针对 20 - 1000 MHz 运行优化的硅基 GaN 放大器。该放大器专为饱和和线性运行
2022-12-08 12:10:47
NPT2020PT2020 是一款 48 V 硅基氮化镓晶体管,工作频率为 DC 至 3.5 GHz,功率为 50 W,增益为 17 dB。它采用陶瓷封装,面向军事和大批量商业市场。 
2023-04-14 15:39:35
MAPC-A1508GaN 放大器 50 V,700 W 900 - 930 MHzMAPC-A1508 是一款碳化硅基 GaN HEMT D 型放大器,适用于 900
2023-04-23 13:18:27
MAPC-A2021GaN 放大器 32 V,8 W 1.8 - 2.7 GHz - MACOM PURE CARBIDEMAPC-A2021 是一款碳化硅基 GaN
2023-04-23 14:59:32
国铁复兴联合Rokid发布复兴号AI音箱,该款智能音箱搭载了 YodaOS,提供全栈语音技术,可语音查询高铁信息。
2019-08-29 12:34:001771 GaN 技术的过去和现在
2023-12-06 18:21:00432
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