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上传日期: 2020-08-10

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资料介绍

标签:MOS(242)半导体(9075)二极管(3019)

  主要以开关方式工作的电力半导体器件是电力电子技术的核心和龙头,器件特性的每一步新发展都引起了变换电路技术的相应突破。晶闸管的出现,实现了弱电对强电的控制,使电子技术步入功率领域,在工业上引起了一场技术革命,变流装置由旋转方式变为静止方式,体现了提高效率、缩小体积、减轻质量、延长寿命、消除噪声、便于维修等优点。这类器件的主要特性是只能控制其开通,不能控制其关断,电压、电流定额都相当高。

  现代电力电子器件是指全控型的电力半导体器件,这类器件可分为二大类型:双极型、单极型和混合型双极型器件是指在器件内部电力和空穴两种载流子都参与导电过程的半导体器件,这类器件的通态压降低、阻断电压高、电流容量大,适用于中大容量的变流装置。常见的有GTR、GTO、SIH等GTR是三层结构的双极型器件,它具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好等优点,但存在着二次击穿的问题和耐压难以提高的缺点,阻碍了它的进一步发展。从制造工艺上看它已相当成熟,产品已基本上实现模块化,即将GTR管芯、续流二极管甚至包括辅助元件组装成功能单元,根据不同要求将若干个单元封装在同一个塑料树脂外壳里。为了提高电流增益,减小驱动电流,大多数的GTR模块为达林顿结构GTO是四层结构的双极型器件,是目前耐压最高、电流容量最大的-种器件,目前容量水平达到了5000A、4500V。其派生形式较多,如逆阻型、逆导型、无反压型、掩埋门极型、放大门极型以及MOS型等。这种器件的缺点是关断增益较小、门极反向关断信号的容量要求大;为了限制dv/dt及关断损耗仍需设置专门的缓冲电路,需要消耗一定的能量。

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