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电阻器颜色代码是一种标准化系统,用于表示电阻器的电阻值、容差,有时甚至表示电阻器的温度系数。它们由涂在电阻器主体上的彩色带组成,每个彩色带代表电阻器值中的特定数字或乘数。...
功率MOS管的驱动电路中会分布各种电感,例如图中的L,它们与MOSFET的Cgd, Cge会形成谐振电路:对开关驱动信号中的高频谐波分量产生谐振,进而引起功率管输出电压的波动。...
目前STATCOM多采用GTO、IGBT及IGCT等全控型器件作为开关。如IGCT其耐压可达6.5kV,通断电流可达4000A。但在输电系统中,其电压电流等级仍然偏小,需要依靠多电平拓扑或器件串联,来提高耐压能力。...
PA应用极为广泛,在无线通信系统中,如手机、卫星通信、Wi-Fi、蜂窝网络等都需要射频功率放大器来提供足够的信号强度和覆盖范围。...
TVS(Transient Voltage Suppressors),即瞬态电压抑制器,又称雪崩击穿二极管。它是采用半导体工艺制成的单个 PN 结或多个 PN 结集成的器件。...
我们知道可以通过调节负载电容CL来微调振荡器的频率,这就是为什么晶振制造 商在其产品说明书中会指定外部负载电容CL值的原因。通过指定外部负载电容CL值,可以使晶 振晶体振荡时达到其标称频率。...
电感是一种电路元件,它可以在自身磁场中储存能量。电感通过储存将电能转换为磁能,然后向电路提供能量以调节电流。当电流增加,磁场就会增强。...
讨论了不同的ADC和DAC架构,包括Flash型、逐次逼近寄存器(SAR)型、Pipelining型和时间交错型等。...
当VGS小于一定的电压值,DS极就会导通,适合用于S极接正电源的情况(高端驱动)。虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于其导通电阻大、价格贵、替换种类少等原因,在大部分应用中通常还是使用NMOS。...
电磁干扰严重。随着频率提高,电路中的di/dt和du/dt增大,从而使电磁干扰增大,影响变换器和周围电子设备的工作。...
在此电路中,TVS管PTVS30VP1UP可以快速钳位一些瞬态的电压到30V,同时它的漏电流也非常非常小(25℃的时候典型漏电流为1nA),这个管子也很推荐大家使用,漏电流很小。...
电压缓冲放大器的作用是将电压从具有高输出阻抗的电路传输到具有低输入阻抗的另一个电路。通过在这两个电路之间插入缓冲器,可以防止第二个电路过度加载第一个电路,这可能会干扰其预期操作。...
采样和保持电路是一种电子电路,它创建作为输入的电压样本,然后将这些样本保持一定的时间。采样保持电路对输入信号产生采样的时间称为采样时间。...
碳化硅是一种宽带隙半导体材料,具有比硅(Si)更优越的物理和化学特性,包括更高的临界击穿场强、更大的热导率、更高的工作温度和更快的开关速度。...
在MOSFET的栅极前增加一个电阻? MOS管是电压型控制器件,一般情况下MOS管的导通,只需要控制栅极的电压超过其开启阈值电压即可,并不需要栅极电流。...
碳化硅是一种宽带隙半导体材料,相比于传统的硅材料,具有更高的热导率、更大的电场击穿强度和更高的载流子迁移率等特点。...
在栅极电荷方法中,将固定测试电流(Ig)引入MOS晶体管的栅极,并且测量的栅极源电压(Vgs)与流入栅极的电荷相对应。对漏极端子施加一个固定的电压偏置。...
众多终端产品制造商纷纷选择采用SiC技术替代硅基工艺,来开发基于双极结型晶体管(BJT)、结栅场效应晶体管(JFET)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)的电源产品。...
碳化硅作为第三代半导体具有耐高温、耐高压、高频率、抗辐射等优异性能采用碳化硅功率器件可使电动汽车或混合动力汽车功率转化能耗损失降低20%,在OBC产品上使用碳化硅功率器件对于提升OBC产品效率、功率密度和质量密度上发挥着重要作用。...
SDA和SCL都是双向线路,都通过一个电流源或上拉电阻连接到正的电源电压。当总线空闲时,这两条线路都是高电平,连接到总线的器件输出级必须是漏极开路或集电极开路才能执行线与的功能。...