CMOS纳米电子器件的三维TCAD模拟PDF电子书免费下载

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标签:电子器件(135)半导体(8276)MOSFET(2096)CMOS(3097)

  在快速发展的半导体工业中,纳米电子金属氧化物半导体(CMOS)技术和器件设计几乎每天都在被介绍和探索。这本书“CMOS纳米电子器件的3D-TCAD模拟”提出了一个独立的和最新的关键思想和插图,将有助于读者了解纳米电子器件设计及其背景基础物理的详细情况。除了基本概念外,这本书还包括许多例子,帮助读者清楚地了解先进的半导体研究。这本书将是一个适当的资源为研究生做研究的CMOS纳米电子器件,也为专业工程师在学术界和工业界工作。对半导体行业的器件研发工程师和专家也有一定的参考价值。这本书反映了在半导体器件物理学中,通过一步一步的TCAD解决方案来说明问题的信念。本书内容基于Synopsys Sentaurus TCAD 2014版。本书通过计算机模拟技术对现代纳米电子器件的工具和模型进行了详尽的描述,人们可以利用计算机模拟技术来设计、开发和优化半导体器件结构和工艺技术,以适应不同的重要商业化半导体器件和材料。利用TCAD模拟技术对器件的电性能和物理性能进行分析,可以最大限度地减少昂贵器件制造所耗费的时间,从而获得有效的研究成果,节省大量的资源和人力。Synopsys Sentaurus TCAD是CMOS纳米电子器件3D TCAD模拟全球发展的领导者。英特尔、台积电、三星和IBM等半导体行业的发电厂都在使用Synopsys产品。这本书还考虑了所有基本的半导体器件物理理论以及纳米电子半导体器件设计的最新先进量子观点。建议读者在阅读本书之前,先掌握半导体的基本知识,以便更好地理解。这本书集中于三个主要主题。第一部分(第1-4章)是关于硅CMOSFET的电和物理特性的模拟。首先设计了二维金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、三维硅锗(Lg=15和10nm)和InGaAs场效应晶体管。第二部分(第5-7章)介绍了新型纳米半导体器件,如无结场效应管和隧道场效应管。第三部分(第8章)是对硅和锗场效应管器件的最小尺寸可行解的预测,并证明摩尔定律可以推广到纳米技术节点。关于超尺度器件的这一章仅仅是一个设计指南,在未来,为了得到更精确的结果,我们相信在本书的未来版本中将更新更多的从头算和基于第一原理的模型。本书不是直接应用Synopsys Sentaurus TCAD v.2014的内置图书馆实例,而是根据我们的研究团队在台湾国立清华大学十年来发表的40多篇国际SCI期刊论文的“教学实践”和“研究成果”。《CMOS纳米电子器件的三维TCAD模拟》一书的设计与技术,对于半导体工业和学术研究具有重要的现实意义,也有助于推动具有前瞻性的纳米电子器件的发展。

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