IGBT的基本结构是怎么样的

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上传日期: 2020-01-08

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标签:晶体管(2163)IGBT(1053)MOSFET(2065)

  绝缘栅双极晶体管本质上是一个场效应晶体管,只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。根据国际电工委员会 IEC / TC ( CO ) 13 3 9 文件建议,其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。

  图 2 - 53 所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它是 IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成 PNP 双极晶体管,起发射极的作用, 向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。

  为了兼顾长期以来人们的习惯, IEC 规定:源极引出的电极端子(含电极端)称为发射极端(子),漏极引出的电极端(子)称为集电极端(子)。这又回到双极晶体管的术语了。但仅此而已。

  IGBT 的结构剖面图如图2 - 53 所示。它在结构上类似于MOSFET ,其不同点在于 IGBT 是在 N 沟道功率 MOSFET 的 N+ 基板(漏极)上增加了一个P+ 基板( IGBT 的集电极),形成PN 结j1 ,并由此引出漏极、栅极和源极则完全与MOSFET 相似。

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