纳米半导体中多重激子效应研究进展

资料大小: 3.09 MB

所需积分: 3

下载次数:

用户评论: 0条评论,查看

上传日期: 2018-02-10

上 传 者: 程林他上传的所有资料

资料介绍

标签:半导体(2143)

  多重激子效应是指纳米半导体吸收一个高能光子后产生两个甚至多个电子一空穴对的物理过程,不仅具有重要的基础研究意义,而且在新型太阳电池及高性能光电子器件领域具有潜在应用价值,综述了多重激子效应的发展历程:总结了纳米半导体的材料组分、体系结构甚至表面质量对多重激子效应的影响:介绍了多重激子效应的实验测试分析方法以及解释多重激子效应的理论方法:概括了目前多重激子效应在器件中的应用并对其应用前景进行展望。
 

用户评论

查看全部 条评论

发表评论请先 , 还没有账号?免费注册

发表评论

用户评论
技术交流、我要发言! 发表评论可获取积分! 请遵守相关规定。
上传电子资料