半导体技术

SiC外延层的缺陷控制研究

探索SiC外延层的掺杂浓度控制与缺陷控制，揭示其在高性能半导体器件中的关键作用。

2024-01-08 标签：半导体半导体技术SiC 775 0

英飞凌提供各式完整电动/园林应用方案

总体而言，该行业重视研发，以确保电动工具用户 – 无论是在建筑工地上还是私人住宅中 – 都能获得安全、符合人体工程学的节能产品。电动工具如果使用不正确可...

2023-09-07 标签：英飞凌半导体技术电动工具 235 0

三星半导体宣布突破背面供电技术

半导体技术的许多进步都取决于减小封装尺寸，同时结合附加功能和更高效的供电方法。目前的供电方法会占用晶圆上的大量空间，导致成本增加、芯片尺寸增大和晶体管减少。

2023-08-16 标签：处理器半导体技术晶体管 601 0

氧化镓材料生长与阵列探测器研究

近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业...

2023-08-04 标签：探测器半导体技术肖特基二极管 594 0

***和半导体有什么关系

IRDS路线图光刻委员会主席、厦门大学嘉庚创新实验室产业运营平台科技总监，厦门大学半导体科学与技术学院客座教授Mark Neisser对光刻技术与半导体...

2023-07-24 标签：控制系统半导体技术照明系统 981 0

金刚石基GaN问世 化合物半导体行业进入第三波材料技术浪潮

材料往往因特定优势而闻名。金刚石正因为在室温下具有最高的热导率(2000W/m.K)，兼具带隙宽、击穿场强高、载流子迁移率高、耐高温、抗酸碱、抗腐蚀、抗...

2023-07-19 标签：晶圆半导体技术晶体管 485 0

半导体切割-研磨-抛光工艺简介

SiC衬底切割是将晶棒切割为晶片，切割方式有内圆和外圆两种。由于SiC价格高，外圆、内圆刀片厚度较大，切割损耗高、生产效率低，加大了衬底的成本。

2023-06-25 标签：半导体技术SiCCMP 1879 0

一文详解功率器件封装结构热设计方案

通过对现有功率器件封装方面文献的总结，从器件封装结构散热路径的角度可以将功率器件分为单面散热器件、双面散热器件和多面散热器件。

2023-04-26 标签：pcb半导体技术功率器件 968 0

《拒绝内卷，伏达重新定义功率“触顶”趋势下的充电半导体技术演进路线图》

与无线快充国家强制功率限制不同，有线快充目前还在继续各家“自由发挥”，去年媒体定义的“30瓦 入门、40瓦 标配、60瓦旗舰”已经开始不太适合当下，80...

2021-08-18 标签：半导体技术服务器无线充电 1067 0

利用噪声频谱密度评估软件定义系统中的ADC

现在考虑一个简单情况来比较SNR和NSD，如图1所示。假设ADC时钟频率为75 MHz。对输出数据运行快速傅里叶变换（FFT），图中显示的频谱为从直流到...

2020-12-30 标签：滤波器adc半导体技术 3992 0

浅谈瑞萨电子无线传感器网络解决方案

本文介绍了瑞萨电子无线传感器网络解决方案（WSN）的5部分系列的第一部分，这是半导体技术，为受益于智能社会的人们打开了广阔的新市场。它描述了瑞萨的专业知...

2021-04-13 标签：传感器通信技术半导体技术 3196 0

影响线性模式下沟槽MOSFET器件热不稳定性条件的因素分析

多年来，半导体技术的发展已取得了令人瞩目的成果。当今的设备具有显着改善的性能，特别是在降低漏源导通状态电阻，降低栅极电荷和提高开关速度方面。整个系统的低...

2021-05-27 标签：MOSFET半导体技术 3485 0

关于太赫兹开关速度晶体管的研究分析

半导体技术的最新进展推动了开关速度大于 1 太赫兹或每秒 1 万亿周期的晶体管的概念更接近现实。晶体管本质上是半导体结构的开关，可以控制电流或电压——这...

2021-06-14 标签：MOSFET逆变器半导体技术 1533 0