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标签 > fram

fram简介

  FRAM(ferromagnetic random access memory)即铁电存储器。

  特点

  FRAM的特点是速度快,能够像RAM一样操作,读写功耗极低,不存在如E2PROM的最大写入次数的问题;但受铁电晶体特性制约,FRAM仍有最大访问(读)次数的限制。

  FRAM存储单元结构

  FRAM的存储单元主要由电容和场效应管构成,但这个电容不是一般的电容,在它的两个电极板中间沉淀了一层晶态的铁电晶体薄膜。前期的FRAM的每个存储单元使用2个场效应管和2个电容,称为“双管双容”(2T2C),每个存储单元包括数据位和各自的参考位

fram百科

  FRAM(ferromagnetic random access memory)即铁电存储器。

  特点

  FRAM的特点是速度快,能够像RAM一样操作,读写功耗极低,不存在如E2PROM的最大写入次数的问题;但受铁电晶体特性制约,FRAM仍有最大访问(读)次数的限制。

  FRAM存储单元结构

  FRAM的存储单元主要由电容和场效应管构成,但这个电容不是一般的电容,在它的两个电极板中间沉淀了一层晶态的铁电晶体薄膜。前期的FRAM的每个存储单元使用2个场效应管和2个电容,称为“双管双容”(2T2C),每个存储单元包括数据位和各自的参考位

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fram知识

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fram技术

FRAM内存耐久度的优势分析

FRAM内存耐久度的优势分析

FRAM的“耐力”定义为疲劳后的记忆状态保持能力,或在许多开关周期后维持铁电开关电荷的非易失性部分的能力。

2024-02-19 标签:存储器RAM内存 93 0

铁电存储器和flash的区别 FRAM工作原理解析

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铁电存储器通常具有更快的随机存取时间(Access Time),能够更快地执行读取和写入操作。而闪存的存取速度较慢,通常与铁电存储器相比较为迟钝。

2024-01-23 标签:FlaSh存储器fram 597 0

台积电引领新兴存储技术潮流,功耗仅为同类技术的1%

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MRAM的基本结构是磁性隧道结,研发难度高,目前主要分为两大类:传统MRAM和STT-MRAM,前者以磁场驱动,后者则采用自旋极化电流驱动。

2024-01-22 标签:台积电存储器存储技术 127 0

MRAM(磁性只读存储器)和FRAM(铁电RAM)有何区别

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2024-01-09 标签:电容器存储器数据存储 221 0

什么是FRAM?关于铁电存储器FRAM的特性介绍

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FRAM具有其他传统内存产品所不具备的四个突出特性。特点是:“非易失性”、“高读写耐久性”、“写入速度快”和“低功耗”。

2023-12-15 标签:闪存EEPROMfram 450 0

基于ZigBee技术的皮带运输机可使用国产FRAM PB85RS2MC

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国芯思辰,国产芯片替代

2023-10-27 标签:存储器framFRAM芯片 537 0

为您的设计选择正确的内存解决方案

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内存被视为一种必要的技术,然而工厂自动化、自动驾驶汽车、便携式医疗设备、边缘计算和物联网传感器等新应用正在迫使性能要求发生变化。因此用于评估和选择特定应...

2021-07-27 标签:FlaSh存储器内存 329 0

铁电存储器PB85RS2MC在汽车安全气囊系统中的应用

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目前汽车安全气囊系统引入了两项主要的创新技术:第一,安全气囊系统增加了“智能性”,新系统是根据事故和乘客的具体参数来决定气囊的展开力度,这些参数可能包括...

2023-07-20 标签:存储器ecufram 343 0

铁电存储器PB85RS2MC在生物样品分选仪中的应用

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生物样品分选仪是应用于实验室或医疗机构的一种智能型分选工具,此生物样品分选仪器具有多规程的特点,可以由外接计算机在专用软件中创建、修改或删除规程,再通过...

2023-07-20 标签:存储器运动控制fram 292 0

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2024-01-02 标签:汽车电子Fujitsufram 319 0

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