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标签 > 功率半导体器件
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在晶体管和MOSFET等器件中,整流栅的控制电压可以控制电流通过器件的方向。当整流栅施加正向电压时,它将通导,让电流从源极流向漏极,实现正向电流的导通。
氮化镓(GaN)芯片是一种新型的功率半导体器件,具有很多优点和一些缺点。以下是关于氮化镓芯片的详细介绍。 优点: 1.高频率特性:GaN芯片具有优秀的高...
图腾柱(Totem Pole)是一种用于驱动功率半导体器件的驱动电路结构,它通过驱动NPN和PNP晶体管形成双极性开关来实现电流放大和开关控制功能。功率...
功率半导体器件一直是电力电子技术发展的重要组成部分,随着电力电子应用领域的不断扩展和电力电子技术水平的提高,功率半导体器件也在不断发展和创新。目前,功率...
功率半导体器件是一种用于控制和转换大功率电能的半导体器件,主要包括以下几种类型: 二极管:功率二极管是一种只允许电流单向流动的半导体器件,常用...
电力电子器件(Power Electronic Device),又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安,电...
使用多个电流探头研究SiC和GaN功率半导体器件的电极间电容
本文介绍了使用多个电流探头研究SiC和GaN功率半导体器件的电极间电容。它分为四部分:双电流探头法原理、测量结果、三电流探头法原理和测量结果。
基于仿真工具对100VN TrenchMOSFET器件设计研究
沟槽(Trench)MOSFET 是一种新型垂直结构的 MOSFET 器件,是从传统平面 MOSFET 结构基础上优化发展而来,Trench MOSFE...
日前,第六届“金水湖”论坛暨2023全球AMOLED生态链大会在上海金山盛大举行。本届论坛以“屏行世界,芯动未来”为主题,由上海湾区高新技术产业开发区、...
IEGT是耐压达4kV以上的IGBT系列电力电子器件,通过采取增强注入的结构实现了低通态电压,使大容量电力电子器件取得了飞跃性的发展。
近日,上海陆芯电子科技有限公司(以下简称:上海陆芯)传出喜讯:由多家战略投资方携手引领的数亿元D轮融资已经落实,相关投资机构不畏新冠疫情对公司业务带来的...
大联大世平集团推出基于onsemi产品的高频小型化工业电源方案
NCP51561是onsemi推出的一款高压隔离型双通道门极驱动器,具有4.5A源电流和9A灌电流峰值能力。该新器件适用于硅功率MOSFET和基于SiC...
5G 基站作为“新基建”重点建设的产业之一,意味着国家接下来会投入大量资金加速 5G 基站建设,为了共同探讨 5G 基站电源市场发展方向,以及相关电源元...
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