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DDR4内存是新一代的内存规格。2011年1月4日,三星电子完成史上第一条DDR4内存。
DDR4内存是新一代的内存规格。2011年1月4日,三星电子完成史上第一条DDR4内存。
DDR4相比DDR3最大的区别有三点:16bit预取机制(DDR3为8bit),同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍;更可靠的传输规范,数据可靠性进一步提升;工作电压降为1.2V,更节能。
DDR4内存是新一代的内存规格。2011年1月4日,三星电子完成史上第一条DDR4内存。
DDR4相比DDR3最大的区别有三点:16bit预取机制(DDR3为8bit),同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍;更可靠的传输规范,数据可靠性进一步提升;工作电压降为1.2V,更节能。
数据规格
DDR4内存的标准规范仍未最终定夺。三星这条样品属于UDIMM类型,容量为2GB,运行电压只有1.2V,工作频率为2133MHz,而且凭借新的电路架构最高可以达到3200MHz。相比之下,DDR3内存的标准频率最高仅为1600MHz,运行电压一般为1.5V,节能版也有1.35V。仅此一点,DDR4内存就可以节能最多40%。
根据此前的规划,DDR4内存频率最高有可能高达4266MHz,电压则有可能降至1.1V乃至1.05V。
三星表示,这条DDR4内存使用了曾出现在高端显存颗粒上的“PseudoOpenDrain”(虚拟开漏极)技术,在读取、写入数据的时候漏电率只有DDR3内存的一半。
三星称,2010年12月底已经向一家控制器制造商提供了这种DDR4内存条的样品进行测试,并计划与多家内存厂商密切合作,帮助JEDEC组织在2011年下半年完成DDR4标准规范的制定工作,预计2012年开始投入商用。
DDR3和DDR4性能差距有多大
DDR3传输速度最高到2133MHz不等;而DDR4的传输速度从2133MHz起,最高可达4266MHz。
储存方面同一单位的的DDR4芯片拥有比DDR3多一倍的储存空间,同时DDR4能够搭载最多8个模块。比DDR3多一倍。这样算下来同样的空间DDR4模块的最大容量比DDR3多4倍。DDR3所需的标准电源供应是1.5V而DDR4降至1.2V,移动设备设计的低功耗DDR4更降至1.1V。
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。
默认频率DDR4 2133 CL15
DDR4 2133频率下带宽测试:48.4GB/s
DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB,共16颗),而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。而电压方面,DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造,电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。
总结:
1:DDR4内存条外观变化明显,金手指变成弯曲状2:DDR4内存频率提升明显,可达4266MHz3:DDR4内存容量提升明显,可达128GB4:DDR4功耗明显降低,电压达到1.2V、甚至更低
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