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阈值电压

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　　阈值电压（Threshold voltage）：通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。

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阈值电压技术

艾为推出超高精度、微低功耗线性Hall磁轴键盘解决方案

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电源解决方案跟摩尔定律有何关系？它如何跟上摩尔定律的步伐？

根据电源解决方案或与功耗、能源效率或整体能源或碳足迹相关的分析来对任何系统（或系统集合）进行分析时，将源与负载分开出来能帮助整个过程。

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安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项和使用技巧

安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特...

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IGBT什么意思？一文详细解读IGBT工作原理

IGBT（绝缘栅双极型晶体管)，变频器的核心部件

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在SPICE模拟器中应该调谐优化哪些模型参数？需要全部调优吗？

在SPICE模拟器中有几十种标准的半导体器件模型，例如，用于GaN器件的最新ASM-HEMT模型有近200个模型参数，而一个硅基的CMOS器件的BSIM...

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合科泰推出一款采用SOT-23封装的P沟道MOS管IRLML6402

PMOS是指N型衬底、P沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管，因为PMOS是N型硅衬底，多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以...

2024-03-01 标签：led照明稳压器 PMOS 773 0

MOSFET栅极应用电路分析汇总

在现代电子设备中，金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）是一种至关重要的半导体器件。

2024-02-18 标签：MOSFET 阻抗匹配场效应晶体管 1043 1

模拟IC电路之比较器设计详细过程

比较器是一种电子器件，用于比较两个输入信号的大小，并根据比较结果输出一个逻辑信号。比较器通常由两个输入端、一个输出端和一个阈值电压组成。

2024-02-07 标签：模拟电路运算放大器比较器 841 0

双向电平转换工作原理自动双向电平转换芯片介绍

如今整个电路系统，性能要求越来越高，功耗要求越来越低，其设计也越来越复杂，在目前复杂系统设计中会存在各个元器件之间的工作电压不一致的情况;

2023-12-26 标签：MOSFET 驱动器场效应管 1510 0

MOSFET发生EOS的失效模式有哪些？如何区分是什么原因失效的？

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件，其主要功能是控制电流的流动。

2023-12-15 标签：MOSFET 场效应晶体管 EOS 2823 0

从底层重新认识D触发器、建立时间和保持时间

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）或 IGFET（绝缘栅场效应晶体管）是一种场效应晶体管，它在栅极和主体之间利用绝缘体（如 SiO2）。如今，...

2023-12-04 标签：MOSFET 场效应晶体管 D触发器 508 0

NMOS管的特性曲线（二）— 转移特性曲线详解

转移特性曲线：固定VDS值，MOS晶体管的源漏电流IDS随栅源电压VGS的变化曲线。

2023-12-01 标签：MOS晶体管漏电流栅极电压 2503 0

IGBT的关断瞬态分析—电荷存储变化趋势(1)

现在我们把时间变量图片加入，进行电荷总量图片的瞬态分析。当栅极电压低于阈值电压，IGBT内部存储的电荷开始衰减，衰减过程是因为载流子寿命有限而自然复合

2023-12-01 标签：IGBT 电流突变载流子 374 0

IGBT的关断瞬态分析—电荷存储初始值

在稳态部分的分析中，我们详细地推演了电子电流、空穴电流、总电流以及各电压构成部分与多余载流子浓度分布之间的关系，即一维空间的物理关系。

2023-12-01 标签：IGBT MOS BJT 335 0

IGBT中的MOS结构—抗辐照特性介绍

氧化硅等绝缘层是MOS器件的重要组成部分，在高能粒子的辐射下，绝缘层中激发的电子空穴对会对绝缘层的特性造成影响。

2023-11-30 标签：IGBT MOS器件阈值电压 697 0

IGBT中的MOS结构—输入电容（上）

MOS是金属氧化物半导体结构，氧化物是绝缘层，有绝缘层即意味着存在电容。

2023-11-29 标签：半导体 IGBT MOS 685 0

IGBT中的MOS器件电压、电流与阈值电压之间的关系

分析完阈值电压的机制后，下面我们重点分析一下MOS器件的电压、电流与阈值电压之间的关系。

2023-11-29 标签：IGBT MOS 阈值电压 1171 0

IGBT中的MOS结构—阈值电压（下）

上一节我们讨论了栅极与半导体材料之间的功函数差，本节我们讨论绝缘层电荷的影响。

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IGBT中的MOS结构—阈值电压（上）

MOS之所以能够以电压控制，并起到开关的作用，正是由于上述反型层的机制

2023-11-29 标签：多晶硅 IGBT MOS 1007 0

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”
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