资料介绍
Description DDR3L SDRAM (1.35V) is a low voltage version of the DDR3 (1.5V) SDRAM. Refer to DDR3 (1.5V) SDRAM (Die Rev :E) data sheet specifications when running in 1.5V compatible mode. Features • VDD = VDDQ = 1.35V (1.283–1.45V) • Backward compatible to VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V – Supports DDR3L devices to be backward compatible in 1.5V applications • Differential bidirectional data strobe • 8n-bit prefetch architecture • Differential clock inputs (CK, CK#) • 8 internal banks • Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for data, strobe, and mask signals • Programmable CAS (READ) latency (CL) • Programmable posted CAS additive latency (AL) • Programmable CAS (WRITE) latency (CWL) • Fixed burst length (BL) of 8 and burst chop (BC) of 4 (via the mode register set [MRS]) • Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF) • Self refresh mode • TC of 0°C to +95°C – 64ms, 8192-cycle refresh at 0°C to +85°C – 32ms at +85°C to +95°C • Self refresh temperature (SRT) • Automatic self refresh (ASR) • Write leveling • Multipurpose register • Output driver calibration Options Marking • Configuration – 1 Gig x 4 1G4 – 512 Meg x 8 512M8 – 256 Meg x 16 256M16 • FBGA package (Pb-free) – x4, x8 – 78-ball (9mm x 10.5mm) Rev. E RH – 78-ball (7.5mm x 10.6mm) Rev. N RG – 78-ball (8mm x 10.5mm) Rev. P DA • FBGA package (Pb-free) – x16 – 96-ball (9mm x 14mm) Rev. E HA – 96-ball (7.5mm x 13.5mm) Rev. N LY – 96-ball (8mm x 14mm) Rev. P TW • Timing – cycle time – 938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) -093 – 1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) -107 – 1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) -125 • Operating temperature – Commercial (0°C ≤ TC ≤ +95°C) None – Industrial (–40°C ≤ TC ≤ +95°C) IT • Revision :E/:N/:P
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