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标签 > 硅二极管
硅二极管死区电压约0.5伏，锗的0.1伏，正向压降硅0.6~0.7伏，锗0.2~0.3伏，硅反向电流小，耐压高，锗相反。
硅二极管与锗二极管的区别主要如下：在电流相同时，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。而硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。根据实验研究，锗二极管正向在0.2V就开始有电流了，而硅二极管要到0.5V才开始有电流，也就是说两者达到导通的起始电压不同。在反向电压下，硅管的漏电流要比锗管的漏电流小得多。开始导通后，锗管电流增大速度较慢，硅管电流增大速度相对较快。
关于如何降低升压电源中产生的高频噪声，将分“通过减少谐振能量和电感量来降低高频噪声”、“提高导通速度和尽可能减小反向恢复电流”、“尽可能减小输出环路中的...
这是为了解决使用钟控数字收音机过程中出现的问题而产生的设计。这种数字收音机采用锁相环技术，用数字调谐选择电台，还具有定时开机功能。
当反向电压降低到硅二极管的死区电压以下时（约为0.5-1V），硅二极管基本上是不导电的。当反向电流通过硅二极管时，电子将被弹回p区域，离开空间电荷区域。...
硅稳压二极管是一个具有PN结的硅二极管，简称稳压管。它与适当阻值的电阻配合使用，能起到稳定电压(使整流电路的输出电压能基本维持不变)的作用。
二极管是一种半导体器件，它具有特殊的特性，当电流从一个方向流出时允许电流，如果电流方向相反，则阻塞电流。
二极管作为电路中应用相当广泛的一种电子元件，分为硅二极管和锗二极管，都具有单向导电的功能。但其原理跟用途并不是怎么难以理解，相比之后要介绍的晶体管来讲，...
锗二极管和硅二极管的主要区别在于其特性参数不同，锗二极管的放大增益更高，但其截止频率更低，而硅二极管的放大增益更低，但其截止频率更高。
二极管反向截止的条件是什么？ 二极管反向截止是指在一定的电压条件下，二极管内部的电流无法流动，电流被完全阻断的状态。这种状态是二极管的一种基本性质，也...
为什么硅二极管的死区电压比锗二极管的死区电压大？ 硅二极管和锗二极管是电子学中非常常见的两种二极管。二极管的死区电压是指当二极管处于反向偏置状态时，为...
森国科第五代650/2A TMPS二极管具有一流的鲁棒性和耐久性 ，具备高浪涌电流和雪崩能力
1948年6月26日，贝尔实验室申请了肖克利发明的双极型晶体管的专利，这是他一次在会议上感到无聊时偶然迸发的非凡设想。1949年4月7日，贝尔实验室的G...
超高效率600V H系列整流器扩展硅二极管性能 为协助电源厂商以更低成本克服高性能系统的各种挑战， Qspeed半导体公司推出H系列组件Qspeed...
Qspeed硅二极管能协助克服高成本、低性能的电源设计挑战 基于项目的各种限制约束，设计人员在元器件选型过程通常会作出这样或那样的折衷。譬如，在设计一个电源
硅和锗两种二极管的特性曲线差异 1） 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要
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