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本节仅描述硅基半导体的制造;大多数半导体是硅。硅特别适用于集成电路,因为它容易形成氧化物涂层,可用于对晶体管等集成组件进行图案化。...
纳米线是一种很长很细的纳米材料。在技术术语中,这意味着它们具有高纵横比。考虑到这是一个与传统电线相似的几何形状,它们在电子和纳米电子设备中具有很大的潜力。...
基于环的 VCO 也使用 Pcells 从 N40 手动和自动迁移到 N22 节点。通过使用自动化流程,生产率提高了 2 倍。Pcells 有更多的限制,所以生产率的提高有点少。...
为解决铜丝硬度大带来的键合难度,半导体封装企业通常选择应用超声工艺或键合压力工艺提升键合效果,这也导致焊接期间需要耗费更多的时间完成键合工作。...
热平衡等离子体中,电子和离子的能量服从玻尔兹曼分布(见下图)。电容耦合型等离子体源的平均电子能量为2〜3eV。等离子体中离子能量主要取决于反应室的温度,是200~400℃或0.04〜0.06eV。...
Beyne 说,由此产生的压降让芯片设计师越来越头疼。“电源必须通过意大利面条网络连接到晶体管。由于高压降,晶体管上的 0.7 伏不再是 0.7 伏。电阻太高。...
清洗质量的好坏将直接影响到器件的成品率、性能和可靠性,国内外各大公司、研究机构等对清洗工艺的研究从未停止,但一些特殊问题仍未得到彻底解决。...
电子封装( packaging)通常是在后道工序中完成的,其定义为:利用膜技术和微连接技术,将微电子器件及其它构成要素在框架或基板上布置、固定及连接、引出接线端子,并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体立体结构的工艺。...
当核心区域和 I/O 区域都已经生长晶体管后,沉积多晶硅层(Poly-Si)和硬掩模层(薄的SiON和PECVD二氧化硅)。沉积栅叠层(Cate-Stack)后,进行图形化硬掩模(经过光刻步骤)。...
本文件适应于以下场合:制造、处理、组装、安装、标识、返工与返修、测试、检测或其它类似处置电子元器件时可能遭受人体模式(HBM)下不小于100V静电电压损害零件、组件及仪器设备。...
目前,微电子产业已演变为设计、制造和封装三个相对独立的产业。与前2者相比,电子封装涉及的范围广,带动的基础产业多,特别是与之相关的基础材料更是“硬中之硬”,亟待在我国迅速发展。目前,电子封装已成为整个微电子产业的瓶颈,在全世界范围内,电子信息产业的竞争从某种意义.上说讲主要体现在电子封装上。...
还有一些工作流样式的应用程序包含真实硅的数字孪生,可以为其设置警报。因此,如果互连延迟大于 500 毫秒,例如,它可以触发警报,指示软件堆栈中某处存在问题需要修复。...
英特尔正在为 300 毫米硅基 GaN 晶圆打造一条可行的道路,让世界离超越 5G 更近一步并解决能效挑战。英特尔在这一领域的突破表明,增益是行业标准 GaN 的 20 倍,并创下了高性能功率传输的行业记录。...
由下图可以看出当气体密度较高时MFP较短(a);而当气体密度较低时,MFP就较长(b)。大粒子的截面积较大,扫过的空间也较大。与一般或较小的离子相比,大粒子有更多概率和其他粒子发生碰撞,使其具有较短的MFP。改变压力会改变粒子密度,因此会影响MFP,即λ反比于压力p。...