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• 华为EUV光刻新专利可解决相干光无法匀光问题

  该专利提供一种光刻装置，该光刻装置通过不断改变相干光形成的干涉图样，使得照明视场在曝光时间内的累积光强均匀化，从而达到匀光的目的，进而也就解决了相关技术中因相干光形成固定的干涉图样而无法匀光的问题。...

  1095次阅读 · 0评论 华为光刻EUV

• 低温共烧陶瓷（LTCC）封装

  低温共烧陶瓷 （ Low Temperature Co-Fired Ceramics, LTCC ） 封装能将不同种类的芯片等元器件组装集成于同一封装体内以实现系统的某些功能，是实现系统小型化、集成化、多功能化和高可靠性的重要手段。总结了 LTCC 基板所采用的封装方式，阐述了 LTCC 基板的金属...

  3138次阅读 · 0评论 封装LTCC低温共烧陶瓷

• 台积电计划在美国生产3纳米芯片

  作为全球最大的芯片代工厂，台积电正在美国亚利桑那州建设一座价值120亿美元的工厂。台积电此前曾透露，亚利桑那州工厂建成后采用5nm制程工艺，预计2024年投产，每月将量产2万片晶圆。...

  713次阅读 · 0评论 台积电3nm工艺

• 度亘激光发布通信级高功率单模980nm半导体激光芯片

  全光网络是大容量光通信的基础，全光纤掺铒光纤放大器（EDFA）是长距离（陆地和海底）光通信网络重要组成部分。...

  1311次阅读 · 0评论 光通信半导体激光芯片

• QFN、SOP以及BGA哪种封装形式才更适合语音芯片

  IC是指集成电路，芯片是指基于集成电路技术制成的器件。IC芯片包含晶圆芯片和封装芯片，相应 IC 芯片生产线主要由晶圆生产线和封装生产线两部分组成。封装是必不可少的一个步骤，那么对于语音芯片的封装形式都有哪些呢？下面小编就为大家介绍下。...

  1745次阅读 · 0评论 BGAIC封装qfn语音芯片九芯智能

• 晶体缺陷的常见的三种类型

  晶体缺陷就是实际晶体中偏离理想结构的不完整区域。根据晶体中结构不完整区域的形状及大小, 晶体缺陷常分为如下三类。...

  7709次阅读 · 0评论 晶体

• 光电子器件封装形式

  光电子器件系统封装是把光电子器件、电子元器件及功能应用原材料进行封装的一个系统集成过程。光电子器件封装在光通讯系统、数据中心、工业激光、民用光显示等领域应用广泛。主要可以分为如下几个级别的封装：芯片IC级封装、器件封装、模块封装、系统板级封装、子系统组装和系统集成。...

  4083次阅读 · 0评论 光电子封装

• 关于电子束光刻工艺技术解读

  束流消除器：两个平行板电极之间的直流偏置(~42 v)是否垂直于电子路径，使电子偏离轴，从而“转动”关闭/阻塞/被下面的孔所覆盖。...

  698次阅读 · 0评论 电子束光刻工艺

• 关于SMT技术的前世今生

  1985年7月,FUJI推出首台带影像处理功能的高速贴片机(CP-I) 1994年,FUJI推出超高速贴片机(CP6) 21世纪以来，自动贴片机迈进“兼备高速与多功能”的时代....

  2281次阅读 · 0评论 smt贴片机

• 一文详解光刻机的工作原理

  　　是的！光刻机本身的原理，其实和相机非常相似，同学们可以把光刻机就想成是一台巨大的单反相。机。相机的原理，是被摄物体被光线照射所反射的光线，透过相机的镜头，将影像投射并聚焦在相机的底片（感光元件）上， 如此便可把被摄物体的影像复制到底片上。...

  7373次阅读 · 0评论 光刻机

• 全球半导体芯片巨厂布局Chiplet技术

  Chiplet 芯片一般采用先进的封装工艺，将小芯片组合代替形成一个大的单片芯片。利用小芯片（具有相对低的面积开销）的低工艺和高良率可以获得有效降低成本开销。...

  1225次阅读 · 0评论 摩尔定律chiplet

• 中芯国际14nm已投入量产 浅谈不同制程芯片的设计制造成本

  2019年第四季度，中芯国际就表示14nm已投入量产。2021年时传出消息，中芯国际14nm的良率达到95%，已经追平台积电。（目前7nm也已小规模投产）...

  104943次阅读 · 0评论 中芯国际14nm

• BGA基板工艺制程简介

  BGA基板工艺制程简介...

  831次阅读 · 0评论 BGA基板工艺制程

• 关于MEMS和纳米技术的综述

  　　纳米技术涉及到材料的操纵和结构和系统的建立它们以原子的规模存在，分子=纳米尺度。...

  273次阅读 · 0评论 纳米技术mems

• 半导体制造之等离子工艺

  等离子体工艺广泛应用于半导体制造中。比如，IC制造中的所有图形化刻蚀均为等离子体刻蚀或干法刻蚀，等离子体增强式化学气相沉积(PECVD)和高密度等离子体化学气相沉积 (HDP CVD)广泛用于电介质沉积。离子注入使用等离子体源制造晶圆掺杂所需的离子，并提供电子中和晶圆表面上的正电荷。物理气相沉积(P...

  2722次阅读 · 0评论 半导体工艺等离子

• 新一代逻辑半导体制造技术， 工艺目标瞄准2nm

  据日经新闻报道，这次成立的公司由日本东京电气（Tokyo Electro，全球半导体设备大厂）的前社长东哲郎等人主导， 吸引了日本丰田、索尼、铠侠、NEC、软银、电装等8家公司联合投资，每家出资10亿日元。...

  491次阅读 · 0评论 半导体制造2nm

• 如何集成5nm高速IP（SerDes、DDR、PCIE等）？

  深度亚微米技术的进步，以及增加多种功能以降低成本，结合现有操作规模，意味着SoC的设计变得更加复杂。...

  800次阅读 · 0评论 socIP5nm

• 碳化硅功率器件封装关键技术

  二十多年来，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作为一种宽禁带功率器件，受到人们越来越多的关注。与硅相比，碳化硅具有很多优点，如：碳化硅的禁带宽度更大，这使碳化硅器件拥有更低的漏电流及更高的工作温度，抗辐照能力得到提升;碳化硅材料击穿电场是硅的 10 倍，因此，其器件可设计更高的掺杂浓度...

  1336次阅读 · 0评论 封装功率器件碳化硅

• 半导体制造之加热工艺

  激光退火系统采用激光光源的能量来快速加热晶圆表面到临界溶化点温度。由于硅的高导热性，硅片表面可以在约1/10 ns范围快速降温冷却。激光退火系统可以在离子注入后以最小的杂质扩散激活掺杂物离子，这种技术已被用于后45nm工艺技术节点。激光退火系统可用于尖峰退火系统，以实现更优的结果。...

  2555次阅读 · 0评论 半导体工艺

• 伟大的工程之芯片制造

  纵观整个制造业，芯片的制造流程可以说是最复杂的之一，这项点石成金术可分为八个大步骤，如下图所示，这些步骤又可细分为上百道工序。...

  2768次阅读 · 0评论 晶圆芯片制造刻蚀
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