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EUV光刻技术 - 即将在芯片上绘制微小特征的下一代技术 – 原来是预计在2012年左右投产。但是几年过去了,EUV已经遇到了一些延迟,将技术从一个节点推向下一个阶段,本单元详细介绍了EUV光刻机,EUV光刻机技术的技术应用,EUV光刻机的技术、市场问题,国产euv光刻机发展等内容。
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英特尔突破技术壁垒:首台商用High NA EUV光刻机成功组装
英特尔的研发团队正致力于对这台先进的ASML TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV光刻机进行细致的校准工作,以确保其能够顺利融入未...
今日看点丨英特尔完成首台商用高数值孔径 EUV 光刻机组装;联发科发布天玑 6300 处理器
1. 台积电估将在第 2 季认列相关地震损失 30 亿元新台币 403地震让台湾半导体产业受创,台积电稍早公告,台湾厂区在地震后的第三日结束前完全复...
半导体设备制造商阿斯麦(ASML)于去年底在社交媒体上发布照片,揭示已向英特尔提供第一套高数值孔径EUV系统的关键部件。如今英特尔宣布已完成组装,这无疑...
阿斯麦(ASML)公司首台高数值孔径EUV光刻机实现突破性成果
在半导体领域,技术创新是推动整个行业向前发展的重要动力。近日,荷兰阿斯麦(ASML)公司宣布,成功打造了首台采用0.55数值孔径(NA)投影光学系统的高...
首先,对EUV掩膜基板追加管制。特别是专供EUV光刻制程之用的掩膜基板现已正式纳入出口控制范围,相关出口皆需遵循严格的许可要求。
该企业宣布其制造部门于2023年度产生70亿美元的运营亏损,相比去年同期的52亿美元有所扩大;另一方面,尽管该部门2023年呈现出189亿美元的销售收入...
实际上,浙商电子的研究报告指出,美方此次出口管制的核心转变在于加强了对EUV掩模基板的管控,明晰了集成电路的性能关键参数定义及计算方法,强化了对集成电路...
随着半导体制造工艺节点不断发展至100纳米甚至更小的10纳米级别,如何制作出尺寸精度高、表面特征优秀、线边缘粗糙度低的光刻图形已逐渐成为整个行业面临的挑战。
ASML 首台新款 EUV 光刻机 Twinscan NXE:3800E 完成安装
3 月 13 日消息,光刻机制造商 ASML 宣布其首台新款 EUV 光刻机 Twinscan NXE:3800E 已完成安装,新机型将带来更高的生产效...
根据英特尔的新规划,Intel 14A工艺有望在2026年与我们见面,而更先进的Intel 14A-E工艺则预计将在2027年问世。
根据资料显示,在2012年,为了支持ASML EUV光刻机的研发与商用,并获得EUV光刻机的优先供应,在2012年,英特尔、台积电、三星均斥资入股了AS...
佳能近日表示,计划年内或明年上市使用纳米压印技术的光刻设备FPA-1200NZ2C。对比已商业化的EUV光刻技术,虽然纳米压印的制造速度较传统方式缓慢,...
英特尔和台积电都在技术上投入资金。三星和其他内存制造商必须跟上技术节点的转变,即使同时保持产能远离市场。他们需要跟上技术的步伐,以在摩尔定律的基础上保持...
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