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村田公司是一家使用性能优异电子原料,设计、制造最先进的电子元器件及多功能高密度模块的企业。不仅是手机、家电,汽车相关的应用、能源管理系统、医疗保健器材等,都有村田公司的身影。
村田中国亮相CMEF 2024:展现前沿创新实力,品质赋能智慧医疗
中国上海,2024年4月11日,全球领先的综合电子元器件制造商村田中国(以下简称“村田”)参展亚洲最大的医疗器械展会,第
EMI静噪滤波器(EMC降噪对策)概要 片状铁氧体磁珠 BL□ 系列 可以有效抑制几MHz~几GHz的电感型EMI静噪滤
EMI静噪滤波器(EMC降噪对策)概要: LC低通滤波器(EMIFIL) (3端子低ESL片状多层陶瓷电容器/LC复
电子发烧友网报道(文/李宁远)作为电子行业的基础组成部分,被动元器件被广泛应用在各种电路设计中。被动元器件中,又以电容的
出云村田制作所新厂房动工:分散MLCC生产据点,均衡扩大生产能力
株式会社村田制作所的生产子公司——株式会社出云村田制作所(岛根县出云市)将于2024年3月起开始建设新厂房。本次新厂房的
近年来,随着5G的普及, MIMO被引入的情况逐渐增多,以实现5G的高速、大容量通信、多连接和低延迟的特性,但由于它需要
1月16日据村田制作所官网消息,村田已确认有1名员工在地震中不幸身亡。同时供应链村田消息,村田Anamizu电感厂受石川
村田电容器产品阵容
村田电感是一种能将电能通过磁通量的形式储存起来的被动电子元件。通常为导线卷绕的样子,当有电流通过时,会从电流流过方向的右
株式会社村田制作所(以下简称“村田”)近日宣布,已成功开发出新一代小型6轴惯性传感器“SCH16T-K01”。这款传感器
村田公司是一家使用性能优异电子原料,设计、制造最先进的电子元器件及多功能高密度模块的企业。不仅是手机、家电,汽车相关的应用、能源管理系统、医疗保健器材等,都有村田公司的身影。
电话
+86 21 3205 4626
传真
+86 21 3205 4611
E-mail
mcsinfo@murata.com
村田制作所通过创建革新的技术和解决方案等,为电子社会作出贡献。建立了从原材料到产品的一条龙生产体制,在小型化、高性能、薄型化等电子行业的元器件领域遥遥领先。产品的日本国外销售比例为90%以上,向全球的每个地区的客户提供技术、产品和服务。
村田自1973年在中国香港成立第一家销售公司起,至今村田中国已拥有19个销售据点、4个工厂以及4个研发设计基地,近距离为客户提供及时有效的服务和技术支持。村田中国以满足客户的要求作为企业经营的最优先课题,全体员工同心协力完成工作。
从六个不同应用场景,村田全方位展示RFID标签模块解决方案!
工程师都知道,RFID无线射频识别是一种非接触式的自动识别技术,它通过射频信号自动识别目标对象并获取相关数据。在即将到来的物联网时代,RFID无线技术将...
说到贴片电容,了解这个行业的人都知道村田(murata)贴片电容应用的十分广泛。同时贴片电容做为无源元件,在电源电路中经常使用的功能有:实现旁路、去藕、...
村田中国亮相CMEF 2024:展现前沿创新实力,品质赋能智慧医疗
中国上海,2024年4月11日,全球领先的综合电子元器件制造商村田中国(以下简称“村田”)参展亚洲最大的医疗器械展会,第89届中国国际医疗器械(春季)博...
电子发烧友网报道(文/李宁远)作为电子行业的基础组成部分,被动元器件被广泛应用在各种电路设计中。被动元器件中,又以电容的应用占比最大,占据六到七成的市场...
出云村田制作所新厂房动工:分散MLCC生产据点,均衡扩大生产能力
株式会社村田制作所的生产子公司——株式会社出云村田制作所(岛根县出云市)将于2024年3月起开始建设新厂房。本次新厂房的建设目的是构建可应对多层陶瓷电容...
株式会社村田制作所(以下简称“村田”)近日宣布,已成功开发出新一代小型6轴惯性传感器“SCH16T-K01”。这款传感器能够以超高精度检测姿态角和自身位...
村田桥本武史:新能源汽车带动MLCC需求上扬,持续创新为行业应用赋能
正值岁末年初之际,电子发烧友网策划的《2024年半导体产业展望》专题,收到多家国内半导体创新领袖企业高管的前瞻观点。此次,电子发烧友特别采访了村田(中国...
型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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NSV60601MZ4T1G | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;特征频率(fT):-; |
获取价格
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MC74LCX125DR2G | 每个元件位数:-;电源电压:2V~3.6V;灌电流(IOL):24mA;拉电流(IOH):24mA; |
获取价格
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NJVMJD44H11T4G-VF01 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):1.75W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@4A,1V; |
获取价格
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FCD2250N80Z | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):2.6A;功率(Pd):39W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.25Ω@1.3A,10V; |
获取价格
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FQD17P06TM | 此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。 |
获取价格
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