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随着深亚微米技术的发展，功耗已经成为现代超大规模集成电路设计中的一个主要设
计约束.本文在设计多点控制协议MPCP模块中，采用插入门控时钟这一技术以降低芯片功耗.针对插入门控寄存器造成测试很难控制这个问题，采取在锁存器的前后加入控制点的方法，解决了由于插入门控时钟而对可测性造成的影响.最后，使用SMIC的0.25um CMOS工艺，并用Synopsys的power complier进行功耗优化，达到了很好的效果.
集成电路是20世纪发展起来的新兴高技术产业之一。自从1958年Texas Instrument的Jack Kilby生产出第一块集成电路起，集成电路产业一直保持着惊人的发展速度。正如Intel的创始人之一GordonMoore博士所预言的，每14～18个月，芯片上可集成的晶体管数目将增长一倍，以微处理器芯片为例，集成电路的规模已经从1971年Intel 4004的2300个晶体管发展到现在的130nm制程Banias核心的7700万个晶体管24.5W的最大散热功率（TDP，Thermal Design Power）和90nm制程Dothan核心的1.4亿个晶体管21W的最大散热功率[1]。
计约束.本文在设计多点控制协议MPCP模块中，采用插入门控时钟这一技术以降低芯片功耗.针对插入门控寄存器造成测试很难控制这个问题，采取在锁存器的前后加入控制点的方法，解决了由于插入门控时钟而对可测性造成的影响.最后，使用SMIC的0.25um CMOS工艺，并用Synopsys的power complier进行功耗优化，达到了很好的效果.
集成电路是20世纪发展起来的新兴高技术产业之一。自从1958年Texas Instrument的Jack Kilby生产出第一块集成电路起，集成电路产业一直保持着惊人的发展速度。正如Intel的创始人之一GordonMoore博士所预言的，每14～18个月，芯片上可集成的晶体管数目将增长一倍，以微处理器芯片为例，集成电路的规模已经从1971年Intel 4004的2300个晶体管发展到现在的130nm制程Banias核心的7700万个晶体管24.5W的最大散热功率（TDP，Thermal Design Power）和90nm制程Dothan核心的1.4亿个晶体管21W的最大散热功率[1]。
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