SiC MOSFET为什么会使用4引脚封装

　　ROHM 最近推出了 SiC MOSFET 的新系列产品“SCT3xxx xR 系列”。SCT3xxx xR 系列采用最新的沟槽栅极结构，进一步降低了导通电阻；同时通过采用单独设置栅极驱动器用源极引脚的 4 引脚封装，改善了开关特性，使开关损耗可以降低 35%左右。此次，针对 SiC MOSFET 采用 4 引脚封装的原因及其效果等议题，我们采访了 ROHM 株式会社的应用工程师。关于 SiC MOSFET 的 SCT3xxx xR 系列，除了导通电阻很低，还通过采用 4 引脚封装使开关损耗降低了 35%，对此我们非常感兴趣。此次，想请您以 4 引脚封装为重点介绍一下该产品。首先，请您大致讲一下 4 引脚封装具体是怎样的封装，采用这种封装的背景和目的是什么。首先，采用 4 引脚封装是为了改善 SiC MOSFET 的开关损耗。包括 SiC MOSFET 在内的电源开关用 MOSFET 和 IGBT，被作为开关元件广泛应用于各种电源应用和电源线路中。必须尽可能地降低这种开关元件产生的开关损耗和传导损耗，但不同的应用，其降低损耗的方法也不尽相同。作为其中的一种手法，近年来发布了一种 4 引脚的新型封装，即在 MOSFET 的源极、漏极、栅极三个引脚之外，另外设置了驱动器源极引脚。此次的 SCT3xxx xR 系列，旨在通过采用最新的沟槽栅极结构，实现更低的导通电阻和传导损耗；通过采用 4 引脚封装，进一步发挥出 SiC 本身具有的高速开关性能，并降低开关损耗。那么，我想详细了解一下刚刚您的概述中出现的几个要点。首先，什么是“驱动器源极引脚”？驱动器源极引脚是应用了开尔文连接原理的源极引脚。开尔文连接是通过电阻测量中的 4 个引脚或四线检测方式，在电流路径基础上加上两条测量电压的线路，以极力消除微小电阻测量或大电流条件下测量时不可忽略的线缆电阻和接触电阻的影响的方法，是一种广为人知的方法。这种 4 引脚封装仅限源极，通过使连接栅极驱动电路返回线的源极电压引脚与流过大电流的电源源极引脚独立，来消除 ID 对栅极驱动电路的影响。