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多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。
多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。
利用价值：从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。
多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。
利用价值：从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。
多晶硅（polycrystalline silicon）有灰色金属光泽，密度2.32~2.34g/cm3。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。
多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。
2D NAND和3D NAND都是非易失性存储技术（NVM Non-VolatileMemory），属于Memory（存储器）的一种。
栅（Gate）是一种控制元件，通常用于场效应晶体管（FET）中，比如金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）等。
从液态的熔融硅中生长单晶硅的及基本技术称为直拉法（Czochralski）。半导体工业中超过90%的单晶硅都是采用这种方法制备的。
人工破碎就是工人用碳化钨锤多晶硅棒进行锤击达到粉碎的目的。碳化钨的硬度仅次于钻石，能够保持锋利的边缘和形状，即使在高强度使用下也不容易磨损。
inFET 技术有几个含义。最重要的是，硅鳍片的高度和宽度尺寸是由制造工艺决定的，而不是由电路设计者决定的。这意味着每个晶体管的宽度尺寸是由栅极多晶硅穿...
离子注入是将高能离子注入半导体衬底的晶格中来改变衬底材料的电学性能的掺杂工艺。通过注入能量、角度和剂量即可控制掺杂浓度和深度，相较于传统的扩散工艺更为精确。
高温压力传感器广泛应用于工业、航空航天等领域，用来监测航空发动机、重型燃气轮机、燃煤燃气锅炉等动力设备燃烧室内的压力，耐高温和高可靠性是对其最基本的要求。
多晶硅是一种重要的半导体材料，在许多领域都有广泛的应用。以下是多晶硅的一些主要用途。 太阳能电池板制造：多晶硅是太阳能电池板制造的关键材料之一。它可以通...
天合光能再度登上《新闻联播》，700W+光伏组件实现产业链协同发展
4月6日，继央视《新闻联播》全国两会高频报道天合光能之后，时隔一月再度关注天合光能青海基地生产700W+超大功率光伏组件，并与当地上下游企业实现协同发展。
蓉矽半导体SiC MOSFET通过AEC-Q101车规级考核和HV-H3TRB加严可靠性验证
蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考...
数智时代，在汽车产业电动化、智能化、网联化趋势推动下，车载显示正朝着多屏、大尺寸、高清方向蓬勃发展，带动车规级显示屏电源管理芯片（PMIC）需求不断上涨。
单晶光伏板和多晶光伏板的区别 单晶光伏板和多晶光伏板是目前最常用的两种太阳能光伏电池板。它们在材料、生产工艺、性能和成本等方面存在一些明显的区别。本文...
需要提及的是，年内四度宣布扩产的背景，则是硅料价格一路下滑。根据硅业分会数据显示，截至12月20日，当周N型硅料成交区间在6.5-7万元/吨，成交均价为...
太阳能电池特性 太阳能电池是一种利用光能直接转化成电能的装置。它是目前可再生能源领域最常见也是最常用的装置之一。太阳能电池具有很多特性，下面将详细介绍...
多晶硅层用作电荷俘获层是RF-SOI中提高器件射频性能的关键技术，晶粒大小、取向、晶界分布、多晶硅电阻率等参数与电荷俘获性能有密切的关系；此外，由于多晶...
据报道，内蒙古鑫华半导体科技有限公司有关负责人表示，该项目投资约28亿元，产值约24亿元，可生产1万吨电子级硅。鑫华是目前国内最大的半导体多晶硅供应企业。
如何减小cmos带隙基准温度系数工艺角的影响？ CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）技术是现代电子...
上海微系统所在300mm RF-SOI晶圆制造技术方面实现突破
近日，上海微系统所魏星研究员团队在300mm SOI晶圆制造技术方面取得突破性进展，制备出了国内第一片300mm 射频（RF）SOI晶圆。
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