等离子体

浅谈刻蚀的终点控制

当等离子体转变到这种状态时，电子密度处于最低水平。一般来说，等离子体密度下降的水平取决于占空比和脉冲频率。通过调整脉冲的占空比，可以将时间平均离子能量分...

2024-04-09 标签：集成电路等离子体芯片制造 80 0

利用氨等离子体预处理进行无缝间隙fll工艺的生长抑制

引言 半导体器件的设计规则收缩是集成过程中每一步的一个挑战。在隔离的间隙-fll过程中，使用沉积工艺不能抑制接缝和空隙的形成，甚至具有良好的台阶覆盖。为...

2024-03-29 标签：半导体等离子体 99 0

干法刻蚀常用设备的原理及结构

干法刻蚀技术是一种在大气或真空条件下进行的刻蚀过程，通常使用气体中的离子或化学物质来去除材料表面的部分，通过掩膜和刻蚀参数的调控，可以实现各向异性及各向...

2024-01-20 标签：等离子体晶圆刻蚀机 1666 0

硅双通道光纤低温等离子体蚀刻控制与SiGe表面成分调制

在过去的几年中，MOSFET结构从平面结构改变为鳍型结构(FinFETs ),这改善了短沟道效应，并导致更高的驱动电流泄漏。然而，随着栅极长度减小到小于...

2024-01-15 标签：等离子体光纤SiGe 111 0

如何在刻蚀铝之后保护铝不被腐蚀？

需要铝金属的地方太多了，在DRAM和flash等存储器产品中，铝连线由于成本低廉和加工简便仍被广泛使用。这些存储器设备通常不像高性能逻辑芯片那样对电阻和...

2023-12-25 标签：存储器等离子体半导体封装 201 0

半导体材料特性分析

书接上节，常见的物质的第四种自然状态是等离子体状态。我们比较熟知的恒星天体就是等离子体态的一个例子。当然，它和我们最常见到的固体、液体或气体的定义的定义...

2023-12-08 标签：半导体等离子体工艺流程 294 0

太阳能电池中表面等离子体增强光捕获技术

光捕获技术是提高太阳能电池光吸收率的有效方法之一，它可以减少材料厚度，从而降低成本。近年来，表面等离子体（SP）在这一领域取得了长足的进步。利用表面等离...

2023-12-05 标签：太阳能电池太阳能等离子体 615 0

动态反向脉冲(DRP)实验

在之前的《实践出真知，实验领创新》推文中，我们探讨了与传统的双极脉冲(BP)双磁控溅射相比，动态反向脉冲(DRP)模式可将基底热负荷降低约12%，从而为...

2023-11-21 标签：等离子体脉冲电荷 688 0

等离子体基铜蚀刻工艺及可靠性

近年来，铜(Cu)作为互连材料越来越受欢迎，因为它具有低电阻率、不会形成小丘以及对电迁移(EM)故障的高抵抗力。传统上，化学机械抛光(CMP)方法用于制...

2023-11-08 标签：等离子体等离子蚀刻工艺 217 0

等离子体清洗工艺的关键技术 等离子体清洗在封装生产中的应用

等离子体工艺是干法清洗应用中的重要部分，随着微电子技术的发展，等离子体清洗的优势越来越明显。文章介绍了等离子体清洗的特点和应用，讨论了它的清洗原理和优化...

2023-10-18 标签：芯片半导体等离子体 562 0

浅谈半导体制造中的刻蚀工艺

在上一篇文章，我们介绍了光刻工艺，即利用光罩(掩膜)把设计好的电路图形绘制在涂覆了光刻胶的晶圆表面上。下一步，将在晶圆上进行刻蚀工艺，以去除不必要的材料...

2023-06-28 标签：半导体等离子体晶圆 941 0

铝等离子体蚀刻率的限制

随着集成电路互连线的宽度和间距接近3pm，铝和铝合金的等离子体蚀刻变得更有必要。为了防止蚀刻掩模下的横向蚀刻，我们需要一个侧壁钝化机制。尽管AlCl和A...

2023-06-27 标签：集成电路半导体等离子体 356 0

锗、硅、SiNx薄膜的各向同性等离子体蚀刻

CMOS和MEMS制造技术，允许相对于其他薄膜选择性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的实用性。这种化学性质非常有用，但是当存在其他材料并且也已知在H...

2023-06-26 标签：半导体等离子体蚀刻 1168 0

半导体制造之离子注入工艺简述

高压直流电源用于加速离子，大约为200kV的DC电源供应系统被装配在注入机内。为了通过离子源产生离子，需要用热灯丝或射频等离子体源。热灯丝需要大电流和几...

2023-05-26 标签：半导体电路板cpu 1481 0