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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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储能产品发展到今天,其技术变化日新月异,而寿命循环次数已经成为不少厂商竞争的焦点。市场中超过万次循环的产品已成为标配,许多企业还承诺储能产品寿命能够达到...
近日,瑞萨电子宣布,考虑到EV(电动汽车)需求不断增长,为扩大功率半导体产能重启甲府工厂(山梨县甲斐市)。
光伏领域IGBT市场飞速增长 2025年光伏领域IGBT市场规模将达73亿
功率半导体器件(Power Electronic Device)又称为电力电子器件和功率电子器件,是指可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制...
中车中低压功率器件产业化宜兴项目新进展:主体已封顶,预计今年9月竣工
于2023年2月29日,中车中低压功率器件产业化(宜兴)项目首电成功送出。此项目一期投资高达59亿元人民币,预期建成并达产后每年能产出72万片8英寸中低...
斯达半导还指出,公司在车载空调、充电桩、电子助力转向等新能源汽车半导体器件市场份额有所提升。2023年,斯达半导实现了关于车用主电机控制器的车规级IGB...
深圳芯能半导体获IGBT芯片专利,创新接触孔连接ESD结构提升安全性
此次专利的申请日期为2023年8月22日,授权公示日为2024年3月26日,授权公告号为CN116779666B。此项专利主要涉及的新型IGBT芯片结构...
在2024年盛大举办的慕尼黑上海电子生产设备展览会上,智汇工业有幸采访到了普思玛中国这一业界翘楚。
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AMEYA360详解江苏长晶科技FST2.0高性能 IGBT产品
江苏 长晶科技 股份有限公司是一家专业从事半导体产品研发、生产和销售的企业。自2019年起,连续4年被中国半导体行业协会评为 “功率器件十强企业”。20...
英飞凌1700V EconoDUAL™3 IGBT新产品及其在中高压级联变频器和静止无功发生器中的仿真研究
本文提及的相关产品,均会在直播中出现扫描上方二维码即可报名摘要:EconoDUAL3是一款经典的IGBT模块封装,其上一代的1700V系列产品已经广泛应...
IGBT的四个主要参数 | 变频器igbt工作原理和作用 | 变频器igbt和pwm的区别是什么
IGBT的四个主要参数 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)是一种功...
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