资料介绍
SanDisk 3D NAND Flash:Gen3 X3 128Gb存储设备包含一个128Gb的48针TSOP封装。所有可能的配置可能不可用。有关当前零件号的列表,请参见第0页的“市场营销零件号”,以及第3页的图1了解零件号解码。此设备支持DDR1的切换模式接口速度高达100 MHz(200 Mbps),DDR2最高支持266 MHz(533 Mbps)。切换模式是高性能应用程序的NAND闪存接口,支持数据选通(DQS)信号上升和下降沿上的数据输入(DIN)和数据输出(DOUT)操作。切换模式NAND实现了与传统SDR(传统模式)NAND支持的命令向后兼容的“双数据速率”操作,并基于高速切换模式接口提供了高数据传输速率。差分模式下使用DDR、QSREN(QSREN)信号。单端信号DQS和REn用于DDR1切换模式。注:从这一点开始:•传统的SDR(单数据速率)操作将简称为“SDR”。•单级单元(SLC)和三级单元(TLC)操作通常由各自的首字母缩略词SLC和TLC来表示。术语每单元三比特(3bpc)也可以出现,并且可以与TLC互换使用。
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