完善资料让更多小伙伴认识你，还能领取20积分哦，立即完善>
标签 > FET
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。
FET电路工作原理
一般在网上只有三极管放大电路的原理，而FET的工作原理很少提及，现在我简单地分析一下它的放大原理：电路中栅极的直流电位VG是电源电压VDD被偏压电阻R3和R2分压后的电位，即：VG=R2/（R1+R2）*VDD。这与三极管发射极接地的放大电路基极直流电位相同。但是由于双极型晶体管中有基极电流流动，所以实际基极电位要比电源被R2和R3分压要低一些（晶体管是电流控制电流，FET是电压控制电流）。但对于FET，由于栅极没有电流流过，所以实际的栅极电位就是分压公式所求得的值。源极的直流电位VS比VG高出栅极源极间电压VGS的值，即： VS=VG+VGS 实际上，VGS是以源极为基准的，像N沟JFET那样，当源极电位比栅极高应该给VGS置以负号。因此，VS等于将VGS加到VG上时，就成为： VS=VG-VGS 双极晶体管VBE=0.6V或者0.7V，是能够相互置换的。但是对于FET来说，当器件型号和工作点（ID）不同时，VGS的值是不同的。流过源极的直流电流Is可以由下式求得： Is=VS/RS=（VG-VGS）/RS 漏极的直流电位VD是从电源电压VDD减去RD上的电压降的部分。如果漏极电流的直流成分为ID，则有： VD=VDD-ID*RD 由于FET的栅极上没有电流流过，ID=IS，所以上式也可以写成： VD=VDD-Is*RD 下面来求它的交流放大倍数。
由输入Vi引起的源极电流表的交流变化量#is为： #is=vi/RS 高漏极电流的交流变化量为#id，那么可以认为vd的交流变化量#vd就是#id在漏极电阻RD上的电压降，即： #vd=#id*RD 又因为漏极电流和源极电流相等，所以#vd为： #vd=#is*RD=vi/RS*RD 另外，交流输出电压vo是被输出电容C2隔断VD的直流成分后的成分，也就是vd的交流成分#vd，即： Vo=#vd=vi/RS*RD 所以不难求得：交流放大倍数Av为： Av=vo/vi=RD/RS
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管，是较新型的半导体材料，利用电场效应来控制晶体管的电流，因而得名。
LIS公司生产各种FET（场效应晶体管），特别值得一提的是他们有各种匹配双器件产品，这种匹配器件封装有其独特优势。
为了理解IGBT进入退饱和的过程机理，我们有必要简单比较下MOSFET和IGBT结构上的区别：简单来看，IGBT在MOSFET的基本结构上增加了一个P+...
mos管是一种具有绝缘栅的FET，其中电压决定了器件的电导率。发明mos管是为了克服 FET 中存在的缺点，如高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢的操作。所以...
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管(junction FET—J...
eFuse基于一个简单概念，即通过测量已知电阻器上的电压来检测电流，然后在电流超过设计限值时，通过场效应晶体管 (FET) 切断电流。
在使用电子元器件时，你有时候不可避免地会闻到明显是芯片烧焦的味道。这都是反向电流惹的祸。反向电流就是由于出现了高反向偏置电压，系统中的电流以相反的方向...
北京大学信息科学技术学院电子学系、纳米器件物理与化学教育部重点实验室张志勇教授课题组利用基于二硫化钼（MoS2）场效应晶体管（FET）的生物传感器，对新...
现在的电子设备具有更高的移动性并且比以前更绿色，电池技术进步推动了这一进展，并惠及了包括便捷式电动工具、插电式混合动力车、无线扬声器在内的广泛产品。近年...
电压控制的场效应晶体管（FET），主要用于放大弱信号，主要是无线信号，放大模拟和数字信号。 场效应晶体管（FET）是一种使用电场效应改变器件电性能的晶体...
一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的缩写，称为场效应晶体管。它是晶体管的一种。通常所说的晶体管是指双极晶体管。 场...
三极管 全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。...
大功率宽频带线性射频放大器模块广泛应用于电子对抗、雷达、探测等重要的通讯系统中，其宽频带、大功率的产生技术是无线电子通讯系统中的一项非常关键的技术。随着...
恭喜，您完成了！您可以将此新电路与继电器一起使用，以使用非常小的开关来控制高压大电流负载！每次按下开关，电路都会改变状态。一次按一下即可打开所有内容，然...
高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布，该公司2021年12...
在 2019 年，Qorvo 宣布收购高性能 RF MEMS 天线调谐应用技术供应商 Cavendish Kinetics， Inc.（简称：CK）。 ...
换一批
编辑推荐厂商产品技术软件/工具OS/语言教程专题
| 电机控制 | DSP | 氮化镓 | 功率放大器 | ChatGPT | 自动驾驶 | TI | 瑞萨电子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二极管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 无刷电机 | FOC | IGBT | 逆变器 | 文心一言 | 5G | 英飞凌 | 罗姆 |
| 直流电机 | PID | MOSFET | 传感器 | 人工智能 | 物联网 | NXP | 赛灵思 |
| 步进电机 | SPWM | 充电桩 | IPM | 机器视觉 | 无人机 | 三菱电机 | ST |
| 伺服电机 | SVPWM | 光伏发电 | UPS | AR | 智能电网 | 国民技术 | Microchip |
| 开关电源 | 步进电机 | 无线充电 | LabVIEW | EMC | PLC | OLED | 单片机 |
| 5G | m2m | DSP | MCU | ASIC | CPU | ROM | DRAM |
| NB-IoT | LoRa | Zigbee | NFC | 蓝牙 | RFID | Wi-Fi | SIGFOX |
| Type-C | USB | 以太网 | 仿真器 | RISC | RAM | 寄存器 | GPU |
| 语音识别 | 万用表 | CPLD | 耦合 | 电路仿真 | 电容滤波 | 保护电路 | 看门狗 |
| CAN | CSI | DSI | DVI | Ethernet | HDMI | I2C | RS-485 |
| SDI | nas | DMA | HomeKit | 阈值电压 | UART | 机器学习 | TensorFlow |
| Arduino | BeagleBone | 树莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 华秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
电子发烧友 （电路图） 湘公网安备43011202000918 电信与信息服务业务经营许可证：合字B2-20210191
工商网监
湘ICP备 2023018690 号
