NI射频芯片如何测试有哪些方法

资料大小: 0.68 MB

所需积分: 1

下载次数:

用户评论: 0条评论,查看

上传日期: 2020-10-29

上 传 者: 发烧友他上传的所有资料

资料介绍

标签:UMTS(62)GSM(658)芯片(21017)

随着无线设备复杂性急剧增加,手机支持的频段数量也在不断增加。从最开始的2个GSM频段,到现在的4个GSM频段,3个CDMA频段,5个UMTS频段和10个LTE频段。未来,诸如5GNewRadio等标准将继续增加无线设备的复杂性。今天,我们将为各位介绍6个使用NIPXIe、STS、VTS等NI的软硬件系统完成的测试方案。

1、插入损耗InserTIonLoss

对于很多射频无源器件来说,插入损耗是其中一个关键的测试项目。在一个系统之中,由于某个器件的插入而发生的功率的损耗便是插入损耗,通常插入损耗由dB来表示。一般来说,对于射频器件来说,如果在器件插入之前传输给负载的功率是,插入之后负载接收到的功率是,则以dB为单位的插入损耗由下式给出公式:作为射频开关的关键指标之一,每个开关都会存在一些寄生电容、寄生电感、寄生电阻等。在开关做信号路由的时候,这些寄生元件会直接将信号进行衰减和降低。而这些寄生元件随着输入信号频率的变化引起功率损耗,因此对于射频开关来说在不同频率下进行插入损耗测试是必要的一步。

用户评论

查看全部 条评论

发表评论请先 , 还没有账号?免费注册

发表评论

用户评论
技术交流、我要发言! 发表评论可获取积分! 请遵守相关规定。
上传电子资料