NAND闪存W29N01GV的数据手册免费下载

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资料介绍

标签:RAM(354)NAND(555)闪存(714)

  W29N01GV(1G位)NAND闪存为空间、插脚和电源有限的嵌入式系统提供存储解决方案。它是理想的代码阴影到RAM,固态应用程序和存储媒体数据,如语音,视频,文本和照片。该装置采用单路2.7V至3.6V电源供电,CMOS待机电流消耗低至25MA,10uA。

  内存数组总计138412032字节,并组织为1024个可擦除块,共135168字节。每个块由64个可编程页面组成,每个页面2112字节。每个页面包含主数据存储区域的2048字节和备用数据区域的64字节(备用区域通常用于错误管理功能)。

  w29n01gv支持使用多路复用8位总线传输数据、地址和命令指令的标准NAND闪存接口。我们处理总线接口协议的五个控制信号,即CLE、ALE、CE、RE和。此外,该设备还有两个信号针,即wp(写保护)和ry/by(就绪/忙碌),用于监控设备状态。

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