光电检测器及光子学基础部件的资料说明

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关键字: 探测器 检测器 半导体

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本文档的主要内容详细介绍的是光电检测器及光子学基础部件的资料说明主要内容包括了:1.光电检测器的性能参数,2.光电检测器种类,3.多通道探测器—自学,4.光学基本元件,5.光学基础部件,6.分光元件


  外光电效应:当光照到某种物质时,若入射的光子能量足够大,它与物质相互作用,致使电子逸出物质表面这种现象称为光电发射效应,又称外光电效应。

  光电阴极是根据外光电效应制成的光电发射材料

  金属的光电发射效率很低,一般响应在紫外或远紫外,半导体的响应大多在可见、近红外、红外波段。

  根据材料将NEA出现前的阴极按照窗材料的不同以S-数字的形式表示:

  S-1银氧铯光电阴极(Ag-O-Cs),对可见和近红外敏感,阈值波长最大可达1.2微米,主要应用与微光夜视仪中。但光谱响应最大处的量子效率不超过1%,热发射较大,室温下典型值10-11到10-14A/cm2

  S-4,S-5锑铯阴极:在光电管、PMT中广泛采用,响应范围从紫外到红光,峰值在蓝光,量子效率可达10-20%。暗电流10-16A/cm2

  S-20多碱阴极,锑与多种碱结合:响应范围可到0.87微米,峰值在420nm,量子效率可达10-20%。暗电流10-16A/cm2

  负电子亲和势电极(NEA),InGaAs是代表,长波可到1.3微米,暗电流10-16A/cm

 
 
 

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