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标签 > MOSFET器件

MOSFET器件

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mosfet器件技术

基于仿真工具对100VN TrenchMOSFET器件设计研究

沟槽(Trench)MOSFET 是一种新型垂直结构的 MOSFET 器件,是从传统平面 MOSFET 结构基础上优化发展而来,Trench MOSFE...

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通过对多种情况的分析和比较,可以得出许多关于提供LFPAK MOSFETs散热片冷却的最佳方式的结论。

2020-10-10 标签:pcbMOSFET器件 1402 0

高效高可靠LED驱动设计的经验分享

DougBailey指出由于双极型功率器件比MOSFET便宜,一般是2美分左右一个,所以一些设计师为了降低LED驱动成本而使用双极型功率器件,这样会严重...

2019-05-31 标签:led灯驱动设计mosfet器件 492 0

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国星光电SiC-MOSFET器件获得AEC-Q101车规级认证

继1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二极管)器件获AEC-Q101车规级认证后,近日,国星光电开发的1200V/80mΩ SiC-MOS...

2023-10-24 标签:封装寄生电感MOSFET器件 616 0

电动汽车如何解决热的问题

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电动汽车(EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的功率模块等新应用需要更小的电路提供更高的电压和功率,因此需要能够提供高压隔离的电路材料,同时从 IGBT...

2023-09-16 标签:电动汽车新能源车IGBT器件 200 0

意法半导体和CNR-IMM加强深入合作

作者能够使用如此多的研究工具,直接得益于意法半导体和CNR-IMM之间的牢固和深入的合作。因此,除了科学成就,IRPS2021年度最佳论文奖也是对这一人...

2022-04-12 标签:意法半导体SiCMOSFET器件 1441 0

总结国内国内碳化硅行业的真实现状

热度:和当年LED差不多,但技术壁垒,比LED高几个量级; 一句话总结行业国内主流技术方向的各个环节: 1. 硅粉碳粉:不是问题太阳能行业还是做了不少好...

2021-07-02 标签:led晶圆碳化硅 5448 0

进入全新一代的晶体管以前,回顾一下前几代晶体管的发展

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在这里,我们讨论了Bulk-Si CMOS技术,缩放的必要性和重要性,它们的各种影响以及相关的解决方案。我们还解决了晶体管材料和先进技术节点中使用的任何...

2021-05-17 标签:半导体晶体管MOSFET器件 2586 0

回顾一下前几代晶体管的发展

早期的IC使用NMOS技术,因为与CMOS技术相比,NMOS工艺相当简单,价格便宜并且可以将更多设备封装到一个芯片中。英特尔于1971年发布了第一个微处理器。

2021-03-22 标签:微处理器晶体管MOSFET器件 2843 0

安森美全新SiC MOSFET器件适用于各种高要求的高增长应用

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出另两个碳化硅(SiC) MOSFET系列,扩展了其宽禁...

2020-03-12 标签:安森美MOSFET器件 2627 0

安世半导体推出采用LFPAK56封装的0.57 mΩ产品

安世半导体推出采用LFPAK56封装的0.57 mΩ产品,籍此扩展市场领先的低RDS(on) MO,同时优化了安全工作区、漏极电流和栅极电荷。

2020-02-26 标签:MOSFET器件RDS安世半导体 1694 0

儒卓力推出了一款具有高功率密度和高效率的MOSFET器件

威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型Power...

2020-02-20 标签:MOSFET器件儒卓力 2786 0

Nexperia公司推出了一款全新的功率汽车双极晶体管

总部位于荷兰的分立和 MOSFET 器件及模拟与逻辑 IC领域的专家Nexperia公司今日推出一款全新高质量、高可靠性的MJD 3 A 和 8 A 功...

2019-12-03 标签:双极晶体管NexperiaMOSFET器件 2726 0

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