资料介绍
本文档的主要内容详细介绍的是TC001B和TC001C芯片的应用说明。
一、TC001C 典型电路设计
二、关键参数选型:
1. RT1:要求节点设备在最大平均功耗的情况下 R 总线与 RT1 的压降 0.5~1V 左右的前提下尽可能大以减小 E1 冲击电流;( R 总 线 +RT1 ) MAX= 0.5/I 平均电流 ;例如 RVS 2*1.5 双绞线 200m 线阻为 3 Ω , 节 点 功 耗 50mA , 则 RT1=0.5V/0.05A-3Ω=7Ω,取值 5-10Ω。
2. E1:假设节点最小工作电压 Vm、总线端口电压 Vz、最大工作电流 Im;根据△U*C=I*△T,求得 C= I*△T/△U;其中△ U=Vz-Vm, △T=回码时间,求得 E1 的容值 C;(此处应考虑耐压值,24V 系统选择 35V 耐压,36V 系统选择 50V 耐压)。
3. D1:建议使用 TMBS4S1 或 MMBD7000,不可使用肖特基二极管。
4. VD1:可采用 IN4148 或 SS14/IN5819,负载电流小可采用 IN4148,负载电流超过 100mA 建议使用开关速度更快的肖特基二极管 SS14/IN5819。
5. C5,C6:与电阻 RT1 构成 RC 滤波电路,滤除串扰至总线上的干扰,C5,C6 建议取值 270pF。
TC100B 典型电路设计
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