2SC3422功率晶体管产品介绍2SC3422报价2SC3422代理2SC3422L咨询热线2SC3422L现货,王先生深圳市首质诚科技有限公司 2SC3422 2SC3422东芝是设计和制造高质量
2018-07-24 18:05:11
25%● 线性效率显著提高● 支持超过150 MHz的瞬时带宽● 二代的塑封技术OMNI，更大功率的器件可以采用塑封技术，更优的性价比。系统级的方案支持：配合DPD、APD，提供全链路的解决方案，为客户降低研发周期。 Airfast射频功率解决方案
2013-07-02 13:31:33
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-25 11:27:53
`功率场效应晶体管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 06:13:27
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。hFE低（正向约10%以下）耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
判定前：晶体管的选定～贴装的流程晶体管可否使用的判定方法1. 测定实际的电流、电压波形2. 是否一直满足绝对最大额定值？3. 是否在SOA范围内？4. 在使用环境温度*1下是否在下降的SOA范围内
2019-04-15 06:20:06
及制造工艺分类 晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。 按电流容量分类 晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管按工作频率分类 晶体管按
2010-08-12 13:59:33
` 《晶体管电路设计（下）》是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。本书作为下册主要介绍晶体管／FET电路设计技术的基础知识和基本实验，内容包括FET放大电路、源极跟随器电路、功率
2019-03-06 17:29:48
的hFE档测量。测量时，应先将万用表置于ADJ档进行调零后，再拨至hFE档，将被测晶体管的C、B、E三个引脚分别插入相应的测试插孔中（采用TO-3封装的大功率晶体管，可将其3个电极接出3根引线后，再分
2012-04-26 17:06:32
供应晶圆芯片，型号有： 可控硅， 中、大功率晶体管，13000系列晶体管，达林顿晶体管，高频小信号晶体管，开关二极管，肖特基二极管，稳压二极管等。有意都请联系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
从事电子设计7年了，发觉这两本书挺好的，发上来给大家分享一下附件晶体管电路设计（上）放大电路技术的实验解析.pdf42.5 MB晶体管电路设计（下）FET_功率MOS_开关电路的实验解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
IC一般不能超出ICM。(3) 集电极最大允许功耗PCMPCM是指晶体管参数变化不超出规定允许值时的最大集电极耗散功率。使用晶体管时，实际功耗不允许超过PCM，通常还应留有较大余量，因为功耗过大往往是
2018-06-13 09:12:21
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
的IC。2. 按功率分类主要以最大额定值的集电极功率PC进行区分的方法。大体分为小信号晶体管和功率晶体管，一般功率晶体管的功率超过1W。ROHM的小信号晶体管可以说是业界第一的。小信号晶体管最大
2019-04-10 06:20:24
本篇开始将为大家介绍“Si晶体管”。虽然统称为“Si晶体管”，不过根据制造工艺和结构，还可分为“双极”、“MOSFET”等种类。另外，还可根据处理的电流、电压和应用进行分类。下面以“功率元器件”为主
2018-11-28 14:29:28
的电流、电压和应用进行分类。 下面以“功率元器件”为主题，从众多晶体管中选取功率类元器件展开说明。其中，将以近年来控制大功率的应用中广为采用的MOSFET为主来展开。 先来看一下晶体管的分类与特征
2020-06-09 07:34:33
控制大功率现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率，使用功率晶体管作为开关有很多优点，主要是；(1)容易关断，所需要的辅助元器件少，(2)开关迅速，能在很高的频率下工作，(3)可得到的器件耐压范围从
2018-10-25 16:01:51
发展。正因为它如此地丰富了人们的生活，就其贡献度而言，作为发明者的3位物理学家--肖克莱博士、巴丁博士和布菜顿博士，当之无愧地获得了诺贝尔奖。恐怕今后的发明都难以与晶体管的发明相提并论。总之，晶体管为
2019-05-05 00:52:40
）用业收集电子。晶体管的发射极电流IE与基极电流IB、集电极电流IC之间的关系如下：IE=IB+IC3．晶体管的工作条件晶体管属于电流控制型半导体器件，其放大特性主要是指电流放大能力。所谓放大，是指当
2013-08-17 14:24:32
用3DG182J、2SC2229、2SC3942等型号的晶体管。 25英寸以上的大屏幕彩色电视机中使用的末级视放输出管，其耗散功率应大于或等于1.5W，最大集电极电流应大于或等于50mA，最高反向电压应大于
2012-01-28 11:27:38
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。hFE低（正向约10%以下）耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
晶体管 &
2010-08-12 13:57:39
电子，雷达和微波应用生产全系列AM晶体管。 这些AM晶体管最初由Microwave Semiconductor Corp.和S.T.制造。 ASI的AM晶体管覆盖60 MHz至3.0 GHz的范围，功率
2018-07-17 15:08:03
是碳化硅（SiC）衬底上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。这种GaN内匹配（IM）场效应晶体管与其他技术相比，提供了优异的功率附加效率。GaN与硅或砷化镓相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
镓技术的这类二极管。产品型号：DU2840S产品名称：射频晶体管DU2840S产品特性N沟道增强型器件比双极器件低的噪声系数高饱和输出功率宽带操作的低电容DMOS结构•DU2840S产品详情
2018-08-09 10:16:17
公司提供采用硅、砷化镓或砷化铝镓技术的这类二极管。产品型号：DU2880V产品名称：射频晶体管DU2880V产品特性N沟道增强型器件比双极器件低的噪声系数高饱和输出功率宽带操作的低电容DMOS结构
2018-08-08 11:48:47
脉冲功率。 在没有外部调谐的情况下，所有设备都在宽带RF测试夹具中100％屏蔽了大信号RF参数。硅双极匹配50欧姆210W输出功率经过100％大功率射频测试C级操作IB0607S10功率晶体管
2021-04-01 10:07:29
匹配50欧姆600W输出功率经过100％大功率射频测试C级操作IB0810M100功率晶体管IB0810M12功率晶体管IB0810M210功率晶体管IB0810M50功率晶体管IB0912L200功率
2021-04-01 09:41:49
匹配50欧姆600W输出功率经过100％大功率射频测试C级操作IGN2731M180功率晶体管IGN2731M200功率晶体管IGN2731M250功率晶体管IGN2731M5功率晶体管
2021-04-01 10:29:42
ILD1011L950HV功率晶体管ILD1011M1000HVE功率晶体管ILD1011M15HV功率晶体管ILD1011M160HV功率晶体管深圳市立年电子科技有限公司 --射频微波一站式采购产台联系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 10:11:46
ILD2731M60功率晶体管ILD2735M120功率晶体管IB2856S250功率晶体管IB2856S30功率晶体管IB2856S65功率晶体管IB2931MH155功率晶体管深圳市立年电子科技有限公司 --射频微波一站式采购产台联系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 09:48:36
于1997年，是一家通过ISO 9001：2008认证的射频功率晶体管，托盘和高功率放大器（HPA）认证的制造商。 这些产品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和双极技术。产品型号
2019-05-14 11:00:13
和Si-VDMOS射频和微波功率晶体管阵容包括各种传统CW和脉冲雷达系统的难以找到的模型。 它们针对特定雷达应用进行了优化，其中需要对尺寸，重量，频率和功率性能变量进行管理。 这些固态预匹配晶体管适用于高达
2019-04-15 15:12:37
650W输出功率经过100％大功率射频测试C级操作IGN3135L115功率晶体管IGN3135L12功率晶体管IGN3135M135功率晶体管IGN3135M250功率晶体管IGN5259M80R2功率
2021-04-01 10:03:31
什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。IGBT被归类为功率
2019-05-06 05:00:17
IGN1011L1000R2功率晶体管深圳市立年电子科技有限公司 --射频微波一站式采购产台联系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通过ISO 9001：2008认证的射频功率晶体管，托盘和高功率放大器（HPA）认证的制造商。 这些产品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
Technologies公司成立于1997年，是一家通过ISO 9001：2008认证的射频功率晶体管，托盘和高功率放大器（HPA）认证的制造商。 这些产品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2018-11-12 11:14:03
`IGN2856S40是高功率脉冲晶体管，指定用于AB类操作下。 该晶体管提供2.856 GHz的工作频率，最小40W的峰值脉冲功率，50V和3％的占空比。 该单元采用金线技术通过芯片和线材技术组装
2021-04-01 09:57:55
IGT2731L120IGT2731L120现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司,Integra Technologies公司成立于1997年，是一家通过ISO 9001：2008认证的射频功率晶体管，托盘和高功率放大器（HPA
2018-11-12 10:26:20
`MACOM以分立器件、模块和单元的形式提供广泛的射频功率半导体产品，支持频率从DC到6GHz。高功率晶体管完美匹配民用航空、通讯、网络、雷达、广播、工业、科研和医疗领域。MACOM的产品线借助于
2017-08-14 14:41:32
15989509955 深圳市首质诚科技有限公司MAPRST0912-50一个射频功率晶体管。这些高功率晶体管是理想的航空电子，通信，雷达，以及工业，科学和医疗应用。优势产品:MACOM放大器/QORVO放大器滤波器
2018-08-09 09:57:23
商业和军事应用的频率为175兆赫。该装置的高功率、高增益和宽带性能使得FM广播或电视频道频带的固态发射机成为可能。产品型号：MRF151G产品名称：射频晶体管MRF151G产品特性保证性能在175兆赫
2018-08-08 11:32:03
频率范围内的线性大信号输出级。产品型号：MRF154产品名称：射频晶体管MRF154产品特性N沟道增强型MOSFET指定的50伏特，30兆赫的特性-输出功率＝600瓦，功率增益＝17分贝（Typ），效率
2018-08-07 17:17:34
NPT2020射频晶体管产品介绍NPT2020报价NPT2020代理NPT2020咨询热线NPT2020现货,王先生*** 深圳市首质诚科技有限公司, MACOM公司的开关和衰减器专用PIN二极管
2018-09-26 09:04:23
NPT25100P射频晶体管产品介绍NPT25100P报价NPT25100P代理NPT25100P咨询热线NPT25100P现货,王先生*** 深圳市首质诚科技有限公司, MACOM公司的开关
2018-09-26 08:54:30
NPTB00004D射频晶体管产品介绍NPTB00004D报价NPTB00004D代理NPTB00004D咨询热线NPTB00004D现货,王先生*** 深圳市首质诚科技有限公司, MACOM公司
2018-09-26 09:31:14
NPTB00004D射频晶体管产品介绍NPTB00004D报价NPTB00004D代理NPTB00004D咨询热线NPTB00004D现货,王先生*** 深圳市首质诚科技有限公司, MACOM公司
2018-09-26 09:31:14
`产品型号：NPTB00025B产品名称: 射频功率晶体管NPTB00025B 产品特性针对DC-4000MHz的宽带运行进行了优化散热增强的行业标准包装100％射频测试具有高达32V的工作电压
2019-11-01 10:46:19
`PH1214-220M雷达脉冲功率晶体管产品介绍PH1214-220M现货PH1214-220M中国代理PH1214-220M原厂直供PH1214-220M询价热线王先生 深圳市首质诚科技有限公司
2018-05-21 15:49:50
PH1214-220M雷达脉冲功率晶体管产品介绍PH1214-220M现货PH1214-220M中国代理PH1214-220M原厂直供PH1214-220M询价热线王先生 深圳市首质诚科技有限公司
2018-07-13 14:16:37
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2018-07-06 09:46:43
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2018-07-06 09:47:57
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2018-11-12 11:02:34
QPD1020射频功率晶体管产品介绍QPD1020报价QPD1020代理QPD1020咨询热线QPD1020现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50欧姆输入
2018-07-27 11:20:12
能够在高输出功率电平下承受严苛的负载失配状况而不降低性能或造成器件故障。当晶体管工作在负载失配状态下时，它的输出功率有很大一部分会被反射进器件，此时功率必须在晶体管中耗散掉。但在比较不同耐用性的晶体管时，重要的是检查不同器件制造商达到其耐用性结果的条件，因为不同制造商的测试条件可能有很大变化。
2019-06-26 07:11:37
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化镓晶体管SGN19H240M1H砷化镓晶体管SGN21H180M1H砷化镓晶体管SGN21H121M1H砷化镓晶体管SGN21H181M1H砷化镓晶体管
2021-03-30 11:32:19
继前篇内容，继续进行各功率晶体管的比较。本篇比较结构和特征。功率晶体管的结构与特征比较下图是各功率晶体管的结构、耐压、导通电阻、开关速度的比较。使用的工艺技术不同结构也不同，因而电气特征也不同。补充
2018-11-30 11:35:30
电子设备和测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。产品型号:T2G6003028-FS产品名称：射频功率晶体管T2G6003028-FS产品特性频率：直流至6千兆赫输出功率（p3db）：30 W在6 GHz
2018-11-16 09:49:48
TIM8996-30 功率晶体管产品介绍TIM8996-30报价TIM8996-30代理TIM8996-30咨询热线TIM8996-30现货,王先生深圳市首质诚科技有限公司 TIM8996-30东芝
2018-07-25 15:39:20
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
`内容简介《射频微波功率场效应管的建模与特征》首先回顾了一般商用微波射频晶体管的种类和基本构造，介绍了高功率场效应管的集约模型的构成；描述了功率管一般电气参数的测量方法，着重讨论对功率管的封装法兰
2018-01-15 17:57:06
放大电路的设计与制作，下册则共分15章，主要介绍FET、功率MOS、开关电源电路等。《晶体管电路设计》(上)面向实际需要，理论联系实际，通过大量具体的实验，通俗易懂地介绍晶体管电路设计的基础知识
2017-07-25 15:29:55
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
3MHZ的晶体管通常称为低频晶体管。fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频晶体管。fT大于3MHZ的晶体管和小于30MHZ的晶体管称为中频晶体管。4.5 最大频率（fM）最大振荡频率是晶体管功率增益降低
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 08:14:59
。达林顿通常用于需要低频高增益的地方。常见应用包括音频放大器输出级、功率调节器、电机控制器和显示驱动器。 达林顿晶体管也被称为达林顿对，由贝尔实验室的西德尼达林顿于 1953 年发明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
PNP晶体管在哪里使用？放大电路采用PNP晶体管。达林顿对电路采用PNP晶体管。机器人应用利用了PNP晶体管。PNP 晶体管用于控制大功率应用中的电流。如何控制PNP晶体管？首先，为了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。 按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2
2012-07-11 11:36:52
）需要几毫安才能上电，并且可以由逻辑门输出驱动。然而，螺线管、灯和电机等大功率电子设备比逻辑门电源需要更多的电力。输入晶体管开关。 晶体管开关操作和操作区域 图 1 中图表上的蓝色阴影区域表示饱和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
晶体管为保持ON状态的最低电压、定义VI(on)为min错误观点1：由0开始依次加入输入电压。2：达到1.8V时，数字晶体管启动。3：因在规格书规定的3V(min) 以下，故判断为不合格。正确观点A
2019-04-22 05:39:52
混淆VI(on): 数字晶体管为保持ON状态的最低电压、定义VI(on)为min错误观点1：由0开始依次加入输入电压。2：达到1.8V时，数字晶体管启动。3：因在规格书规定的3V(min) 以下，故
2019-04-09 21:49:36
的IC。2. 按功率分类主要以最大额定值的集电极功率PC进行区分的方法。大体分为小信号晶体管和功率晶体管，一般功率晶体管的功率超过1W。ROHM的小信号晶体管可以说是业界第一的。小信号晶体管最大
2019-05-05 01:31:57
转换器在稳态周期内的工作和损耗击穿3KW LLC 谐振转换器根据上述损耗分析，可以对不同的初级晶体管和不同的开关频率进行比较，以评估效率和功率密度的性能。设计了一个输出为48V的3KW半桥LLC谐振
2023-02-27 09:37:29
我正在寻找摩托罗拉收音机 VHF 射频末级中使用的这些旧射频晶体管的数据表，有人可以帮我吗？
2023-05-30 07:40:02
(MicrosemiCorporation)扩展其基于碳化硅衬底氮化镓(GaNonSiC)技术的射频(RF)晶体管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄准大功率空中交通控制机场监视雷达(ASR
2012-12-06 17:09:16
导读：近日，英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率（700瓦），适用于工作频率范围为1200 MHz~1400 MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少
2018-11-29 11:38:26
你好。请问如何在ADS的库中添加新的射频晶体管（sp2和非线性模型）？编辑：vodepam2于2014年6月7日下午3:23 以上来自于谷歌翻译 以下为原文Hi. Please how can i
2019-02-14 15:43:03
。还是回到这篇文章的主题，晶体管的使用心得。由于本人所从事行业的限制，基本没有机会像《晶体管电路设计》书中那样深入的使用晶体管来搭建电路，而更多的是使用晶体管来实现功率负载的控制，还有配合运放或者其它
2016-06-03 18:29:59
高频中、大功率晶体管一般用于视频放大电路、前置放大电路、互补驱动电路、高压开关电路及行推动等电路。常用的国产高频中、大功率晶体管有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E、3
2013-08-17 14:26:19
日前，射频功率技术领先供应商飞思卡尔宣布为其Airfast RF功率解决方案推出最新成员：包括三个LDMOS功率晶体管与一个氮化镓（GaN）晶体管，所有产品均超越地面移动市场要求。
2013-06-09 10:18:37
1842 Airfast GaN A3G26D055N是一款55W峰值GaN分立晶体管，采用紧凑型DFN 7 x 6.5 mm超模压塑封。该器件具有优异的输出，可填充多个频段，在48 V下运行时，能效提升超过50%，增益超过13 dB。
2023-05-25 10:04:49381 
MRF427 NPN硅射频功率晶体管规格书
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