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骁龙835

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骁龙835（一般指高通骁龙处理器）是一款于2017年初由高通厂商研发的支持Quick Charge 4.0快速充电技术的手机处理器。

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骁龙835简介

　　骁龙835（一般指高通骁龙处理器）是一款于2017年初由高通厂商研发的支持Quick Charge 4.0快速充电技术的手机处理器。

　　制程工艺

　　高通骁龙835芯片基于三星10nm制造工艺打造。10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%，高通骁龙835芯片面积将变得更小。［1］ 2016年10月，三星宣布率先在业界实现了10纳米 FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10纳米FinFET工艺，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会提升电池续航。

骁龙835百科

　　骁龙835（一般指高通骁龙处理器）是一款于2017年初由高通厂商研发的支持Quick Charge 4.0快速充电技术的手机处理器。

　　性能

　　制程工艺

　　核心

　　骁龙835的主频为1.9GHz+2.45GHz，并采用八核设计。骁龙835将采用10nm八核心设计，大小核均为Kryo280架构，大核心频率2.45GHz，大核心簇带有2MB的L2 Cache，小核心频率1.9GHz，小核心簇带有1MB的L2 Cache，GPU为Adreno 540@670MHz，相比上代性能提升25%，支持4K屏、UFS 2.1、双摄以及LPDDR4x四通道内存，整合了Cat.16基带。

　　快速充电

　　新的骁龙835处理器，支持Quick Charge 4快速充电，比起Quick Charge 3.0，其充电速度提升20%，充电效率提升30%。另外其具备更小的芯片尺寸，能为手机厂商提供更灵活的内部空间设计。

　　Quick Charge 4.0快充技术充电5分钟可以延长手机使用时长5小时，此外QC 4.0还集成了对USB-C和USB-PD（Power Delivery）的支持，适配范围更广泛。

　　效率提升

　　高通并未公布骁龙835的更多信息，但表示10nm工艺将会带来更好的性能，提升功率效率，作为对比高通骁龙820基于14nm制造工艺打造。［1］三星表示10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%。

　　内存带宽

　　骁龙835会率先支持传输速率相比LPDDR4更快的LPDDR4x运存，带宽提升明显。

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