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标签 > 硅晶圆
硅晶圆(wafer)用来制造集成电路(IC)的载板,在上面布满晶粒,将晶粒切开后得到芯片,将芯片经过封装测试,制成集成电路。硅晶圆尺寸是它的直径,目前较常见的有6、8、12英寸。
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相对于块体材料,膜一般为二维材料。薄膜和厚膜从字面上区分,主要是厚度。薄膜一般厚度为5nm至2.5μm,厚膜一般为2μm至25μm,但厚度并不是区分薄膜...
LED倒装芯片的制备始于制备芯片的硅晶圆。晶圆通常是通过晶体生长技术,在高温高压的条件下生长出具有所需电特性的半导体材料,如氮化镓(GaN)。
碳化硅晶圆是晶体通过切割,粗磨,精磨,粗抛,精抛等工艺加工成型的单晶晶圆。由于其硬度和脆性,需要投入更多的能量、更高的温度和更多的精力来加工和结晶。因此...
晶棒的制备过程通常涉及液相或气相生长技术。通过控制温度、压力和其他参数,使材料从熔融态或气相重新结晶,逐渐生长出大尺寸的晶体棒。生长过程中,晶体结构逐渐...
实验设计(DOE)是半导体工程研发中一个强大的概念,它是研究实验变量敏感性及其对器件性能影响的利器。如果DOE经过精心设计,工程师就可以使用有限的实验晶...
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