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宽禁带

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2023-12-27 标签：半导体氮化镓碳化硅半导体 466 0

碳化硅器件封装中的3个关键技术指标是什么

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传统模块封装使用的敷铜陶瓷板(direct bonded copper-DBC)限定了芯片只能在二维平面上布局，电流回路面积大，杂散电感参数大。CPES...

2023-08-14 标签：pcb 功率器件 SiC 311 0

浅谈伺服驱动技术未来开发趋势

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2023-02-15 标签：伺服驱动宽禁带 598 0

氮化镓和碳化硅MOSFET应用建议以及碳化硅二极管应用领域

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2023-02-03 标签：功率器件碳化硅宽禁带 778 0

碳化硅在车用逆变器的妙用

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2023-02-03 标签：硅材料碳化硅宽禁带 790 0

碳化硅二极管优势有哪些？

碳化硅二极管的优势　 1.宽禁带提高了工作温度和可靠性　　宽禁带材料可提高器件的工作温度，6H-SiC和4H-SiC禁带宽度分别高...

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金刚石凭什么那么强大？

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说起“Diamond”给人第一印象是什么？无疑是高贵优雅，晶莹剔透，尤其对于女性来说钻石是充满诱惑的，正如1948年戴比尔斯经典广告所宣传“Th...

2023-02-02 标签：金刚石半导体器件宽禁带 595 0

硅基器件与宽禁带器件的区别

固体中电子的能量分布是离散的，电子都分布在不连续的能带(Energy Band)上，价电子所在能带与自由电子所在能带之间的间隙称为禁带宽度（Energy...

2022-10-17 标签：半导体热导率宽禁带 1433 0

【当代材料电学测试】系列之四：宽禁带材料测试

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随着电子电力的发展，功率器件的使用越来越多，SiC、GaN等被广泛应用于射频与超高压等领域。

2021-03-26 标签：万用表 SiC GaN 843 0

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请问怎么优化宽禁带材料器件的半桥和门驱动器设计？

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一文详解下一代功率器件宽禁带技术

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光谷诞生全球集成度最高光电芯片

丁琪超重点介绍了实验室的6个技术能力体系。如实验室核心技术方向之一的“异质集成”，能通过8英寸硅集成不同化合物半导体材料，发挥不同材料最优势特性，集成相关芯片。

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意法半导体宽禁带研讨会圆满举行

近日，全球宽禁带领域的领军企业意法半导体（ST）在深圳和上海两地成功举办了宽禁带研讨会，受到电力和能源领域专业嘉宾的热烈追捧。

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第三代宽禁带半导体碳化硅功率器件的应用

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SiC器件是一种新型的硅基MOSFET，特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。在众多...

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泰克示波器MSO58B在宽禁带、双脉冲测试中的解决方案

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抢占席位｜2023英飞凌宽禁带应用技术发展论坛

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宽禁带半导体实现规模性量产的跨越！

国际半导体市场研究机构Yole预测，到2027年，全球碳化硅功率器件市场规模有望达到约63亿美元，其中新能源汽车碳化硅市场空间有望达到近50亿美元，占比...

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氮化镓的性质与稳定性以及应用领域

氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要...

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意法半导体新厂2023年开始投产加强碳化硅组件及解决方案衬底供应

意法半导体将于意大利兴建一座整合式碳化硅（Silicon Carbide；SiC）衬底制造厂，以支持意法半导体客户对汽车及工业碳化硅组件与日俱增的需求，...

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当今和未来的电力电子宽禁带材料

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