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在您的电源中很容易找到作为寄生元件的100fF电容器。您必须明白，只有处理好它们才能获得符合EMI标准的电源。
从开关节点到输入引线的少量寄生电容（100 毫微微法拉）会让您无法满足电磁干扰（EMI）需求。那100fF电容器是什么样子的呢？在Digi-Key中，这种电容器不多。即使有，它们也会因寄生问题而提供宽泛的容差。
不过，在您的电源中很容易找到作为寄生元件的100fF电容器。只有处理好它们才能获得符合EMI标准的电源。
图1是这些非计划中电容的一个实例。图中的右侧是一个垂直安装的FET，所带的开关节点与钳位电路延伸至了图片的顶部。输入连接从左侧进入，到达距漏极连接1cm以内的位置。这就是故障点，在这里FET的开关电压波形可以绕过EMI滤波器耦合至输入。
图1.开关节点与输入连接临近，会降低EMI性能
注意，漏极连接与输入引线之间有一些由输入电容器提供的屏蔽。该电容器的外壳连接至主接地，可为共模电流提供返回主接地的路径。如图2所示，这个微小的电容会导致电源EMI签名超出规范要求。
图2.寄生漏极电容导致超出规范要求的EMI性能
这是一条令人关注的曲线，因为它反映出了几个问题：明显超出了规范要求的较低频率辐射、共模问题通常很明显的1MHz至2MHz组件，以及较高频率组件的衰减正弦（x）/x分布。
需要采取措施让辐射不超出规范。我们利用通用电容公式将其降低了：
C = ε • A/d
我们无法改变电容率（ε），而且面积（A）也已经是最小的了。不过，我们可以改变间距（d）。如图3所示，我们将组件与输入的距离延长了3倍。最后，我们采用较大接地层增加了屏蔽。
从开关节点到输入引线的少量寄生电容（100 毫微微法拉）会让您无法满足电磁干扰（EMI）需求。那100fF电容器是什么样子的呢？在Digi-Key中，这种电容器不多。即使有，它们也会因寄生问题而提供宽泛的容差。
不过，在您的电源中很容易找到作为寄生元件的100fF电容器。只有处理好它们才能获得符合EMI标准的电源。
图1是这些非计划中电容的一个实例。图中的右侧是一个垂直安装的FET，所带的开关节点与钳位电路延伸至了图片的顶部。输入连接从左侧进入，到达距漏极连接1cm以内的位置。这就是故障点，在这里FET的开关电压波形可以绕过EMI滤波器耦合至输入。
图1.开关节点与输入连接临近，会降低EMI性能
注意，漏极连接与输入引线之间有一些由输入电容器提供的屏蔽。该电容器的外壳连接至主接地，可为共模电流提供返回主接地的路径。如图2所示，这个微小的电容会导致电源EMI签名超出规范要求。
图2.寄生漏极电容导致超出规范要求的EMI性能
这是一条令人关注的曲线，因为它反映出了几个问题：明显超出了规范要求的较低频率辐射、共模问题通常很明显的1MHz至2MHz组件，以及较高频率组件的衰减正弦（x）/x分布。
需要采取措施让辐射不超出规范。我们利用通用电容公式将其降低了：
C = ε • A/d
我们无法改变电容率（ε），而且面积（A）也已经是最小的了。不过，我们可以改变间距（d）。如图3所示，我们将组件与输入的距离延长了3倍。最后，我们采用较大接地层增加了屏蔽。
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