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8英寸！第四代半导体再突破，我国氧化镓研究取得系列进展，产业化再进一步

标签：半导体工艺氧化镓 893 0

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三菱电机斥资9000亿加速研发氧化镓

三菱电机总裁Kei Urushima表示，联合开发将以"从Coherent接收衬底，采用我们的技术，然后将其返还给Coherent"...

2024-04-07 标签：三菱电机功率半导体碳化硅 324 0

我国实现6英寸氧化镓衬底产业化新突破

氧化镓因其优异的性能和低成本的制造，成为目前最受关注的超宽禁带半导体材料之一，被称为第四代半导体材料。

2024-03-22 标签：半导体材料氧化镓 114 0

晶旭半导体获睿悦控股集团亿元战略投资

据睿悦投资官微消息，2月2日，深圳市睿悦投资控股集团有限公司（以下简称“睿悦控股集团”）与福建晶旭半导体科技有限公司（以下简称“晶旭半导体”）的战略投资...

2024-02-05 标签：半导体氧化镓 453 0

6英寸β型氧化镓单晶成功制备

2023年12月，日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼（VB）法成功制备出直径6英寸的β型氧化镓（β-Ga2O3）单...

2023-12-29 标签：功率器件 SiC GaN 409 0

武汉大学袁超课题组在超宽禁带氧化镓热输运领域最新研究进展

近日，武汉大学工业科学研究院袁超课题组和斯洛伐克科学院Filip Gucmann课题组合作，在国际权威期刊《Small》上发表了题为“Phase-Dep...

2023-12-25 标签：太阳能电池二极管氧化镓 529 0

基于晶圆级高导热异质集成衬底实现最高截止频率氧化镓射频器件

氧化镓是超宽禁带半导体材料的优异代表，由于其禁带宽度和击穿场强远高于GaN，不仅可在更高场强、更高工作电压下工作，大幅度提升输出功率密度，还可以实现在高...

2023-11-15 标签：晶圆 SiC 射频器件 784 0

氧化镓产业化更进一步，本土初创企业成果涌现

电子发烧友网报道（文/梁浩斌）氧化镓被认为是在碳化硅和氮化镓后的下一代半导体材料，而对于氧化镓的重要性，去年8月美国商务部工业和安全局的文件中披露，将对...

2023-11-06 标签：氧化镓 1440 0

北京镓和首次发布4英寸面氧化镓单晶衬底参数并实现小批量生产

近日，“第四届海峡两岸氧化镓及其相关材料与器件研讨会”在济南召开。大会技术委员会委员北京镓和半导体有限公司创始人、董事长、南京邮电大学唐为华教授率领镓和...

2023-10-25 标签：半导体探测器氧化镓 521 0

日本研发出氧化镓的低成本制法

这种作方法属于“有机金属化学气相沉积（MOCVD）法”，通过在密闭装置内充满气体状原料，在基板上制造出氧化镓的晶体。该方法与现有的“氢化物气相外延（HV...

2023-10-12 标签：晶体功率半导体氧化镓 645 0

深紫外透明导电Si掺杂氧化镓异质外延薄膜研究

近年来，氧化镓（Ga2O3）半导体受到世界各国科研和产业界的普遍关注。氧化镓具有4.9 eV的超宽禁带，高于第三代半导体碳化硅（SiC）的3.2 eV和...

2023-09-11 标签：新能源汽车光电探测器碳化硅 294 0

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LED英文为（light emitting diode），LED灯珠就是发光二极管的英文缩写简称LED，这是一个通俗的称呼。LED灯珠广泛用于灯饰照明、LED大屏幕显示、交通灯、装饰、电脑、电子玩具礼品、交换机、电话机、广告、城市光彩工程等诸多生产领域
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