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标签 > 砷化镓

砷化镓

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砷化镓(gallium arsenide)是一种无机化合物,化学式为GaAs,为黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在,并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构,晶格常数5.65×10-10m,禁带宽度1.4电子伏。

文章:76 视频:6 浏览:18940 帖子:5

砷化镓技术

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氮化镓技术发展现状分析

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GaN器件的功率密度是砷化镓(GaAs) 器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能够提供更宽的带宽,更高的放大器增益和更高的效率,这是由于器件外围更小。

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为了延续传统平面型晶体管制造技术的寿命,弥补关键尺寸缩小给传统平面型晶体管带来的负面效应,业界研究出了很多能够改善传统平面型晶体管性能的技术。

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什么是第三代半导体技术 碳化硅的产业结构分析

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第三代半导体以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,用于高压、高温、高频场景。广泛应用于新能源汽车、光伏、工控等领域。因此第三代半导体研究主要是集中在...

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南京大学团队首次观测到引力子激发现象

该科研成果已于北京时间2024年3月28日以“证据表明分数量子霍尔液体中有手性黑格斯模”为题在国际顶尖学术期刊Nature上公开发表。全球的引力子研究一...

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氮化镓器件用于通信基础设施、雷达系统、卫星通信、点对点无线电和其他应用。

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Gel-Pak真空释放盒砷化镓芯片储存解决方案

上海伯东美国 Gel- Pak VR 真空释放盒, 非常适用于运输以及储存砷化镓芯片和 MMIC 的器件.

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砷化镓器件在微波领域的应用

GaAs器件在微波领域的应用非常广泛,器件分类齐全,包括徽波分立器件、微波混合集成电路、微波模拟和数字单芯片集成电路等。

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中国对镓、锗实施出口管制,短期内会引起全球镓、锗的备货潮,遭到相关企业疯抢,推动相关海外产品价格大幅上涨,国外企业AXT股价已大幅下跌。

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衢州先导集成电路关键材料与高端化合物半导体等项目开工

衢州智造新城消息显示,衢州先导集成电路关键材料与高端化合物半导体及器件模组项目总投资110亿元,位于衢州智造新城高新片区及智造新城东港片区,总用地面积约...

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