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正如我们在最初涉足Celestial的产品战略时所讨论的那样,该公司的零件分为三大类:小芯片、中介层和英特尔EMIB或台积电CoWoS的光学旋转,称为OMIB。
什么是HBM3E内存?Rambus HBM3E/3内存控制器内核
Rambus HBM3E/3 内存控制器内核针对高带宽和低延迟进行了优化,以紧凑的外形和高能效的封装为人工智能训练提供了最大的性能和灵活性。
HBM内存基础裸片即DRAM堆叠基座,兼具与处理器通信的控制功能。SK海力士近期与台积电签订HBM内存合作协议,首要任务便是提升HBM基础逻辑芯片性能。
SK海力士与台积电达成研发合作,推动HBM4和下一代封装技术发展
据协议内容,双方首先致力于提升 HBM 封装中的基础裸片(Base Die)性能。HBM 由多个 DRAM 裸片(Core Die)堆叠在基础裸片之上,...
TC-NCF是有凸块的传统多层DRAM间键合工艺,相比无凸块的混合键合技术更为成熟,然而由于凸块的存在,采用TC-NCF生产的同层数HBM内存厚度会相应增加。
自 HBM3E(第五代 HBM 产品)起,SK海力士的 HBM 产品基础裸片均采用自家工艺生产;然而,从 HMB4(第六代 HBM 产品)开始,该公司将...
庆桂显此行主要推广三星的HBM内存,并探索AI合作可能性。然而,由于此前在HBM策略上出现失误,三星已被竞争对手SK海力士超越;位于第三位的美光近年来也...
HBM,即高带宽内存,以其独特的“楼房设计”概念,打破了传统DDR内存的设计局限,凭借出色的性能在市场中赢得了广泛认可。
随着人工智能在智能手机、笔记本等移动设备上的广泛应用,端侧AI已经成为行业热议的焦点。为了支持端侧运行模型的高效运行,移动DRAM的性能要求也在不断提升。
了解到,2.5D封装技术能够有效地将CPU、GPU、I/O接口、HBM芯片等多种芯片以横向方式置于中间层之上。如台积电所采取的CoWoS技术以及三星的I...
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